本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板和液晶顯示裝置。

背景技術(shù)：

一般垂直電場(chǎng)的液晶顯示裝置包括TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)、VA(Vertical Alignment，垂直配向)等液晶顯示模式。目前市場(chǎng)上的TN面板多是改良型的TN+film，film即補(bǔ)償膜，用于彌補(bǔ)TN面板可視角度的不足，目前改良的TN面板的可視角度都達(dá)到160°。VA類面板是現(xiàn)在高端液晶應(yīng)用較多的面板類型，屬于廣視角面板。VA類面板又分為MVA(Multi-domain Vertical Alignment，多象限垂直配向技術(shù))面板、PVA(Patterned Vertical Alignment)面板、PSVA(Polymer Stabilization Vertical Alignment，聚合物穩(wěn)定垂直配向)面板、UV²A(UV Vertical Alignment，UV光垂直配向)面板，等等。

液晶顯示模式的像素結(jié)構(gòu)分為陣列基板側(cè)的像素結(jié)構(gòu)和對(duì)置基板側(cè)的像素結(jié)構(gòu)兩部分。陣列基板側(cè)的像素結(jié)構(gòu)主要實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的電學(xué)功能，是決定像素電容效應(yīng)、配向延遲效應(yīng)、灰階電壓寫(xiě)入特性和保持特性的主要方面。對(duì)置基板側(cè)的像素結(jié)構(gòu)主要實(shí)現(xiàn)TFT-LCD的光學(xué)功能，是決定TFT-LCD對(duì)比度和色度域的主要方面。

圖1所示為陣列基板側(cè)的像素結(jié)構(gòu)，一般采用如的存儲(chǔ)電容制作在公共電極上(Cs on COM)的結(jié)構(gòu)。Cs on COM結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是，像素電極107覆蓋在本像素公共電極線109(COM線)上設(shè)置存儲(chǔ)電容。公共電極線的位置可以在像素的上下兩側(cè)，也可以在像素的中央。公共電極線延伸到數(shù)據(jù)線103兩側(cè)的結(jié)構(gòu)起到遮光的作用。像素電極107與公共電極線109重疊的區(qū)域就是像素的存儲(chǔ)電容面積。

對(duì)置基板側(cè)的像素一般包括黑色矩陣BM、RGB色阻、間隙子、公共電極等結(jié)構(gòu)。對(duì)置基板側(cè)像素的結(jié)構(gòu)主要由濾光和遮光兩部分組成：濾光結(jié)構(gòu)由RGB色層204構(gòu)成，遮光結(jié)構(gòu)由黑色矩陣202構(gòu)成。對(duì)置基板側(cè)像素結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)主要 考慮黑色矩陣202的遮光尺寸，以及RGB色層204與黑色矩陣遮光層的重疊量。對(duì)應(yīng)圖1所示的陣列基板側(cè)像素結(jié)構(gòu)，可以設(shè)計(jì)出如圖2A所示的對(duì)置基板側(cè)黑色矩陣遮光結(jié)構(gòu)。實(shí)際的對(duì)置基板側(cè)像素結(jié)構(gòu)中，黑色矩陣包圍的白色開(kāi)口部分覆蓋著RGB色層204。黑色矩陣遮光結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，目的是要保證圖2B所示的貼合效果，防止對(duì)置基板基板和陣列基板貼合偏移后出現(xiàn)漏光現(xiàn)象。如圖2C所示，如果對(duì)置基板和陣列基板的貼合精度為6um，那么公共電極線的遮光線段靠近數(shù)據(jù)線一側(cè)的邊與黑色矩陣202挨著色層204一側(cè)的邊之間的距離至少要保證在6um以上。

現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)，存在如下問(wèn)題：

(1)金屬線多，金屬面積大，對(duì)環(huán)境光的反射現(xiàn)象比較明顯。

(2)相鄰像素之間的黑色矩陣面積較大，影響像素的開(kāi)口率，降低了像素的光利用效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種金屬線少、具有高透光率的陣列基板和液晶顯示裝置。

