本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的薄膜晶體管陣列基板一般包括有數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線的至少一部分設(shè)置在所述薄膜晶體管陣列基板的扇出區(qū)中，由于所述扇出區(qū)的空間有限，因此，為了將所述數(shù)據(jù)線有序地設(shè)置在所述扇出區(qū)中，需要將一部分?jǐn)?shù)據(jù)線的長度設(shè)置得比另一部分的數(shù)據(jù)線的長度要長，由于不同的數(shù)據(jù)線的長度不同，因此，不同的數(shù)據(jù)線的電阻值不同，較短的數(shù)據(jù)線的電阻值較小，較長的數(shù)據(jù)線的電阻值較大，這導(dǎo)致了不同長度的數(shù)據(jù)線所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號的電流強度不同，相應(yīng)地，不同長度的數(shù)據(jù)線所對應(yīng)的像素列所顯示的圖像的亮度不同，此時，包括所述薄膜晶體管陣列基板的顯示面板所顯示的圖像會出現(xiàn)垂直的黑白相間的帶狀光條。

故，有必要提出一種新的技術(shù)方案，以解決上述技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板及顯示面板，其能避免所顯示的圖像出現(xiàn)亮度不一致的帶狀光條。

為解決上述問題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括：多個扇出區(qū)，所述扇出區(qū)位于所述薄膜晶體管陣列基板的非顯示區(qū)，所述薄膜晶體管陣列基板的顯示區(qū)對應(yīng)所述多個扇出區(qū)分為多個子顯示區(qū)，所述子顯示區(qū)與所述扇出區(qū)一一對應(yīng)分布；多條掃描線，所述掃描線沿第一方向延伸；多個數(shù)據(jù)線組合，每一所述數(shù)據(jù)線組合內(nèi)包括多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線沿第二方向延伸，所述第一方向與所述第二方向垂直；多個公共線組合，所述公共線組合包括多條與所述數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置的公共線，所述公共線與所述數(shù)據(jù)線的重疊區(qū)域形成寄生電容；多個連接線組合，每一所述連接線組合位于一所述扇出區(qū)內(nèi)，所述連接線組合包括多條與所述數(shù)據(jù)線連接的連接線；與具有較大電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和對應(yīng)的所述公共線形成的所述寄生電容的電容值小于與具有較小電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和對應(yīng)的所述公共線形成的所述寄生電容的電容值。

在上述薄膜晶體管陣列基板中，所述連接線的電阻值自所述扇出區(qū)的中部區(qū)域向所述扇出區(qū)的兩側(cè)區(qū)域逐漸增大；位于所述扇出區(qū)的中部區(qū)域的所述連接線與位于所述子顯示區(qū)的中部區(qū)域的所述數(shù)據(jù)線連接，位于所述扇出區(qū)的兩側(cè)區(qū)域的所述連接線與位于所述子顯示區(qū)的兩側(cè)區(qū)域的所述數(shù)據(jù)線連接；所述數(shù)據(jù)線組合與所述公共線組合所構(gòu)成的多個所述寄生電容的電容值自所述子顯示區(qū)的中部區(qū)域向所述子顯示區(qū)的兩側(cè)區(qū)域逐漸減小。

在上述薄膜晶體管陣列基板中，所述公共線包括：一第一子線，所述第一子線與所述數(shù)據(jù)線平行；至少一第二子線，所述第二子線與所述掃描線平行；其中，所述第二子線與所述掃描線均是由第一金屬層形成的，所述第一子線與所述數(shù)據(jù)線均是由第二金屬層形成的，所述第一子線與所述第二子線通過過孔連接，所述過孔貫穿設(shè)置于所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線之間的絕緣層；所述寄生電容由所述數(shù)據(jù)線與所述公共線的所述第二子線構(gòu)成。

