本技術(shù)涉及掩模版制造，尤其涉及掩模版線邊修正方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及產(chǎn)品。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造過程中，掩模版的圖形質(zhì)量對最終產(chǎn)品的功能性和可靠性起著至關(guān)重要的作用。線邊粗糙度是衡量掩模版的圖形質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一。

2、理想的掩模版的圖形線邊應(yīng)當(dāng)展現(xiàn)出高度的平滑性，以確保光刻過程中圖案的精確轉(zhuǎn)移。但在實(shí)際的光刻和顯影工藝中，由于多種因素如材料不均勻性、設(shè)備精度限制、化學(xué)處理波動(dòng)等的影響，常常會(huì)導(dǎo)致掩模版的圖形線邊出現(xiàn)不規(guī)則的波動(dòng)，即線邊粗糙度的增加的情況?，F(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)掩模版出現(xiàn)大面積的圖形線邊不光滑時(shí)，只能報(bào)廢重做，導(dǎo)致生產(chǎn)成本大大增加。

3、因此，如何解決掩模版的大面積圖形線邊不光滑問題，是目前亟需解決的一個(gè)問題。

4、上述內(nèi)容僅用于輔助理解本技術(shù)的技術(shù)方案，并不代表承認(rèn)上述內(nèi)容是現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)的主要目的在于提供一種掩模版線邊修正方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及產(chǎn)品，旨在解決掩模版的大面積圖形線邊不光滑的技術(shù)問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提出一種掩模版刻蝕方法，所述的方法包括：

3、獲取第一待處理掩模版的第一線邊粗糙度；

4、判斷所述第一線邊粗糙度是否符合預(yù)設(shè)條件；

5、若所述第一線邊粗糙度不符合所述預(yù)設(shè)條件，則通過預(yù)設(shè)的水平交變電場對所述第一待處理掩模版進(jìn)行等離子刻蝕，得到目標(biāo)掩模版。

6、在一實(shí)施例中，所述激活水平交變電場，以供所述水平交變電場控制預(yù)生成的等離子體對所述第一待處理掩模版的全部線邊進(jìn)行等離子刻蝕，得到完成線邊修正的目標(biāo)掩模版的步驟包括：

7、獲取所述第一待處理掩模版的待處理線邊方向；

8、激活所述待處理線邊方向相應(yīng)的交變電場，以供所述交變電場控制所述等離子體沿著所述第一待處理掩模版的全部待處理線邊進(jìn)行等離子刻蝕，得到目標(biāo)掩模版。

9、在一實(shí)施例中，所述激活所述待處理線邊方向相應(yīng)的交變電場，以供所述交變電場控制所述等離子體沿著所述第一待處理掩模版的全部待處理線邊進(jìn)行等離子刻蝕，得到目標(biāo)掩模版的步驟包括：

10、獲取所述待處理線邊方向中的x軸方向與y軸方向；

11、激活所述x軸方向相應(yīng)的x軸交變電場，以供所述x軸交變電場控制所述等離子體沿著所述第一待處理掩模版的x軸待處理線邊進(jìn)行等離子刻蝕；

12、當(dāng)所述x軸交變電場的開啟時(shí)長達(dá)到預(yù)設(shè)的第一處理時(shí)長后，關(guān)閉所述x軸交變電場，得到第二待處理掩模版；

13、激活所述y軸方向相應(yīng)的y軸交變電場，以供所述y軸交變電場控制所述等離子體沿著所述第一待處理掩模版的y軸待處理線邊進(jìn)行等離子刻蝕；

14、當(dāng)所述y軸交變電場的開啟時(shí)長達(dá)到預(yù)設(shè)的第二處理時(shí)長后，關(guān)閉所述y軸交變電場，得到目標(biāo)掩模版。

15、在一實(shí)施例中，所述激活所述待處理線邊方向相應(yīng)的交變電場，以供所述交變電場控制所述等離子體沿著所述第一待處理掩模版的全部待處理線邊進(jìn)行等離子刻蝕，得到目標(biāo)掩模版的步驟包括：

16、獲取目標(biāo)掩模版的圖形數(shù)據(jù)與工藝參數(shù)；

17、基于所述圖形數(shù)據(jù)與所述工藝參數(shù)，對刻蝕腔內(nèi)的等離子體密度進(jìn)行虛擬量測，確定密度測量值；

18、根據(jù)所述密度測量值，通過預(yù)設(shè)的鞘層生成模型，計(jì)算得到預(yù)設(shè)的保護(hù)鞘層厚度需要的目標(biāo)電場功率；

19、獲取所述待處理線邊方向中的x軸方向與y軸方向；

20、根據(jù)所述目標(biāo)電場功率，激活所述x軸交變電場，生成y軸線邊保護(hù)鞘層，當(dāng)所述x軸交變電場的開啟時(shí)長達(dá)到預(yù)設(shè)的第一處理時(shí)長后，關(guān)閉所述x軸交變電場，得到第二待處理掩模版，其中，所述等離子體沿著所述x軸待處理線邊進(jìn)行等離子刻蝕時(shí)，由所述y軸線邊保護(hù)鞘層阻擋所述等離子體刻蝕y軸待處理線邊；