為了達(dá)到上述或其它目的，本實(shí)用新型一方面提出了一種液晶顯示裝置的陣列基板，包括：一基板，具有呈十字型交叉布置的復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和復(fù)數(shù)條掃描線；主動(dòng)元件，設(shè)置在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線的十字型交叉區(qū)域；像素電極，以各個(gè)該十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行脑O(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，且通過(guò)一接觸孔與該主動(dòng)元件電性連接；透明電極，呈整面分布在該基板上，且該透明電極具有延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的開(kāi)口區(qū)域。

進(jìn)一步地，該復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元之間設(shè)有間隔距離，該透明電極延伸至每一個(gè)該像素電極單元的各周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置在與該陣列基板垂直的方向上的重疊區(qū)域，該透明電極與該像素電極單元之間的重疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。

進(jìn)一步地，該透明電極分布在該像素電極層的上方，或者分布在該像素電極與該數(shù)據(jù)線金屬層之間，或者分布在該數(shù)據(jù)線金屬層與該掃描線金屬層之間， 或者分布在該掃描線金屬層下方。

進(jìn)一步地，該透明電極延伸至每一個(gè)該像素電極單元的各周邊區(qū)域內(nèi)的開(kāi)口區(qū)域的邊界呈不規(guī)則的鋸齒狀圖案。

進(jìn)一步地，該透明電極的材料采用錫摻雜三氧化銦、鋁摻雜氧化鋅、納米銀線、或者石墨烯。

為了達(dá)到上述或其它目的，本實(shí)用新型另一方面提出了一種陣列基板，包括：提供一基板，設(shè)置第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線；在該第一金屬層的圖案上設(shè)置柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方設(shè)置半導(dǎo)體圖案；在該半導(dǎo)體圖案上，設(shè)置第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置；還包括薄膜晶體管的源極、漏極；在該第二層金屬薄膜圖案上分布厚膜絕緣層，在該厚膜絕緣層上整面分布有像素電極，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行?，設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該厚膜絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接；在該像素電極上分布隔離絕緣層，在該隔離絕緣層上整面分布有透明電極；其中，該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)開(kāi)口區(qū)域，該透明電極與該像素電極在與該陣列基板垂直的方向上存在交疊區(qū)域，該交疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。

為了達(dá)到上述或其它目的，本實(shí)用新型又一方面提出了一種陣列基板，包括：提供一基板，設(shè)置第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線；在該第一金屬層的圖案上設(shè)置柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方設(shè)置半導(dǎo)體圖案；在該半導(dǎo)體圖案上，設(shè)置第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置；還包括薄膜晶體管的源極、漏極；在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，在該絕緣層上整面分布有透明電極；在該透明電極上分布隔離絕緣層，在該隔離絕緣層上分布像素電極，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行?，設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該隔離絕緣層和該絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接；其中，該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)開(kāi)口區(qū)域，該透明電極與 該像素電極在與該陣列基板垂直的方向上存在交疊區(qū)域，該交疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。

為了達(dá)到上述或其它目的，本實(shí)用新型又一方面提出了一種陣列基板，包括：提供一基板，設(shè)置第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線；在該第一金屬層的圖案上設(shè)置第一柵極絕緣層，在該第一柵極絕緣層的上方整面分布有透明電極；在該透明電極上設(shè)置第二柵極絕緣層，在該第二柵極絕緣層的上方設(shè)置半導(dǎo)體圖案；在該半導(dǎo)體圖案上，設(shè)置第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置；還包括薄膜晶體管的源極、漏極；在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，在該絕緣層上整面分布有像素電極，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行?，設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該厚膜絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接；其中，該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)開(kāi)口區(qū)域，該透明電極與該像素電極在與該陣列基板垂直的方向上存在交疊區(qū)域，該交疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。

