1.一種掩模版線邊修正方法，其特征在于，所述的方法包括：
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述激活水平交變電場，以供所述水平交變電場控制預(yù)生成的等離子體對所述第一待處理掩模版的全部線邊進(jìn)行等離子刻蝕，得到完成線邊修正的目標(biāo)掩模版的步驟包括：
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述激活所述待處理線邊方向相應(yīng)的交變電場，以供所述交變電場控制所述等離子體沿著所述第一待處理掩模版的全部待處理線邊進(jìn)行等離子刻蝕，得到目標(biāo)掩模版的步驟包括：
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述激活所述待處理線邊方向相應(yīng)的交變電場，以供所述交變電場控制所述等離子體沿著所述第一待處理掩模版的全部待處理線邊進(jìn)行等離子刻蝕，得到目標(biāo)掩模版的步驟包括：
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述接收第一待處理掩模版的第一線邊粗糙度的步驟之前還包括：
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述激活水平交變電場，以供所述水平交變電場控制預(yù)生成的等離子體對所述第一待處理掩模版的全部線邊進(jìn)行等離子刻蝕，得到完成線邊修正的目標(biāo)掩模版的步驟之后還包括：
7.一種掩模版線邊修正裝置，其特征在于，所述裝置包括：
8.一種掩模版刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括：存儲器、處理器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的計算機(jī)程序，所述計算機(jī)程序配置為實現(xiàn)如權(quán)利要求1至6中任一項所述的掩模版線邊修正方法的步驟。
9.一種存儲介質(zhì)，其特征在于，所述存儲介質(zhì)為計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)上存儲有計算機(jī)程序，所述計算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權(quán)利要求1至6中任一項所述的掩模版線邊修正方法的步驟。
10.一種計算機(jī)程序產(chǎn)品，其特征在于，所述計算機(jī)程序產(chǎn)品包括計算機(jī)程序，所述計算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權(quán)利要求1至6中任一項所述的掩模版線邊修正方法的步驟。