1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板包括：
多個扇出區(qū)，所述扇出區(qū)位于所述薄膜晶體管陣列基板的非顯示區(qū)，所述薄膜晶體管陣列基板的顯示區(qū)對應(yīng)所述多個扇出區(qū)分為多個子顯示區(qū)，所述子顯示區(qū)與所述扇出區(qū)一一對應(yīng)分布；
多條掃描線，所述掃描線沿第一方向延伸；
多個數(shù)據(jù)線組合，每一所述數(shù)據(jù)線組合內(nèi)包括多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線沿第二方向延伸，所述第一方向與所述第二方向垂直；
多個公共線組合，所述公共線組合包括多條與所述數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置的公共線，所述公共線與所述數(shù)據(jù)線的重疊區(qū)域形成寄生電容；
多個連接線組合，每一所述連接線組合位于一所述扇出區(qū)內(nèi)，所述連接線組合包括多條與所述數(shù)據(jù)線連接的連接線；
與具有較大電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和對應(yīng)的所述公共線形成的所述寄生電容的電容值小于與具有較小電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和對應(yīng)的所述公共線形成的所述寄生電容的電容值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述連接線的電阻值自所述扇出區(qū)的中部區(qū)域向所述扇出區(qū)的兩側(cè)區(qū)域逐漸增大；
位于所述扇出區(qū)的中部區(qū)域的所述連接線與位于所述子顯示區(qū)的中部區(qū)域的所述數(shù)據(jù)線連接，位于所述扇出區(qū)的兩側(cè)區(qū)域的所述連接線與位于所述子顯示區(qū)的兩側(cè)區(qū)域的所述數(shù)據(jù)線連接；
所述數(shù)據(jù)線組合與所述公共線組合所構(gòu)成的多個所述寄生電容的電容值自所述子顯示區(qū)的中部區(qū)域向所述子顯示區(qū)的兩側(cè)區(qū)域逐漸減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述公共線包括：
一第一子線，所述第一子線與所述數(shù)據(jù)線平行；
至少一第二子線，所述第二子線與所述掃描線平行；
其中，所述第二子線與所述掃描線均是由第一金屬層形成的，所述第一子線與所述數(shù)據(jù)線均是由第二金屬層形成的，所述第一子線與所述第二子線通過過孔連接，所述過孔貫穿設(shè)置于所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線之間的絕緣層；
所述寄生電容由所述數(shù)據(jù)線與所述公共線的所述第二子線構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述連接線組合至少包括一第一連接線、一第二連接線、一第三連接線，所述數(shù)據(jù)線組合至少包括一第一數(shù)據(jù)線、一第二數(shù)據(jù)線、一第三數(shù)據(jù)線，所述公共線組合至少包括一第一公共線、一第二公共線、一第三公共線；
所述第一連接線位于所述扇出區(qū)的中部區(qū)域，所述第二連接線和所述第三連接線分別位于所述扇出區(qū)的兩側(cè)區(qū)域；
所述第一數(shù)據(jù)線和所述第一公共線均位于所述子顯示區(qū)的中部區(qū)域，所述第二數(shù)據(jù)線和所述第二公共線均位于所述子顯示區(qū)的一側(cè)，所述第三數(shù)據(jù)線和所述第三公共線均位于所述子顯示區(qū)的另一側(cè)；
所述第一數(shù)據(jù)線與所述第一連接線連接，所述第二數(shù)據(jù)線與所述第二連接線連接，所述第三數(shù)據(jù)線與所述第三連接線連接；
所述第一公共線與所述第一數(shù)據(jù)線所構(gòu)成的第一寄生電容的第一電容值與所述第一連接線的第一電阻值匹配，所述第二公共線與所述第二數(shù)據(jù)線所構(gòu)成的第二寄生電容的第二電容值與所述第二連接線的第二電阻值匹配，所述第三公共線與所述第三數(shù)據(jù)線所構(gòu)成的第三寄生電容的第三電容值與所述第三連接線的第三電阻值匹配。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，位于所述扇出區(qū)的中部區(qū)域的所述連接線的電阻值小于位于所述扇出區(qū)的兩側(cè)區(qū)域的所述連接線的電阻值，位于所述子顯示區(qū)的中部區(qū)域的所述寄生電容的電容值大于位于所述子顯示區(qū)的兩側(cè)區(qū)域的所述寄生電容的電容值。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述連接線的電阻值自所述扇出區(qū)的中部區(qū)域向所述扇出區(qū)的兩側(cè)區(qū)域逐漸增大；
與所述連接線對應(yīng)連接的所述數(shù)據(jù)線與所述公共線的重疊面積自所述子顯示區(qū)的中部區(qū)域向所述子顯示區(qū)的兩側(cè)區(qū)域減小。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述連接線的電阻值自所述扇出區(qū)的中部區(qū)域向所述扇出區(qū)的兩側(cè)區(qū)域逐漸增大；
與所述連接線對應(yīng)連接的所述數(shù)據(jù)線與所述公共線之間的絕緣層厚度自所述子顯示區(qū)的中部區(qū)域向所述子顯示區(qū)的兩側(cè)區(qū)域逐漸增大。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，在一所述子顯示區(qū)內(nèi)，與具有較大電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和所述公共線之間的重疊面積小于與具有較小電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和所述公共線之間的重疊面積；
或
在一所述子顯示區(qū)內(nèi)，與具有較大電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和所述公共線之間的絕緣層厚度大于與具有較小電阻值的連接線相連接的數(shù)據(jù)線和所述公共線之間的絕緣層的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，在所述子顯示區(qū)內(nèi)，與具有較大阻值的連接線相連接的所述寄生電容的電容值較小，以確保所述多條數(shù)據(jù)線所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號的電流強(qiáng)度均處于預(yù)定范圍內(nèi)。
10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權(quán)利要求1至9所述的薄膜晶體管陣列基板。