為了達(dá)到上述或其它目的，本實(shí)用新型又一方面提出了一種陣列基板，包括：提供一基板，在該基板上整面布置有透明電極，在透明電極的上方設(shè)置平坦絕緣層；在平坦絕緣層的上方設(shè)置第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線；在該第一金屬層的圖案上設(shè)置柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方設(shè)置半導(dǎo)體圖案；在該半導(dǎo)體圖案上，設(shè)置第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置；還包括薄膜晶體管的源極、漏極；在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，在該絕緣層上分布像素電極，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行?，設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該該絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接；其中，該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)開(kāi)口區(qū)域，該透明電極與該像素電極在與該陣列基板垂直的方向上存在交疊區(qū)域，該交疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。

為了達(dá)到上述或其它目的，本實(shí)用新型又一方面提出了一種液晶顯示裝置， 包括：上述陣列基板；對(duì)置基板，與該陣列基板相對(duì)設(shè)置；液晶層，夾置在該陣列基板與該對(duì)置基板之間；還包括公共電極，呈面電極圖案分布在該對(duì)置基板上；其中，該公共電極層與該透明電極同時(shí)施加相同電位電壓。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，其優(yōu)點(diǎn)在于：光的利用效率高，光線被干擾的概率低，顯示畫(huà)質(zhì)好。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板側(cè)的像素結(jié)構(gòu)平面示意圖；

圖2A為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)置基板側(cè)的黑色矩陣結(jié)構(gòu)平面示意圖；

圖2B為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板與對(duì)置基板貼合后的像素結(jié)構(gòu)平面示意圖；

圖2C為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)置基板側(cè)像素結(jié)構(gòu)的遮光層剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為示意性示出本實(shí)用新型一實(shí)施方式陣列基板側(cè)像素結(jié)構(gòu)平面示意圖；

圖4為示意性示出本實(shí)用新型圖3中陣列基板側(cè)平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為示意性示出本實(shí)用新型又一實(shí)施方式陣列基板側(cè)像素結(jié)構(gòu)平面示意圖；

圖6為示意性示出本實(shí)用新型第一實(shí)施例陣列基板像素結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為示意性示出圖6中所示的存儲(chǔ)電容器結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8A～8C為示意性示出第一實(shí)施例陣列基板不同制作步驟平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為示意性示出本實(shí)用新型第二實(shí)施例陣列基板像素結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為示意性示出圖9中所示的存儲(chǔ)電容器結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為示意性示出本實(shí)用新型第三實(shí)施例陣列基板像素結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12A～12B為示意性示出第二實(shí)施例陣列基板不同制作步驟平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為示意性示出本實(shí)用新型第四實(shí)施例陣列基板像素結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14為示意性示出圖13中所示的存儲(chǔ)電容器結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15A～15D為示意性示出第四實(shí)施例陣列基板不同制作步驟平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖16A為示意性示出本實(shí)用新型第五實(shí)施例陣列基板側(cè)像素結(jié)構(gòu)平面示意圖；

圖16B為示意性示出本實(shí)用新型圖16A中像素結(jié)構(gòu)沿BB’方向上的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖17為示意性示出圖16B中所示的存儲(chǔ)電容器結(jié)構(gòu)示意圖；

圖18A～18D為示意性示出第五實(shí)施例陣列基板不同制作步驟平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖19為示意性示出本實(shí)用新型液晶顯示裝置剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖20為示意性示出本實(shí)用新型液晶顯示裝置對(duì)置基板平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖21為示意性示出本實(shí)用新型液晶顯示裝置在工作狀態(tài)下剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本實(shí)用新型，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍，在閱讀了本實(shí)用新型之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本實(shí)用新型的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。

圖3為示意性示出本實(shí)用新型一實(shí)施方式陣列基板側(cè)像素結(jié)構(gòu)平面示意圖。如圖3所示，本實(shí)用新型提供了一種陣列基板的像素結(jié)構(gòu)，包括：掃描線101、半導(dǎo)體層溝道102、數(shù)據(jù)線103、源極(數(shù)據(jù)線)、漏極104、接觸孔105、像素電極106、透明電極107。