在上述薄膜晶體管陣列基板中，所述連接線組合至少包括一第一連接線、一第二連接線、一第三連接線，所述數(shù)據(jù)線組合至少包括一第一數(shù)據(jù)線、一第二數(shù)據(jù)線、一第三數(shù)據(jù)線，所述公共線組合至少包括一第一公共線、一第二公共線、一第三公共線；所述第一連接線位于所述扇出區(qū)的中部區(qū)域，所述第二連接線和所述第三連接線分別位于所述扇出區(qū)的兩側(cè)區(qū)域；所述第一數(shù)據(jù)線和所述第一公共線均位于所述子顯示區(qū)的中部區(qū)域，所述第二數(shù)據(jù)線和所述第二公共線均位于所述子顯示區(qū)的一側(cè)，所述第三數(shù)據(jù)線和所述第三公共線均位于所述子顯示區(qū)的另一側(cè)；所述第一數(shù)據(jù)線與所述第一連接線連接，所述第二數(shù)據(jù)線與所述第二連接線連接，所述第三數(shù)據(jù)線與所述第三連接線連接；所述第一公共線與所述第一數(shù)據(jù)線所構(gòu)成的第一寄生電容的第一電容值與所述第一連接線的第一電阻值匹配，所述第二公共線與所述第二數(shù)據(jù)線所構(gòu)成的第二寄生電容的第二電容值與所述第二連接線的第二電阻值匹配，所述第三公共線與所述第三數(shù)據(jù)線所構(gòu)成的第三寄生電容的第三電容值與所述第三連接線的第三電阻值匹配。

在上述薄膜晶體管陣列基板中，位于所述扇出區(qū)的中部區(qū)域的所述連接線的電阻值小于位于所述扇出區(qū)的兩側(cè)區(qū)域的所述連接線的電阻值，位于所述子顯示區(qū)的中部區(qū)域的所述寄生電容的電容值大于位于所述子顯示區(qū)的兩側(cè)區(qū)域的所述寄生電容的電容值。

在上述薄膜晶體管陣列基板中，所述連接線的電阻值自所述扇出區(qū)的中部區(qū)域向所述扇出區(qū)的兩側(cè)區(qū)域逐漸增大；與所述連接線對應(yīng)連接的所述數(shù)據(jù)線與所述公共線的重疊面積自所述子顯示區(qū)的中部區(qū)域向所述子顯示區(qū)的兩側(cè)區(qū)域減小。

在上述薄膜晶體管陣列基板中，所述連接線的電阻值自所述扇出區(qū)的中部區(qū)域向所述扇出區(qū)的兩側(cè)區(qū)域逐漸增大；與所述連接線對應(yīng)連接的所述數(shù)據(jù)線與所述公共線之間的絕緣層厚度自所述子顯示區(qū)的中部區(qū)域向所述子顯示區(qū)的兩側(cè)區(qū)域逐漸增大。

在上述薄膜晶體管陣列基板中，在一所述子顯示區(qū)內(nèi)，與具有較大電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和所述公共線之間的重疊面積小于與具有較小電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和所述公共線之間的重疊面積；或在一所述子顯示區(qū)內(nèi)，與具有較大電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和所述公共線之間的絕緣層厚度大于與具有較小電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和所述公共線之間的絕緣層的厚度。

在上述薄膜晶體管陣列基板中，在所述子顯示區(qū)內(nèi)，與具有較大阻值的連接線相連接的所述寄生電容的電容值較小，以確保所述多條數(shù)據(jù)線所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號的電流強度均處于預(yù)定范圍內(nèi)。

一種顯示面板，所述顯示面板包括上述薄膜晶體管陣列基板。

相對現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明能避免所顯示的圖像出現(xiàn)亮度不一致的帶狀光條。

為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。

【附圖說明】

圖1為本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的示意圖；

圖2為圖1中區(qū)域A的示意圖；

圖3為圖1或圖2中的扇出區(qū)的連接線的電阻值與子顯示區(qū)的寄生電容的電容值的關(guān)系的示意圖；

圖4為圖1或圖2中的位于子顯示區(qū)的中部區(qū)域與兩側(cè)區(qū)域的數(shù)據(jù)線、公共線、像素單元中的信號的波形圖。

【具體實施方式】

本說明書所使用的詞語“實施例”意指實例、示例或例證。此外，本說明書和所附權(quán)利要求中所使用的冠詞“一”一般地可以被解釋為“一個或多個”，除非另外指定或從上下文可以清楚確定單數(shù)形式。

