本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種彩膜基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著科技的不斷進(jìn)步，用戶對(duì)液晶顯示設(shè)備的需求日益增加，LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)也成為了手機(jī)、平板電腦、電視等產(chǎn)品中使用的主流顯示器。

如圖1a所示，現(xiàn)有的液晶顯示器包括背光源10、陣列基板20、彩膜基板30以及封裝在陣列基板20和彩膜基板30之間的液晶分子層40，其中彩膜基板30包括設(shè)置于襯底基板31上的黑矩陣(black matrix，BM)32，現(xiàn)有技術(shù)中，雖然黑矩陣32的材料為絕緣材料，但是仍具有一定的導(dǎo)電性，從而使得在生產(chǎn)和應(yīng)用過程中靜電荷會(huì)從襯底基板31的邊緣沿著黑矩陣32進(jìn)入并分布在彩膜基板10中，進(jìn)而導(dǎo)致該液晶顯示器顯示畫面出現(xiàn)異常。

為了解決上述技術(shù)問題，如圖1b所示，可以采用在黑矩陣32的邊緣設(shè)置凹槽321，從而使得靜電荷無法穿過該凹槽321進(jìn)入彩膜基板30的內(nèi)部。然而在該凹槽321的位置，上述液晶顯示器的背光源10發(fā)出的光線容易透過該區(qū)域，從而導(dǎo)致該液晶顯示器在邊緣位置出現(xiàn)漏光的風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種彩膜基板及顯示裝置，能夠在防止靜電沿黑矩陣進(jìn)入并分布在彩膜基板中的同時(shí)，避免漏光現(xiàn)象發(fā)生。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

本實(shí)用新型一方面提供一種彩膜基板，包括設(shè)置于襯底基板上的濾色單元和黑矩陣，所述彩膜基板分為顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域由所有所述濾色單元以及所述黑矩陣中位于所述濾色單元之間的部分界定而成，所述黑矩陣位于所述非顯示區(qū)域的部分上具有包圍所述顯示區(qū)域的黑矩陣去除區(qū)；所述彩膜基板還包括：保護(hù)層和位于所述非顯示區(qū)域內(nèi)的遮光層，所述黑矩陣和所述遮光層分別位于所述保護(hù)層的兩側(cè)，且所述黑矩陣去除區(qū)在所述襯底基板的投影位于所述遮光層在所述襯底基板的投影內(nèi)。

進(jìn)一步的，所述遮光層至少跨過所述黑矩陣去除區(qū)的內(nèi)邊界線、與所述黑矩陣位于所述非顯示區(qū)域的部分具有重疊區(qū)域。

進(jìn)一步的，所述黑矩陣去除區(qū)為開槽結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述黑矩陣去除區(qū)為：以所述襯底基板邊緣作為外邊界線的環(huán)形區(qū)域。

進(jìn)一步的，所述保護(hù)層包覆所述黑矩陣。

進(jìn)一步的，所述環(huán)形區(qū)域的寬度大于或等于200μm。

進(jìn)一步的，所述遮光層的電阻率大于所述黑矩陣的電阻率。

進(jìn)一步的，構(gòu)成所述保護(hù)層的材料為無機(jī)材料。

本實(shí)用新型實(shí)施例另一方面還提供一種顯示裝置，包括上述的彩膜基板。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種彩膜基板及顯示裝置，該彩膜基板包括設(shè)置于襯底基板上的濾色單元和黑矩陣，彩膜基板分為顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，顯示區(qū)域由所有濾色單元以及黑矩陣中位于濾色單元之間的部分界定而成，黑矩陣位于非顯示區(qū)域的部分上具有包圍顯示區(qū)域的黑矩陣去除區(qū)。該彩膜基板還包括：保護(hù)層和位于非顯示區(qū)域內(nèi)的遮光層，黑矩陣和遮光層分別位于保護(hù)層的兩側(cè)，且黑矩陣去除區(qū)在襯底基板的投影位于遮光層在襯底基板的投影內(nèi)。