其中，掃描線101與數(shù)據(jù)線103在像素中央呈十字型交叉，在數(shù)據(jù)線103與掃描線101的交叉處設(shè)有薄膜晶體管。薄膜晶體管設(shè)置在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線103與該復(fù)數(shù)條掃描線101的十字型交叉區(qū)域，薄膜晶體管的柵極為掃描線101在十字型交叉區(qū)域的圖案，薄膜晶體管的源極為數(shù)據(jù)線103在十字型交叉區(qū)域的圖案，以及薄膜晶體管的漏極104，薄膜晶體管的溝道102。薄膜晶體管漏極104 的上方設(shè)有接觸孔105；漏極104覆蓋接觸孔105與像素電極107實(shí)現(xiàn)等電位連接。在像素的上下左右四個(gè)邊，像素電極107與透明電極106部分重疊。

圖4為示意性示出本實(shí)用新型圖3中陣列基板側(cè)平面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，本實(shí)用新型提供了一種陣列基板，包括復(fù)數(shù)個(gè)圖3中所述的像素結(jié)構(gòu)，其中，像素電極107，以各個(gè)該十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行脑O(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，透明電極106，呈整面分布在該陣列基板上，且該透明電極106具有延伸至各個(gè)該像素電極單元107的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的開(kāi)口區(qū)域。

如圖4所示，相鄰像素的像素電極107之間存在左右間隙S1，上下間隙S2。間隙S1和S2越小，像素的光利用效率越高。限制S1與S2大小的因素包括：曝光機(jī)的曝光精度；相鄰像素電極電壓之間的干擾強(qiáng)度。一般，間隙S1和S2在5um左右。在圖4中，像素電極107與透明電極106部分重疊，設(shè)置像素的存儲(chǔ)電容器Cs。重疊區(qū)域L1、L2、L3和L4分布在像素的四個(gè)邊上。

在圖3中，透明電極106在與像素電極107重疊部分光的透過(guò)率低于像素電極107與透明電極106未重疊的中心區(qū)域，從而在透明電極邊界處設(shè)置亮度差異。

為了模糊透明電極邊界部分的亮度差異，圖5為示意性示出本實(shí)用新型又一實(shí)施方式陣列基板側(cè)像素結(jié)構(gòu)平面示意圖。如圖5所示，本實(shí)用新型提供了一種陣列基板的像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施例所述的像素結(jié)構(gòu)大致相同，不同之處僅在于把透明電極106邊界設(shè)置成鋸齒狀，即該透明電極106延伸至每一個(gè)該像素電極107的各周邊區(qū)域內(nèi)的開(kāi)口區(qū)域的邊界呈不規(guī)則的鋸齒狀圖案108。通過(guò)鋸齒狀圖案108的過(guò)渡，既可以模糊邊界處的亮度差異，也可以消除邊界的位置視覺(jué)感。為了模糊透明電極106在像素邊界處的亮度差異，還可以在透明電極106的開(kāi)口區(qū)域一側(cè)采用其他不規(guī)則的圖案。

本實(shí)用新型上述各實(shí)施方式所提供的像素結(jié)構(gòu)中，透明電極為透明導(dǎo)電薄膜，主要有金屬膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、復(fù)合膜系等。具體地有ITO(錫摻雜三氧化銦)、AZO(鋁摻雜氧化鋅)、納米銀線、石墨烯等。優(yōu)選地，采用ITO材料。

本實(shí)用新型上述各實(shí)施方式所提供的像素結(jié)構(gòu)中，透明電極層可以分布在像素電極層的上方，可以分布在像素電極與數(shù)據(jù)線金屬層之間，可以分布在數(shù)據(jù)線金屬層與掃描線金屬層之間，可以分布在掃描線金屬層下方。

第一實(shí)施例【透明電極層分布在像素電極層的上方】

圖6為本實(shí)用新型第一實(shí)施例陣列基板像素結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，把透明電極設(shè)計(jì)在像素電極的上方，可以更好地屏蔽相鄰像素的像素電極電壓之間的干擾。