本發(fā)明的顯示面板可以是TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示面板)。

所述顯示面板包括薄膜晶體管陣列基板、液晶層和彩膜基板，所述液晶層設(shè)置在所述薄膜晶體管陣列基板和所述彩膜基板之間。

參考圖1、圖2、圖3和圖4，圖1為本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的示意圖，圖2為圖1中區(qū)域A的示意圖，圖3為圖1或圖2中的扇出區(qū)103的連接線(206，207，208，209，210)的電阻值與子顯示區(qū)1021的寄生電容(307，308，309)的電容值的關(guān)系的示意圖，圖4為圖1或圖2中的位于子顯示區(qū)1021的中部區(qū)域10211與兩側(cè)區(qū)域(10212，10213，10214，10215)的數(shù)據(jù)線(201，202，203，204，205)、公共線、像素單元311中的信號的波形圖。

所述薄膜晶體管陣列基板包括一基板101、至少兩掃描線310、至少一數(shù)據(jù)線組合、至少一公共線組合、至少六像素單元311以及至少一連接線組合。所述連接線組合與所述數(shù)據(jù)線組合對應(yīng)。

所述薄膜晶體管陣列基板包括一顯示區(qū)102和至少一扇出區(qū)103，所述顯示區(qū)102包括至少一子顯示區(qū)1021，所述扇出區(qū)103位于所述顯示區(qū)102的一側(cè)，即，所述扇出區(qū)103位于所述薄膜晶體管陣列基板的非顯示區(qū)，所述非顯示區(qū)位于所述顯示區(qū)102的外圍。所述子顯示區(qū)與所述扇出區(qū)一一對應(yīng)分布。所述掃描線310所對應(yīng)的直線與第一方向313平行，即，所述掃描線310沿第一方向313延伸。所述數(shù)據(jù)線組合包括至少三數(shù)據(jù)線(201，202，203，204，205)，所述數(shù)據(jù)線(201，202，203，204，205)所對應(yīng)的直線與垂直于所述第一方向313的第二方向314平行，即，所述數(shù)據(jù)線(201，202，203，204，205)沿所述第二方向314延伸。所述公共線組合包括至少三公共線，所述公共線所對應(yīng)的直線與所述第二方向314平行，所述公共線與所述數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置。

所述連接線組合包括至少三連接線(206，207，208，209，210)，所述連接線(206，207，208，209，210)與所述數(shù)據(jù)線(201，202，203，204，205)連接，所述連接線(206，207，208，209，210)還與數(shù)據(jù)驅(qū)動電路104連接。所述掃描線310設(shè)置于所述顯示區(qū)102中，所述數(shù)據(jù)線組合和所述公共線組合設(shè)置于所述子顯示區(qū)1021中，所述連接線組合設(shè)置于所述扇出區(qū)103中，位于所述扇出區(qū)103的中部區(qū)域的所述連接線206的電阻值小于位于所述扇出區(qū)103的兩側(cè)區(qū)域的所述連接線(207，208，209，210)的電阻值，所述公共線與所述數(shù)據(jù)線(201，202，203，204，205)構(gòu)成寄生電容(307，308，309)，即，所述公共線與所述數(shù)據(jù)線(201，202，203，204，205)的重疊區(qū)域形成寄生電容(307，308，309)，位于所述子顯示區(qū)1021的中部區(qū)域10211的所述寄生電容307的電容值小于位于所述子顯示區(qū)1021的兩側(cè)區(qū)域(10212，10213，10214，10215)的所述寄生電容(308，309)的電容值。

具體地，所述扇出區(qū)103中的所有所述連接線(206，207，208，209，210)的材質(zhì)均相同，所述扇出區(qū)103中的所有所述連接線(206，207，208，209，210)的橫截面的面積均相同，所述扇出區(qū)103中的所述連接線(206，207，208，209，210)的電阻值與所述連接線(206，207，208，209，210)的長度對應(yīng)，位于所述扇出區(qū)103的中部區(qū)域的所述連接線206的長度小于位于所述扇出區(qū)103的兩側(cè)區(qū)域的所述連接線(207，208，209，210)的長度。

所述像素單元311包括薄膜晶體管開關(guān)和像素電極，所述薄膜晶體管開關(guān)與所述掃描線310、所述數(shù)據(jù)線(201，202，203，204，205)、所述像素電極連接。

所述子顯示區(qū)1021為長條狀，所述子顯示區(qū)1021的長度方向與所述第二方向314平行，至少兩所述子顯示區(qū)1021沿所述第一方向313以一維陣列的形式排列。所述扇出區(qū)103位于所述子顯示區(qū)1021的一端。

