1.一種陣列基板，包括：
一基板，具有呈十字型交叉布置的復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和復(fù)數(shù)條掃描線；
主動(dòng)元件，設(shè)置在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線的十字型交叉區(qū)域；
像素電極，以各個(gè)該十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行男纬捎袕?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，且通過(guò)一接觸孔與該主動(dòng)元件電性連接；
透明電極，呈整面分布在該基板上，且該透明電極具有延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的開口區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：
該復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元之間設(shè)有間隔距離，該透明電極延伸至每一個(gè)該像素電極單元的各周邊區(qū)域內(nèi)形成在與該陣列基板垂直的方向上的重疊區(qū)域，該透明電極與該像素電極單元之間的重疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，
該透明電極分布在該像素電極的上方，或者分布在該像素電極與該數(shù)據(jù)線金屬層之間，或者分布在該數(shù)據(jù)線金屬層與該掃描線金屬層之間，或者分布在該掃描線金屬層下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，
該透明電極延伸至每一個(gè)該像素電極單元的各周邊區(qū)域內(nèi)的開口區(qū)域的邊界呈不規(guī)則的鋸齒狀圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，
該透明電極的材料采用錫摻雜三氧化銦、鋁摻雜氧化鋅、納米銀線、或者石墨烯。
6.一種陣列基板，包括：
提供一基板，設(shè)置第一金屬層薄膜圖案，該第一金屬層薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線；
在該第一金屬層的圖案上設(shè)置柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方設(shè)置半導(dǎo)體圖案；
在該半導(dǎo)體圖案上，設(shè)置第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置；還包括薄膜晶體管的源極、漏極；
在該第二層金屬薄膜圖案上分布厚膜絕緣層，在該厚膜絕緣層上整面分布有像素電極，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行?，設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該厚膜絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接；
在該像素電極上分布隔離絕緣層，在該隔離絕緣層上整面分布有透明電極；
其中，該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)開口區(qū)域，該透明電極與該像素電極在與該陣列基板垂直的方向上存在交疊區(qū)域，該交疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。
7.一種陣列基板，包括：
提供一基板，設(shè)置第一金屬層薄膜圖案，該第一金屬層薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線；
在該第一金屬層的圖案上設(shè)置柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方設(shè)置半導(dǎo)體圖案；
在該半導(dǎo)體圖案上，設(shè)置第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置；還包括薄膜晶體管的源極、漏極；
在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，在該絕緣層上整面分布有透明電極；
在該透明電極上分布隔離絕緣層，在該隔離絕緣層上分布像素電極，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行模O(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該隔離絕緣層和該絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接；
其中，該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)開口區(qū)域，該透明電極與該像素電極在與該陣列基板垂直的方向上存在交疊區(qū)域，該交疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。
8.一種陣列基板，包括：
提供一基板，設(shè)置第一金屬層薄膜圖案，該第一金屬層薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線；
在該第一金屬層的圖案上設(shè)置第一柵極絕緣層，在該第一柵極絕緣層的上方整面分布有透明電極；
在該透明電極上設(shè)置第二柵極絕緣層，在該第二柵極絕緣層的上方設(shè)置半導(dǎo)體圖案；
在該半導(dǎo)體圖案上，設(shè)置第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置；還包括薄膜晶體管的源極、漏極；
在該第二層金屬薄膜圖案上分布厚膜絕緣層，在該厚膜絕緣層上整面分布有像素電極，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行?，設(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該厚膜絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接；
其中，該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)開口區(qū)域，該透明電極與該像素電極在與該陣列基板垂直的方向上存在交疊區(qū)域，該交疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。
9.一種陣列基板，包括：
提供一基板，在該基板上整面布置有透明電極，在透明電極的上方設(shè)置平坦絕緣層；
在平坦絕緣層的上方設(shè)置第一金屬層薄膜圖案，該第一金屬層薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線；
在該第一金屬層的圖案上設(shè)置柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方設(shè)置半導(dǎo)體圖案；
在該半導(dǎo)體圖案上，設(shè)置第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置；還包括薄膜晶體管的源極、漏極；
在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，在該絕緣層上分布像素電極，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行模O(shè)置復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過(guò)貫穿該絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接；
其中，該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有復(fù)數(shù)個(gè)開口區(qū)域，該透明電極與該像素電極在與該陣列基板垂直的方向上存在交疊區(qū)域，該交疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。
10.一種液晶顯示裝置，包括：
如權(quán)利要求1-9所述的陣列基板；
對(duì)置基板，與該陣列基板相對(duì)設(shè)置；
液晶層，夾置在該陣列基板與該對(duì)置基板之間；
還包括公共電極，呈面電極圖案分布在該對(duì)置基板上；
其中，該公共電極層與該透明電極同時(shí)施加相同電位電壓。