在像素AA’方向的截面圖，對(duì)應(yīng)的層次關(guān)系為：在玻璃、塑料等襯底基板111的上方分布掃描線101，在掃描線101的上方分布柵極絕緣層112，在柵極絕緣層112的上方分布半導(dǎo)體層102，在半導(dǎo)體層102的上方分布數(shù)據(jù)線(源極)103和漏極104，在數(shù)據(jù)線103的上方分布保護(hù)絕緣層113，在保護(hù)絕緣層113的上方分布厚膜絕緣層114，在厚膜絕緣層114的上方分布像素電極107，像素電極107通過(guò)貫穿厚膜絕緣層114和保護(hù)絕緣層113的接觸孔105與漏極104實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接，在像素電極107的上方分布間隔絕緣層115，在間隔絕緣層115的上方分布透明電極層106。根據(jù)實(shí)際需要，可以省略保護(hù)絕緣層113。

結(jié)合參考圖3、圖6和圖7，像素電極與透明電極在像素四個(gè)邊上部分重疊形成的存儲(chǔ)電容Cs。因?yàn)橄袼仉姌O與透明電極都是透明導(dǎo)電薄膜，重疊部分的區(qū)域依然是透光區(qū)域，這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以提高像素的光利用效率。

圖7為為示意性示出圖6中所示的存儲(chǔ)電容器結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，透明電極106覆蓋在相鄰像素電極107的上方，可以完全屏蔽相鄰像素電極的電學(xué)干擾。

本實(shí)用新型一實(shí)施例還提供了一種陣列基板，包括：如圖8A所示，首先，提供一透明基板，形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線101；在該第一金屬層的圖案上形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導(dǎo)體圖案，如半導(dǎo)體溝道圖案102。

如圖8B所示，在該半導(dǎo)體圖案上，形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線103，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線103與該復(fù)數(shù)條掃描線101呈十字型交叉布置；還包括薄膜晶體管的源極、漏極104。

如圖8C所示，在該第二層金屬薄膜圖案上分布厚膜絕緣層，覆蓋厚膜絕緣層后刻蝕形成接觸孔105，然后再形成像素電極107圖案，該像素電極107為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線103與該復(fù)數(shù)條掃描線101之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行?，形成?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該厚膜絕緣層的 一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接。

在該像素電極107上分布隔離絕緣層，在該隔離絕緣層上整面分布有透明電極；其中，該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個(gè)開(kāi)口區(qū)域，該透明電極與該像素電極在與該陣列基板垂直的方向上存在交疊區(qū)域，該交疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。最后形成第一實(shí)施例所述的陣列基板。

第二實(shí)施例【透明電極層分布在像素電極與數(shù)據(jù)線金屬層之間】

圖9為示意性示出本實(shí)用新型第二實(shí)施例陣列基板像素結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖9所示，在像素AA’方向的截面圖，對(duì)應(yīng)的層次關(guān)系為：在玻璃、塑料等襯底基板111的上方分布掃描線101，在掃描線101的上方分布柵極絕緣層112，在柵極絕緣層112的上方分布半導(dǎo)體層102，在半導(dǎo)體層102的上方分布數(shù)據(jù)線(源極)103和漏極104，在數(shù)據(jù)線103的上方分布保護(hù)絕緣層113，在保護(hù)絕緣層113的上方分布厚膜絕緣層114，在厚膜絕緣層114的上方分布透明電極層106，在透明電極層106的上方分布隔離絕緣層115，在隔離絕緣層115的上方分布像素電極107，像素電極107通過(guò)貫穿隔離絕緣層115、厚膜絕緣層114和保護(hù)絕緣層113的接觸孔105與漏極104實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接。根據(jù)實(shí)際需要，可以省略保護(hù)絕緣層113。

結(jié)合圖3、圖9和圖10，像素電極與透明電極在像素四個(gè)邊上部分重疊形成的存儲(chǔ)電容Cs。因?yàn)橄袼仉姌O與透明電極都是透明導(dǎo)電薄膜，重疊部分的區(qū)域依然是透光區(qū)域，這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以提高像素的光利用效率。