上述彩膜基板由所有濾色單元以及濾色單元之間的黑矩陣界定的顯示區(qū)域，以及包圍該顯示區(qū)域的非顯示區(qū)組成，其中通過在黑矩陣位于非顯示區(qū)域設(shè)置包圍顯示區(qū)域的黑矩陣去除區(qū)，由于靜電荷無法穿過該黑矩陣去除區(qū)，從而能夠防止靜電進(jìn)入并分布在彩膜基板的顯示區(qū)域。在此基礎(chǔ)上，通過在非顯示區(qū)域內(nèi)，在對(duì)應(yīng)黑矩陣去除區(qū)背離保護(hù)層的一側(cè)設(shè)置遮光層，由于遮光層對(duì)光線具有遮擋作用，這樣一來，入射光線在遮光層的遮擋下，無法透過彩膜基板對(duì)應(yīng)黑矩陣去除區(qū)的位置，進(jìn)而能夠在防止靜電沿黑矩陣進(jìn)入并分布在彩膜基板中的同時(shí)，避免漏光現(xiàn)象的發(fā)生。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1a為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b為現(xiàn)有技術(shù)提供的另一種液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2a為本實(shí)用新型提供的一種彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b為圖2a的彩膜基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型提供的另一種彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4a為本實(shí)用新型提供的又一種彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4b圖4a中位置P處的局部放大圖；

圖5a為本實(shí)用新型提供的再一種彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5b為圖5a的彩膜基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本實(shí)用新型提供的另一種彩膜基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本實(shí)用新型提供的一種液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本實(shí)用新型提供的一種彩膜基板的制備流程圖；

圖9a為本實(shí)用新型提供的一種制備彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖9b為本實(shí)用新型提供的一種制備彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖9c為本實(shí)用新型提供的一種制備彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖9d為本實(shí)用新型提供的一種制備彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一。

附圖標(biāo)記：

10-背光源；20-陣列基板；30-彩膜基板；31-襯底基板；32-黑矩陣；321-凹槽；33-濾色單元；331-開口；40-液晶分子層；100-黑矩陣去除區(qū)；200-保護(hù)層；300-遮光層；A-顯示區(qū)域；B-非顯示區(qū)域；D-重疊區(qū)域。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

如圖2a所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種彩膜基板30，包括設(shè)置于襯底基板31上的黑矩陣32和濾色單元33，彩膜基板30分為顯示區(qū)域A和非顯示區(qū)域B，如圖2b所示，顯示區(qū)域A由所有濾色單元33以及黑矩陣32中位于濾色單元33之間的部分界定而成，非顯示區(qū)域B包圍顯示區(qū)域A，黑矩陣32位于非顯示區(qū)域B的部分上具有包圍顯示區(qū)域A的黑矩陣去除區(qū)100。其中，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解：一般黑矩陣32上具有點(diǎn)陣排布的開口，該開口用于透光。彩膜基板30上的彩色膜層(例如紅色樹脂層、綠色樹脂層、藍(lán)色樹脂層)要覆蓋在該開口上，以實(shí)現(xiàn)該開口位置處的濾光作用。本實(shí)施例中將彩色膜層中，位于每個(gè)開口位置處的部分稱為一個(gè)濾色單元33；相應(yīng)的，雖然彩色膜層除了覆蓋開口區(qū)域，還可能部分覆蓋在黑矩陣32上(例如對(duì)應(yīng)與一排亞像素點(diǎn)的條形彩色圖案)，但是覆蓋在黑矩陣32上的部分不屬于這里的濾色單元33。

為了避免在黑矩陣去除區(qū)100的位置出現(xiàn)漏光現(xiàn)象，如圖2a所示，彩膜基板30還包括：保護(hù)層(Over Coating，OC)200和位于非顯示區(qū)域B內(nèi)的遮光層300，黑矩陣32和遮光層300分別位于保護(hù)層200的兩側(cè)，且黑矩陣去除區(qū)100在襯底基板31的投影位于遮光層300在襯底基板31的投影內(nèi)。

此處需要說明的是，上述黑矩陣去除區(qū)100中的黑矩陣32需要完全被去除，以使得靜電荷不能穿過該黑矩陣去除區(qū)100，從而起到防止靜電沿黑矩陣32進(jìn)入并分布與彩膜基板30中的目的。

上述彩膜基板由所有濾色單元以及濾色單元之間的黑矩陣界定顯示區(qū)域，以及包圍該顯示區(qū)域的非顯示區(qū)組成，其中通過在黑矩陣位于非顯示區(qū)域設(shè)置包圍顯示區(qū)域的黑矩陣去除區(qū)，由于靜電無法穿過該黑矩陣去除區(qū)，從而能夠防止靜電進(jìn)入并分布在彩膜基板的顯示區(qū)域。在此基礎(chǔ)上，通過在非顯示區(qū)域內(nèi)，在對(duì)應(yīng)黑矩陣去除區(qū)背離保護(hù)層的一側(cè)設(shè)置遮光層，由于遮光層對(duì)光線具有遮擋作用，這樣一來，入射光線在遮光層的遮擋下，無法透過彩膜基板對(duì)應(yīng)黑矩陣去除區(qū)的位置，進(jìn)而能夠在防止靜電沿黑矩陣進(jìn)入并分布在彩膜基板中的同時(shí)，避免漏光現(xiàn)象的發(fā)生。