至少兩所述掃描線310沿所述第二方向314以一維陣列的形式排列。至少三所述數(shù)據(jù)線(201，202，203，204，205)沿所述第一方向313以一維陣列的形式排列。至少三所述公共線沿所述第一方向313以一維陣列的形式排列。

至少六所述像素單元311以二維陣列的形式排列。

在本發(fā)明的所述薄膜晶體管陣列基板中，所述連接線組合中的至少三所述連接線(206，207，208，209，210)的電阻值自所述扇出區(qū)103的中部區(qū)域向所述扇出區(qū)103的兩側(cè)區(qū)域逐漸增大。即，與具有較大電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和對應(yīng)的所述公共線形成的所述寄生電容的電容值小于與具有較小電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和對應(yīng)的所述公共線形成的所述寄生電容的電容值。

位于所述扇出區(qū)103的中部區(qū)域的所述連接線206與位于所述子顯示區(qū)1021的中部區(qū)域10211的所述數(shù)據(jù)線201連接，位于所述扇出區(qū)103的兩側(cè)區(qū)域的所述連接線(207，208，209，210)與位于所述子顯示區(qū)1021的兩側(cè)區(qū)域(10212，10213，10214，10215)的所述數(shù)據(jù)線(202，203，204，205)連接。

所述數(shù)據(jù)線組合與所述公共線組合所構(gòu)成的至少三所述寄生電容(307，308，309)的電容值自所述子顯示區(qū)1021的中部區(qū)域10211向所述子顯示區(qū)1021的兩側(cè)區(qū)域(10212，10213，10214，10215)逐漸減小。

所述數(shù)據(jù)線組合與所述公共線組合所構(gòu)成的至少三所述寄生電容(307，308，309)中，所述數(shù)據(jù)線(201，202，203，204，205)與所述公共線的重疊面積自所述子顯示區(qū)1021的中部區(qū)域10211向所述子顯示區(qū)1021的兩側(cè)區(qū)域(10212，10213，10214，10215)逐漸減小。

在本發(fā)明的所述薄膜晶體管陣列基板中，所述公共線包括一第一子線(301，302，303)以及至少一第二子線(304，305，306)。所述第二子線(304，305，306)與所述掃描線310平行。所述第一子線(301，302，303)與所述數(shù)據(jù)線(201，202，203，204，205)平行。

第二子線(304，305，306)與所述掃描線310均是由第一金屬層形成的，所述第一子線(301，302，303)與所述數(shù)據(jù)線(201，202，203，204，205)均是由第二金屬層形成的，所述第一子線(301，302，303)與所述第二子線(304，305，306)通過過孔312連接，所述過孔312貫穿設(shè)置于所述掃描線310與所述數(shù)據(jù)線(201，202，203，204，205)之間的絕緣層。具體地，所述第一子線(301，302，303)的一部分和/或所述第二子線(304，305，306)的一部分設(shè)置于所述過孔312內(nèi)。

所述寄生電容(307，308，309)由所述數(shù)據(jù)線(201，202，203，204，205)與所述公共線的所述第二子線(304，305，306)上下重合構(gòu)成。

所述掃描線310和所述第二子線(304，305，306)均設(shè)置在所述基板101上。所述薄膜晶體管陣列基板還包括絕緣層，所述絕緣層設(shè)置在所述掃描線310、所述第二子線(304，305，306)和所述基板101上。所述數(shù)據(jù)線(201，202，203，204，205)和所述第一子線(301，302，303)均設(shè)置在所述絕緣層上。

在本發(fā)明的所述薄膜晶體管陣列基板中，至少三所述連接線(206，207，208，209，210)至少包括一第一連接線206、一第二連接線207、一第三連接線208，至少三所述數(shù)據(jù)線(201，202，203，204，205)至少包括一第一數(shù)據(jù)線201、一第二數(shù)據(jù)線202、一第三數(shù)據(jù)線203，至少三所述公共線至少包括一第一公共線、一第二公共線、一第三公共線。

所述第一連接線206位于所述扇出區(qū)103的中部區(qū)域，所述第二連接線207和所述第三連接線208分別位于所述扇出區(qū)103的兩側(cè)區(qū)域。

