1.一種針對半導(dǎo)體用濕蝕刻液的保護(hù)膜形成用組合物，其包含：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜形成用組合物，其進(jìn)一步包含(e)具有酚性羥基的化合物或聚合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜形成用組合物，所述固化劑為堿。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的保護(hù)膜形成用組合物，所述堿為咪唑系化合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的保護(hù)膜形成用組合物，所述堿由下述式(b1)表示，
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜形成用組合物，所述化合物(c)為下述式(c-1)所示的化合物、下述式(c-2)所示的化合物、和下述式(c-3)所示的化合物中的至少一者，
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜形成用組合物，所述化合物(c)的含量相對于所述(a)的化合物或聚合物為1～30質(zhì)量％。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜形成用組合物，所述(a)的化合物或聚合物為包含具有3元環(huán)結(jié)構(gòu)或4元環(huán)結(jié)構(gòu)的環(huán)狀醚的、化合物或聚合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的保護(hù)膜形成用組合物，所述(a)的化合物為不具有重復(fù)結(jié)構(gòu)單元的化合物，并且
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的保護(hù)膜形成用組合物，所述(a)的化合物為下述式(ii)所示的化合物，
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的保護(hù)膜形成用組合物，所述(a)的化合物為包含下述式(iii)所示的部分結(jié)構(gòu)的化合物，
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的保護(hù)膜形成用組合物，所述(a)的聚合物為具有下述式(1-1)所示的單元結(jié)構(gòu)的聚合物，
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護(hù)膜形成用組合物，所述(e)具有酚性羥基的化合物或聚合物具有2個以上酚性羥基。
14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護(hù)膜形成用組合物，所述(e)具有酚性羥基的化合物或聚合物由下述式(2-1)表示，
15.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護(hù)膜形成用組合物，所述(e)具有酚性羥基的化合物或聚合物為下述式(2-2)所示的化合物，
16.根據(jù)權(quán)利要求2所述的保護(hù)膜形成用組合物，所述(e)具有酚性羥基的化合物或聚合物為包含下述式(3-1)所示的單元結(jié)構(gòu)的聚合物，
17.一種針對半導(dǎo)體用濕蝕刻液的保護(hù)膜，其特征在于，是由權(quán)利要求1～16中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用組合物形成的涂布膜的燒成物。
18.一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含：
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，其進(jìn)一步包含(e)具有酚性羥基的化合物或聚合物。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述固化劑為堿。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述堿為咪唑系化合物。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述堿由下述式(b1)表示，
23.根據(jù)權(quán)利要求18所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述化合物(c)為下述式(c-1)所示的化合物、下述式(c-2)所示的化合物、和下述式(c-3)所示的化合物中的至少一者，
24.根據(jù)權(quán)利要求18所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述化合物(c)的含量相對于所述(a)的化合物或聚合物為1～30質(zhì)量％。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物，所述(a)的化合物或聚合物為包含具有3元環(huán)結(jié)構(gòu)或4元環(huán)結(jié)構(gòu)的環(huán)狀醚的、化合物或聚合物。
26.一種抗蝕劑下層膜，其特征在于，是由權(quán)利要求18所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物形成的涂布膜的燒成物。
27.一種帶有保護(hù)膜的基板的制造方法，其特征在于，包含下述工序：將權(quán)利要求1～16中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用組合物涂布在具有高低差的半導(dǎo)體基板上并進(jìn)行燒成而形成保護(hù)膜的工序，所述帶有保護(hù)膜的基板的制造方法用于制造半導(dǎo)體。
28.一種帶有抗蝕劑圖案的基板的制造方法，其特征在于，包含下述工序：將權(quán)利要求1～16中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用組合物、或權(quán)利要求18～25中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物涂布在半導(dǎo)體基板上并進(jìn)行燒成而形成作為抗蝕劑下層膜的保護(hù)膜的工序；以及在該保護(hù)膜上形成抗蝕劑膜，接著進(jìn)行曝光、顯影而形成抗蝕劑圖案的工序，所述帶有抗蝕劑圖案的基板的制造方法用于制造半導(dǎo)體。
29.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包含下述工序：使用權(quán)利要求1～16中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用組合物在表面可以形成有無機(jī)膜的半導(dǎo)體基板上形成保護(hù)膜，在所述保護(hù)膜上形成抗蝕劑圖案，將所述抗蝕劑圖案作為掩模對所述保護(hù)膜進(jìn)行干蝕刻而使所述無機(jī)膜或所述半導(dǎo)體基板的表面露出，將干蝕刻后的所述保護(hù)膜作為掩模，使用半導(dǎo)體用濕蝕刻液對所述無機(jī)膜或所述半導(dǎo)體基板進(jìn)行濕蝕刻并洗滌的工序。
30.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包含下述工序：使用權(quán)利要求18～25中任一項(xiàng)所述的抗蝕劑下層膜形成用組合物在表面可以形成有無機(jī)膜的半導(dǎo)體基板上形成抗蝕劑下層膜，在所述抗蝕劑下層膜上形成抗蝕劑圖案，將所述抗蝕劑圖案作為掩模對所述抗蝕劑下層膜進(jìn)行干蝕刻而使所述無機(jī)膜或所述半導(dǎo)體基板的表面露出，將干蝕刻后的所述抗蝕劑下層膜作為掩模，對所述無機(jī)膜或所述半導(dǎo)體基板進(jìn)行蝕刻的工序。