第三實(shí)施例【透明電極層分布在像素電極與數(shù)據(jù)線金屬層之間】

第三實(shí)施例與第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)大致相同，不同之處在于透明電極層設(shè)置在保護(hù)絕緣層與厚膜絕緣層之間，具體地，圖11為示意性示出本實(shí)用新型第三實(shí)施例陣列基板像素結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖11所示，在像素AA’方向的截面圖，對(duì)應(yīng)的層次關(guān)系為：在玻璃、塑料等襯底基板111的上方分布掃描線101，在掃描線101的上方分布柵極絕緣層112，在柵極絕緣層112的上方分布半導(dǎo)體層102，在半導(dǎo)體層102的上方分布數(shù)據(jù)線(源極)103和漏極104，在數(shù)據(jù)線103的上方分布保護(hù)絕緣層113，在保護(hù)絕緣層113的上方分布透明電極層106，在透明電極層106的上方分布厚膜絕緣層114，在厚膜絕緣層114的上方分布像素電極107，像素電極107通過(guò)貫穿厚膜絕緣層114和保護(hù)絕緣層113的接觸孔 105與漏極104實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接。

本實(shí)用新型又一實(shí)施例還提供了一種陣列基板，包括：首先，如圖8A提供一透明基板，形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線101；在該第一金屬層的圖案上形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導(dǎo)體圖案，如半導(dǎo)體溝道圖案102；

接著，如圖8B所示，在該半導(dǎo)體圖案上，形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線103，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線103與該復(fù)數(shù)條掃描線101呈十字型交叉布置；還包括薄膜晶體管的源極、漏極104。

接著，如圖12A所示，在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，如覆蓋保護(hù)絕緣層和厚膜絕緣層，在該絕緣層上整面分布有透明電極106。

接著，如圖12B所示，在該透明電極上分布隔離絕緣層，覆蓋隔離絕緣層后刻蝕形成接觸孔105，然后再形成像素電極，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行?，形成?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該隔離絕緣層和該絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接。

其中，該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個(gè)開(kāi)口區(qū)域，該透明電極與該像素電極在與該陣列基板垂直的方向上存在交疊區(qū)域，該交疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。最后形成第二實(shí)施例所述的陣列基板。

第四實(shí)施例【透明電極層分布在數(shù)據(jù)線金屬層與掃描線金屬層之間】

圖13為示意性示出本實(shí)用新型第四實(shí)施例陣列基板像素結(jié)構(gòu)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖13所示，在像素AA’方向的截面圖，對(duì)應(yīng)的層次關(guān)系為：在玻璃、塑料等襯底基板111的上方分布掃描線101，在掃描線101的上方分布第一柵極絕緣層112a，在第一柵極絕緣層112a的上方分布透明電極層106，在透明電極層106的上方分布第二柵極絕緣層112b，在第二柵極絕緣層112b的上方分布半導(dǎo)體層102，在半導(dǎo)體層102的上方分布數(shù)據(jù)線(源極)103和漏極104，在數(shù)據(jù)線103的上方分布保護(hù)絕緣層113，在保護(hù)絕緣層113的上方分布厚膜絕緣層114，在厚膜絕緣層114的上方分布像素電極107，像素電極107通過(guò)貫穿厚膜絕緣層114和保護(hù)絕緣層113的接觸孔105與漏極104實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接。根據(jù)實(shí)際需要，可以省略保護(hù)絕緣層113。

結(jié)合圖3，圖13和圖14，像素電極與透明電極在像素四個(gè)邊上部分重疊形成的存儲(chǔ)電容Cs。因?yàn)橄袼仉姌O與透明電極都是透明導(dǎo)電薄膜，重疊部分的區(qū)域依然是透光區(qū)域，這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以提高像素的光利用效率。

本實(shí)用新型另一實(shí)施例還提供了一種陣列基板，包括：如圖15A所示，首先，提供一透明基板，形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線101；在該第一金屬層的圖案上形成第一柵極絕緣層，在該第一柵極絕緣層的上方整面分布有透明電極106；。