所述第一數(shù)據(jù)線201和所述第一公共線均位于所述子顯示區(qū)1021的中部區(qū)域10211，所述第二數(shù)據(jù)線202和所述第二公共線均位于所述子顯示區(qū)1021的一側(cè)，所述第三數(shù)據(jù)線203和所述第三公共線均位于所述子顯示區(qū)1021的另一側(cè)。

所述第一數(shù)據(jù)線201與所述第一連接線206連接，所述第二數(shù)據(jù)線202與所述第二連接線207連接，所述第三數(shù)據(jù)線203與所述第三連接線208連接。

所述第一公共線與所述第一數(shù)據(jù)線201所構(gòu)成的第一寄生電容307的第一電容值與所述第一連接線206的第一電阻值匹配，所述第二公共線與所述第二數(shù)據(jù)線202所構(gòu)成的第二寄生電容308的第二電容值與所述第二連接線207的第二電阻值匹配，所述第三公共線與所述第三數(shù)據(jù)線203所構(gòu)成的第三寄生電容309的第三電容值與所述第三連接線208的第三電阻值匹配。

位于所述扇出區(qū)103的中部區(qū)域的所述連接線的電阻值小于位于所述扇出區(qū)103的兩側(cè)區(qū)域的所述連接線的電阻值，位于所述子顯示區(qū)1021的中部區(qū)域的所述寄生電容的電容值大于位于所述子顯示區(qū)1021的兩側(cè)區(qū)域的所述寄生電容的電容值。

所述連接線的電阻值自所述扇出區(qū)103的中部區(qū)域向所述扇出區(qū)103的兩側(cè)區(qū)域逐漸增大；與所述連接線對應(yīng)連接的所述數(shù)據(jù)線與所述公共線的重疊面積自所述子顯示區(qū)1021的中部區(qū)域向所述子顯示區(qū)1021的兩側(cè)區(qū)域減小。

所述連接線的電阻值自所述扇出區(qū)103的中部區(qū)域向所述扇出區(qū)103的兩側(cè)區(qū)域逐漸增大；與所述連接線對應(yīng)連接的所述數(shù)據(jù)線與所述公共線之間的絕緣層厚度自所述子顯示區(qū)1021的中部區(qū)域向所述子顯示區(qū)1021的兩側(cè)區(qū)域逐漸增大。

在一所述子顯示區(qū)1021內(nèi)，與具有較大電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和所述公共線之間的重疊面積小于與具有較小電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和所述公共線之間的重疊面積?；蛘?/p>

在一所述子顯示區(qū)1021內(nèi)，與具有較大電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和所述公共線之間的絕緣層厚度大于與具有較小電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和所述公共線之間的絕緣層的厚度。

在所述子顯示區(qū)1021內(nèi)，與具有較大阻值的連接線相連接的所述寄生電容的電容值較小，以確保所述多條數(shù)據(jù)線所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號的電流強度均處于預(yù)定范圍內(nèi)。

所述第一公共線與所述第一數(shù)據(jù)線201的重疊部分具有第一面積，所述第二公共線與所述第二數(shù)據(jù)線202的重疊部分具有第二面積，所述第三公共線與所述第三數(shù)據(jù)線203的重疊部分具有第三面積。

所述第一公共線與所述第一數(shù)據(jù)線201的重疊部分具有第一間距。所述第二公共線與所述第二數(shù)據(jù)線202的重疊部分具有第二間距，所述第三公共線與所述第三數(shù)據(jù)線203的重疊部分具有第三間距。

所述第一面積與所述第一間距的比值(第一比值)大于所述第二面積與所述第二間距的比值(第二比值)、所述第三面積與所述第三間距的比值(第三比值)。

優(yōu)選地，在本實施例中，由于第一面積、第二面積和第三面積不等，為簡化制作工序，所述第一間距、所述第二間距和所述第三間距均相等。第一面積、第二面積及第三面積的獲得，可通過在第二子線和數(shù)據(jù)線的制程中修改各自光罩對應(yīng)位置的圖案，以調(diào)整第二子線與數(shù)據(jù)線的重疊面積來實現(xiàn)。優(yōu)選的，在本實施例中，一子顯示區(qū)1021與一扇形區(qū)103對應(yīng)，在第二子線和數(shù)據(jù)線的制程中，沿扇形區(qū)103內(nèi)連接線由中間至兩側(cè)的方向，逐漸減小與所述連接線對應(yīng)連接的數(shù)據(jù)線的寬度或局部寬度，同時也對應(yīng)逐漸減小與數(shù)據(jù)線重疊的公共線寬度或局部寬度，從而實現(xiàn)寄生電容308由子顯示區(qū)的兩側(cè)至所述子顯示區(qū)的中間逐漸增大。