21、根據(jù)所述目標(biāo)電場功率，激活所述y軸交變電場，生成x軸線邊保護(hù)鞘層，當(dāng)所述y軸交變電場的開啟時(shí)長達(dá)到預(yù)設(shè)的第二處理時(shí)長后，關(guān)閉所述y軸交變電場，得到目標(biāo)掩模版，其中，所述等離子體沿著所述x軸待處理線邊進(jìn)行等離子刻蝕時(shí)，由所述x軸線邊保護(hù)鞘層阻擋所述等離子體刻蝕x軸待處理線邊。

22、在一實(shí)施例中，所述接收第一待處理掩模版的第一線邊粗糙度的步驟之前還包括：

23、激活環(huán)繞線圈，得到激活磁場、誘導(dǎo)電場及等離子體，其中，等離子體是由激活的所述環(huán)繞線圈生成的激活磁場、誘導(dǎo)電場對電子進(jìn)行加速得到的；

24、根據(jù)預(yù)設(shè)的待刻蝕圖形，通過所述激活磁場及所述誘導(dǎo)電場控制所述等離子體對預(yù)設(shè)的初始掩模版進(jìn)行垂直方向的等離子刻蝕，得到第一待處理掩模版。

25、在一實(shí)施例中，所述激活水平交變電場，以供所述水平交變電場控制預(yù)生成的等離子體對所述第一待處理掩模版的全部線邊進(jìn)行等離子刻蝕，得到完成線邊修正的目標(biāo)掩模版的步驟之后還包括：

26、獲取所述目標(biāo)掩模版的第二線邊粗糙度；

27、判斷所述第二線邊粗糙度是否符合預(yù)設(shè)的線邊粗糙度范圍；

28、若所述第二線邊粗糙度不符合所述預(yù)設(shè)的線邊粗糙度范圍，則通過預(yù)設(shè)的水平交變電場對所述目標(biāo)掩模版的全部線邊進(jìn)行等離子刻蝕，返回獲取所述目標(biāo)掩模版的第二線邊粗糙度的步驟，直到所述目標(biāo)掩模版的所述第二線邊粗糙度符合預(yù)設(shè)條件，得到具有符合預(yù)設(shè)條件的所述目標(biāo)掩模版。

29、此外，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)還提出一種掩模版線邊修正裝置，所述掩模版線邊修正裝置包括：

30、接收模塊，用于接收第一待處理掩模版的第一線邊粗糙度；

31、判斷模塊，用于判斷所述第一線邊粗糙度是否滿足預(yù)設(shè)的線邊粗糙度范圍；

32、執(zhí)行模塊，用于若所述第一線邊粗糙度不滿足所述線邊粗糙度范圍，則激活水平交變電場，以供所述水平交變電場控制預(yù)生成的等離子體對所述第一待處理掩模版的全部線邊進(jìn)行等離子刻蝕，得到完成線邊修正的目標(biāo)掩模版。

33、此外，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)還提出一種掩模版線邊修正設(shè)備，所述設(shè)備包括：存儲(chǔ)器、處理器及存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器上并可在所述處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序配置為實(shí)現(xiàn)如上文所述的掩模版線邊修正方法的步驟。

34、此外，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)還提出一種存儲(chǔ)介質(zhì)，所述存儲(chǔ)介質(zhì)為計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上文所述的掩模版線邊修正方法的步驟。

35、此外，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)還提供一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，所述計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上文所述的掩模版線邊修正方法的步驟。

36、本技術(shù)提出的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有以下技術(shù)效果：

37、與相關(guān)技術(shù)中，當(dāng)掩模版出現(xiàn)大面積的圖形線邊不光滑時(shí)，只能報(bào)廢重做，導(dǎo)致生產(chǎn)成本大大增加相比，本技術(shù)接收第一待處理掩模版的第一線邊粗糙度；判斷所述第一線邊粗糙度是否滿足預(yù)設(shè)的線邊粗糙度范圍；若所述第一線邊粗糙度不滿足所述線邊粗糙度范圍，則激活水平交變電場，以供所述水平交變電場控制預(yù)生成的等離子體對所述第一待處理掩模版的全部線邊進(jìn)行等離子刻蝕，得到完成線邊修正的目標(biāo)掩模版?？衫斫獾氖牵炯夹g(shù)提出利用水平方向的交變電場對第一待處理掩模版進(jìn)行等離子刻蝕，當(dāng)所述第一線邊粗糙度不符合預(yù)設(shè)的線邊粗糙度范圍時(shí)，通過激活水平方向的交變電場對第一待處理掩模版的全部線邊進(jìn)行等離子刻蝕，因此通過預(yù)設(shè)的線邊粗糙度范圍對第一線邊粗糙度進(jìn)行判斷，可以確定是否需要進(jìn)行第一線邊粗糙度的改善，進(jìn)而對需要進(jìn)行改善的待處理掩模版的全部線邊進(jìn)行等離子刻蝕修正，以得到修正完成的掩模版，實(shí)現(xiàn)對大面積的圖形線邊不光滑的掩模版的線邊修正，最終實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)成本的顯著降低。