如圖15B所示，在該透明電極上形成第二柵極絕緣層，在該第二柵極絕緣層的上方形成半導(dǎo)體圖案，如半導(dǎo)體溝道圖案102。

如圖15C所示，在該半導(dǎo)體圖案上，形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線103，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線103與該復(fù)數(shù)條掃描線101呈十字型交叉布置；還包括薄膜晶體管的源極、漏極104。

如圖15D所示，在該第二層金屬薄膜圖案上分布厚膜絕緣層，如覆蓋保護(hù)絕緣層和厚膜絕緣層后，在漏極104的上方刻蝕形成接觸孔105。在該厚膜絕緣層上整面分布有像素電極，該像素電極覆蓋接觸孔105。

該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行?，形成?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該厚膜絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接；其中，該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個(gè)開(kāi)口區(qū)域，該透明電極與該像素電極在與該陣列基板垂直的方向上存在交疊區(qū)域，該交疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。最后形成第四實(shí)施例所述的陣列基板。

第五實(shí)施例【透明電極層分布在掃描線金屬層下方】

圖16A為示意性示出本實(shí)用新型第五實(shí)施例陣列基板側(cè)像素結(jié)構(gòu)平面示意圖；圖16B為示意性示出本實(shí)用新型圖16A中像素結(jié)構(gòu)沿BB’方向上的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖16A和16B所示，在像素BB’方向的截面圖，對(duì)應(yīng)的層次關(guān)系為：在玻璃、塑料等襯底基板111的上方分布透明電極106，在透明電極106的上方分布平坦絕緣層116，在平坦絕緣層116的上方分布掃描線101，在掃描線101的上方分布柵極絕緣層112，在柵極絕緣層112的上方分布半導(dǎo)體層102，在半導(dǎo)體層102的上方分布數(shù)據(jù)線(源極)103和漏極104，在數(shù)據(jù)線103的上 方分布保護(hù)絕緣層113，在保護(hù)絕緣層113的上方分布厚膜絕緣層114，在厚膜絕緣層114的上方分布像素電極107，像素電極107通過(guò)貫穿厚膜絕緣層114和保護(hù)絕緣層113的接觸孔105與漏極104實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接。根據(jù)實(shí)際需要，可以省略保護(hù)絕緣層113。

結(jié)合圖3，16A和16B和圖17，像素電極與透明電極在像素四個(gè)邊上部分重疊形成的存儲(chǔ)電容Cs。因?yàn)橄袼仉姌O與透明電極都是透明導(dǎo)電薄膜，重疊部分的區(qū)域依然是透光區(qū)域，這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以提高像素的光利用效率。

本實(shí)用新型再一實(shí)施例還提供了一種陣列基板，包括：首先，如圖18A所示，提供一透明基板，在該基板上整面布置有透明電極106，在透明電極106的上方形成平坦絕緣層；在平坦絕緣層的上方形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線101。

接著，如圖18B所示，在該第一金屬層的圖案上形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導(dǎo)體圖案，如半導(dǎo)體溝道102圖案。

接著，如圖18C所示，在該半導(dǎo)體圖案上，形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線103與該復(fù)數(shù)條掃描線101呈十字型交叉布置；還包括薄膜晶體管的源極、漏極104。

接著，如圖18D所示，在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，如保護(hù)絕緣層和厚膜絕緣層，連續(xù)覆蓋保護(hù)絕緣層和厚膜絕緣層后刻蝕形成接觸孔105，然后在該絕緣層上分布像素電極。

該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行?，形成?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該該絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接；其中，該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個(gè)開(kāi)口區(qū)域，該透明電極與該像素電極在與該陣列基板垂直的方向上存在交疊區(qū)域，該交疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。最后形成第五實(shí)施例所述的陣列基板。

圖19為示意性示出本實(shí)用新型液晶顯示裝置剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖19所示，本實(shí)用新型還提供了一種液晶顯示裝置，包括：上述各實(shí)施方式以及對(duì)應(yīng)各實(shí)施例的陣列基板100，對(duì)置基板200，以及夾設(shè)于該陣列基板100與該對(duì)置基板200之間的液晶功能層300。