此處還需要說明的是，上述黑矩陣32和遮光層300分別位于保護(hù)層200的兩側(cè)是指，例如，可以如圖3所示，遮光層300位于保護(hù)層200靠近襯底基板31的一側(cè)，黑矩陣32位于保護(hù)層200背離襯底基板31的一側(cè)，在此情況下，當(dāng)光線沿O-O’方向入射至該彩膜基板30時(shí)，即使光線能夠透過黑矩陣去除區(qū)100，也無法透過黑矩陣去除區(qū)100對(duì)應(yīng)位置處的遮光層300，從而使得光線無法透過彩膜基板30對(duì)應(yīng)黑矩陣去除區(qū)100的位置。

又例如，也可以如圖2a所示，遮光層300位于保護(hù)層200背離襯底基板31的一側(cè)，黑矩陣32位于保護(hù)層200靠近襯底基板31的一側(cè)，在此情況下，當(dāng)光線沿O-O’方向入射至該彩膜基板30時(shí)，在遮光層300的遮擋作用下，入射光線無法透過黑矩陣去除區(qū)100，即光線無法透過彩膜基板30對(duì)應(yīng)黑矩陣去除區(qū)100的位置。以下均是以圖2a中，黑矩陣32位于保護(hù)層200靠近襯底基板31的一側(cè)，遮光層300位于保護(hù)層200背離襯底基板31的一側(cè)為例，對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的解釋說明。

在此基礎(chǔ)上，上述遮光層300主要是用于遮光，本實(shí)用新型對(duì)構(gòu)成該遮光層300的材料不做限定，可以為黑矩陣材料，也可以為其他不透光的材料。但是為了進(jìn)一步有效的防止靜電荷通過遮光層300進(jìn)入彩膜基板30中，本實(shí)用新型優(yōu)選的該遮光層300的電阻率大于黑矩陣32的電阻率。

另外，構(gòu)成彩膜基板30中的保護(hù)層200的材料可以為無機(jī)材料也可以為有機(jī)材料。本實(shí)用新型中優(yōu)選的，保護(hù)層200采用介電常數(shù)較大的無機(jī)材料構(gòu)成，例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。由于該保護(hù)層200的介電常數(shù)較大，因此即使在黑矩陣32上聚集一定的靜電荷，在該高介電常數(shù)的保護(hù)層200的作用下，能夠減小該靜電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)，這樣一來，當(dāng)該彩膜基板30應(yīng)用于顯示產(chǎn)品中時(shí)，能夠降低顯示畫面出現(xiàn)異常的幾率。此外，本實(shí)用新型中，保護(hù)層200背離襯底基板31的一側(cè)可以為平整狀態(tài)，此時(shí)該保護(hù)層200可以作為平坦層。

在此基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型中的保護(hù)層200可以與襯底基板31齊邊，也可以不齊邊，本實(shí)用新型對(duì)此不做限定。另外，本實(shí)用新型優(yōu)選的，如圖2a所示，采用保護(hù)層200包覆黑矩陣32的形式，使得黑矩陣32通過保護(hù)層200完全與外界隔離，由于保護(hù)層200的絕緣性，從而能夠進(jìn)一步有效的阻擋靜電荷進(jìn)入彩膜基板30中。

以下對(duì)上述黑矩陣去除區(qū)100在襯底基板31的投影位于遮光層300在襯底基板31的投影內(nèi)，做進(jìn)一步的解釋說明。

例如，可以如圖2a所示，黑矩陣去除區(qū)100在襯底基板31的投影與遮光層300在襯底基板31的投影完全重合，均為S。

又例如，可以如圖4a所示，黑矩陣去除區(qū)100在襯底基板31的投影S與遮光層300在襯底基板31的投影S’不完全重合，遮光層300至少跨過黑矩陣去除區(qū)100的內(nèi)邊界線L、與黑矩陣32位于非顯示區(qū)域B的部分具有重疊區(qū)域D。