在其他實施例中，也可以利用半灰階光罩實現(xiàn)絕緣層的厚度的非均勻設(shè)置，即實現(xiàn)第一間距、所述第二間距和所述第三間距的不等。為調(diào)整位于子顯示區(qū)兩側(cè)至子顯示區(qū)中間的寄生電容的電容值，還可以在保持第一面積、第二面積及第三面積相等的前提下(數(shù)據(jù)線與公共線的重疊面積相等)，直接增加絕緣層的灰化工序，使得數(shù)據(jù)線與公共線之間的絕緣層的厚度，從子顯示區(qū)兩側(cè)至子顯示區(qū)中間區(qū)域逐漸減小。

當(dāng)然，在其他實施例中，也可以同時改變數(shù)據(jù)線與公共線的重疊面積以及絕緣層的大小，共同來實現(xiàn)寄生電容大小的變化，只是這一方案增加的工序較多，成本較大，在此不再贅述。

在本發(fā)明的所述薄膜晶體管陣列基板中，所述第一寄生電容307用于對所述第一數(shù)據(jù)線201所傳輸?shù)牡谝粩?shù)據(jù)信號Data1的電流強度進行調(diào)節(jié)，以使所述第一數(shù)據(jù)信號Data1的電流強度處于預(yù)定范圍內(nèi)。

所述第二寄生電容308用于對所述第二數(shù)據(jù)線202所傳輸?shù)牡诙?shù)據(jù)信號Data2的電流強度進行調(diào)節(jié)，以使所述第二數(shù)據(jù)信號Data2的電流強度處于所述預(yù)定范圍內(nèi)。

所述第三寄生電容309用于對所述第三數(shù)據(jù)線203所傳輸?shù)牡谌龜?shù)據(jù)信號Data3的電流強度進行調(diào)節(jié)，以使所述第三數(shù)據(jù)信號Data3的電流強度處于所述預(yù)定范圍內(nèi)。

即，所述第一寄生電容307、所述第二寄生電容308、所述第三寄生電容309用于共同使得輸入到所述子顯示區(qū)1021中的任意兩像素單元列中的兩像素單元311的電流強度的差值小于預(yù)定值。

因此，針對扇出區(qū)連接線阻值的差異，通過調(diào)節(jié)公共線與數(shù)據(jù)線的重疊面積或間距，人為的選定位于不同列的寄生電容的電容值；保證與具有較大阻值的連接線相連的寄生電容的電容值較小，與具有較小阻值的連接線相連的寄生電容的電容值較大。這樣可以精確的調(diào)整每一列像素單元311的顯示亮度，以達到改善垂直黑白帶的目的。

在本發(fā)明中，由于分別利用第一公共線(COM1)、第二公共線(COM2)、第三公共線(COM3)分別與第一數(shù)據(jù)線201、第二數(shù)據(jù)線202和第三數(shù)據(jù)線203形成第一寄生電容307、第二寄生電容308和第三寄生電容309，以利用第一寄生電容307、第二寄生電容308和所述第三寄生電容309分別調(diào)節(jié)所述第一數(shù)據(jù)線201所傳輸?shù)牡谝粩?shù)據(jù)信號Data1的電流強度、所述第二數(shù)據(jù)線202所傳輸?shù)牡诙?shù)據(jù)信號Data2的電流強度和所述第三數(shù)據(jù)線203所傳輸?shù)牡谌龜?shù)據(jù)信號Data3的電流強度，因此可以使得輸入到所述子顯示區(qū)1021中的任意兩像素單元列中的兩像素單元311的電流強度(Pixel1，Pixel2，Pixel3)均處于預(yù)定范圍內(nèi)，即，可以使得輸入到所述子顯示區(qū)1021中的任意兩像素單元列中的兩像素單元311的電流強度(Pixel1，Pixel2，Pixel3)的差值小于預(yù)定值。

因此，本發(fā)明利用不同子顯示區(qū)內(nèi)的公共線與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容的大小變化來改善因扇出區(qū)連接線阻值差異而導(dǎo)致的亮度不一致的帶狀光條。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。