圖20為示意性示出本實(shí)用新型液晶顯示裝置對(duì)置基板平面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖20所示，該液晶顯示器件采用的對(duì)置基板200，包括襯底基板211(圖中未示)、公共電極201、遮光圖案202、間隙子203。根據(jù)需要，可以省略遮光圖案202。在圖19中，在對(duì)置基板200與第一基板100之間為液晶功能層300，包括對(duì)置基板側(cè)配向膜303、液晶301、陣列基板側(cè)配向膜302。

圖19為示意性示出本實(shí)用新型液晶顯示裝置在工作狀態(tài)下剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖19所示，透明電極106與對(duì)置基板上的公共電極201，電位固定，不隨像素電壓的變化而變化。優(yōu)選地，透明電極與對(duì)置基板上的公共電極201的電位相等。在間隙S1和S2區(qū)域，由于透明電極與公共電極201之間的電位差為0，位于該區(qū)域的液晶分子排列狀態(tài)固定，不隨像素電壓的變化而變化，液晶分子的狀態(tài)可控。如圖21所示，即使在像素電極與公共電極201之間施加各種不同的電位，在間隙S1和S2區(qū)域的液晶分子，排列狀態(tài)都是固定的。

本實(shí)用新型提供各實(shí)施例方式以及各實(shí)施例提供的陣列基板和液晶顯示裝置，有以下優(yōu)點(diǎn)：

(1)金屬線少：只有掃描線與數(shù)據(jù)線兩條垂直正交的金屬線。金屬線少，金屬遮光與反光的影響就小。

(2)金屬線細(xì)：在掃描線、數(shù)據(jù)線與像素電極之間隔著保護(hù)層與厚膜層，像素之間的耦合電容小，金屬線可以做的很細(xì)。金屬線細(xì)，金屬遮光與反光的影響就小。

(3)對(duì)于使用UV²A(Ultraviolet induced multi-domain Vertical Alignment)技術(shù)的液晶顯示模式，掃描線與數(shù)據(jù)線就是液晶顯示疇與相鄰液晶顯示疇之間的分界線，顯示疇之間的黑紋直接分布在金屬線上方，不額外占用不透光的區(qū)域，像素的光利用效率高。

(4)對(duì)于使用常黑模式的VA顯示技術(shù)，在第一基板上的透明電極與對(duì)置基板上的公共電極之間的電位差設(shè)為0，在間隙S1和S2區(qū)域，液晶顯示穩(wěn)定的黑態(tài)，從而可以省略間隙S1和S2正上方的對(duì)置基板上的黑色矩陣。采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案，透明電極與像素電極之間的重疊面積充分，像素電極的電力線主要集中于像素電極與透明電極之間，散發(fā)到像素電極外側(cè)的電力線少，對(duì)間隙S1和S2區(qū)域的液晶的擾動(dòng)微弱，可以解決像素電極電壓(電力線)擾動(dòng)導(dǎo) 致的間隙S1和S2的漏光問(wèn)題。

(5)對(duì)于使用常白模式的VA顯示技術(shù)，在第一基板上的透明電極與對(duì)置基板上的公共電極之間的電位差設(shè)為6V，在間隙S1和S2區(qū)域，液晶顯示穩(wěn)定的黑態(tài)，從而可以省略間隙S1和S2正上方的對(duì)置基板上的黑色矩陣。采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案，透明電極與像素電極之間的重疊面積充分，像素電極的電力線主要集中于像素電極與透明電極之間，散發(fā)到像素電極外側(cè)的電力線少，對(duì)間隙S1和S2區(qū)域的液晶的擾動(dòng)微弱，可以解決像素電極電壓(電力線)擾動(dòng)導(dǎo)致的間隙S1和S2的漏光問(wèn)題。

以上詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本實(shí)用新型并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行多種等同變換，這些等同變換均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

另外需要說(shuō)明的是，在上述具體實(shí)施方式中所描述的各個(gè)具體技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過(guò)任何合適的方式進(jìn)行組合。為了避免不必要的重復(fù)，本實(shí)用新型對(duì)各種可能的組合方式不再另行說(shuō)明。