需要說明的是，對(duì)于準(zhǔn)直入射光線而言，上述圖2a和圖4a中黑矩陣去除區(qū)100與遮光層300的設(shè)置方式均能很好的起到遮光效果，能夠在防止靜電沿黑矩陣32進(jìn)入并分布在彩膜基板30中的同時(shí)，避免漏光現(xiàn)象的發(fā)生。

而對(duì)于非準(zhǔn)直入射光線而言，如圖2a所示，由于保護(hù)層200自身具有一定的厚度，從而使得側(cè)入式光線E能夠通過保護(hù)層100入射至黑矩陣去除區(qū)100，進(jìn)而出現(xiàn)漏光的風(fēng)險(xiǎn)。因此，對(duì)于非準(zhǔn)直入射光線，本實(shí)用新型優(yōu)選的采用圖4a中黑矩陣去除區(qū)100與遮光層300的設(shè)置方式，通過將遮光層300與黑矩陣32位于非顯示區(qū)域B的部分具有重疊區(qū)域D，以避免側(cè)入式光線E透過保護(hù)層100入射至黑矩陣去除區(qū)100，進(jìn)而能夠有效的防止漏光現(xiàn)象發(fā)生。

在此基礎(chǔ)上，上述重疊區(qū)域D的寬度隨著保護(hù)層100厚度的增加而增加。具體的，如圖4b所示(圖4a在位置P處的局部放大圖)，在側(cè)入式光線E在傾斜角α一定的情況下，當(dāng)保護(hù)層100厚度為H1時(shí)，重疊區(qū)域的寬度為D1；當(dāng)保護(hù)層100厚度從H1增加到H2時(shí)，重疊區(qū)域的寬度從D1增加到D2。例如，當(dāng)保護(hù)層100厚度減小到1μm時(shí)，重疊區(qū)域的寬度減小到20μm；當(dāng)保護(hù)層100厚度為2μm時(shí)，重疊區(qū)域的寬度為50μm。

另外，以下對(duì)黑矩陣去除區(qū)100的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。

例如，如圖5a所示，該黑矩陣去除區(qū)100可以為開槽結(jié)構(gòu)，如圖5b(圖5a的平面示意圖)所示，其中黑矩陣32未示出，該開槽結(jié)構(gòu)包圍顯示區(qū)域A，由于靜電荷不能穿過該開槽結(jié)構(gòu)，從而能夠避免靜電荷進(jìn)入并分布與彩膜基板30的顯示區(qū)域A中。本實(shí)用新型對(duì)該開槽結(jié)構(gòu)的個(gè)數(shù)不做限定，可以為一個(gè)也可以為多個(gè)。

又例如，如圖6所示，其中黑矩陣32未示出，該黑矩陣去除區(qū)100還可以為，以襯底基板31邊緣作為外邊界線的環(huán)形區(qū)域Q，如圖4a(圖6的側(cè)面示意圖)所示，由于黑矩陣去除區(qū)100直接設(shè)置在襯底基板31的外邊緣，從而使得外界的靜電荷無法通過該黑矩陣去除區(qū)100進(jìn)入彩膜基板30。

在此基礎(chǔ)上，當(dāng)上述黑矩陣去除區(qū)100為，以襯底基板31邊緣作為外邊界線的環(huán)形區(qū)域Q的寬度小于200μm時(shí)，可能導(dǎo)致外界的不規(guī)則物體，例如手指等，會(huì)穿過黑矩陣去除區(qū)100與黑矩陣32接觸，從而不能有效的防止靜電荷進(jìn)入彩膜基板30中，因此，本實(shí)用新型優(yōu)選的，該環(huán)形區(qū)域的寬度大于或等于200μm，以有效的防止外界靜電荷進(jìn)入彩膜基板31。

另外，在上述開槽結(jié)構(gòu)的寬度與環(huán)形區(qū)域Q的寬度相當(dāng)?shù)那疤嵯?，如圖5a所示，在襯底基板31邊緣和開槽結(jié)構(gòu)之間還包括黑矩陣32，而如圖4a或圖6所示，環(huán)形區(qū)域Q直接設(shè)置在襯底基板31邊緣，相比于前述開槽結(jié)構(gòu)而言，環(huán)形區(qū)域Q的黑矩陣去除區(qū)100省去了襯底基板31邊緣和開槽結(jié)構(gòu)之間的黑矩陣32，從而使得該黑矩陣去除區(qū)100緊鄰襯底基板31邊緣，進(jìn)而可以減小非顯示區(qū)域B的寬度，這樣一來，當(dāng)該彩膜基板30應(yīng)用于顯示產(chǎn)品中時(shí)，利于該顯示產(chǎn)品的窄邊框設(shè)計(jì)。

本實(shí)用新型實(shí)施例另一方面還提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述任一種彩膜基板，具有與前述實(shí)施例提供的彩膜基板相同的結(jié)構(gòu)和有益效果。由于前述實(shí)施例已經(jīng)對(duì)該彩膜基板的結(jié)構(gòu)和有益效果進(jìn)行了詳細(xì)的描述，此處不再贅述。

需要說明的是，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，顯示裝置是液晶電視、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦、液晶顯示器等任何具有顯示功能的產(chǎn)品，也可以是顯示產(chǎn)品中的部件，例如，如圖7所示的液晶顯示面板等。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種彩膜基板的制備方法，其中，該彩膜基板30包括設(shè)置于襯底基板31上的濾色單元33和黑矩陣32，且該彩膜基板30分為顯示區(qū)域A和非顯示區(qū)域B，顯示區(qū)域A由所有濾色單元33以及黑矩陣32中位于濾色單元33之間的部分界定而成，如圖8所示，該制備方法包括：

步驟S101、如圖9a所示，在襯底基板31上形成黑矩陣層，通過構(gòu)圖工藝形成黑矩陣去除區(qū)100以及預(yù)形成濾色單元33位置的開口331，其中，黑矩陣去除區(qū)100設(shè)置于黑矩陣32位于非顯示區(qū)域B的部分上，并包圍顯示區(qū)域A。

此處需要說明的是，本實(shí)用新型中，構(gòu)圖工藝，可指包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時(shí)還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝?？筛鶕?jù)本實(shí)用新型中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。

步驟S102、如圖9b所示，在形成有黑矩陣去除區(qū)100以及預(yù)形成濾色單元33位置的開口331的襯底基板31上形成濾色單元33。

需要說明的是，常用的濾色單元33一般為紅色濾色單元R、綠色濾色單元G、藍(lán)色濾色單元B。其中紅色濾色單元R、綠色濾色單元G、藍(lán)色濾色單元B可以通過不同的構(gòu)圖工藝形成，例如，可以先通過一次構(gòu)圖工藝先形成紅色濾色單元R，再通過一次構(gòu)圖工藝形成綠色濾色單元G，接著通過一次構(gòu)圖工藝形成藍(lán)色濾色單元B。

步驟S103、如圖9c所示，在形成有濾色單元33的襯底基板31上形成保護(hù)層200，并包覆黑矩陣32。

具體的，采用保護(hù)層200包覆黑矩陣32的形式，使得黑矩陣32通過保護(hù)層200完全與外界隔離，由于保護(hù)層200的絕緣性，從而能夠進(jìn)一步有效的阻擋靜電荷進(jìn)入彩膜基板30中。

另外，該保護(hù)層200的材料可以采用介電常數(shù)較大的無機(jī)材料構(gòu)成，例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。在該高介電常數(shù)的保護(hù)層200的作用下，能夠減小該靜電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)，這樣一來，當(dāng)該彩膜基板30應(yīng)用于顯示產(chǎn)品中時(shí)，能夠降低顯示畫面出現(xiàn)異常的幾率。

步驟104、如圖9d所示，在形成有保護(hù)層200的襯底基板31上形成遮光層300，且黑矩陣去除區(qū)100在襯底基板31的投影位于遮光層300在襯底基板31的投影內(nèi)。

需要說明的是，為了進(jìn)一步有效的防止靜電荷通過遮光層300進(jìn)入彩膜基板30中，本實(shí)用新型優(yōu)選的構(gòu)成該遮光層300的材料電阻率大于所述黑矩陣32的材料的電阻率。另外，由于本實(shí)用新型中對(duì)形成的遮光層300的精度要求較低，只要能夠保證黑矩陣去除區(qū)100在襯底基板31的投影位于遮光層300在襯底基板31的投影內(nèi)即可，因此，可以采用噴墨打印、絲網(wǎng)印刷工藝形成該遮光層300。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供另一種彩膜基板的制備方法，如圖3所示，先在襯底基板31上形成遮光層300，接下來形成保護(hù)層200，然后形成黑矩陣32以及黑矩陣去除區(qū)100，最后形成濾色單元33。該制備方法與上述圖9中彩膜基板30中區(qū)域的劃分、遮光層300和黑矩陣去除區(qū)100的位置以及對(duì)應(yīng)關(guān)系相同，僅在制備步驟僅在先后順序上具有調(diào)整，此處不再贅述。

以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。