1.一種波長(zhǎng)3-5μm的金屬介質(zhì)增強(qiáng)反射膜，其特征在于，
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種波長(zhǎng)3-5μm的金屬介質(zhì)增強(qiáng)反射膜，其特征在于，a-q對(duì)應(yīng)各層的物理厚度分別為48-52nm、197-203nm、47-49nm、543-547nm、383-387nm、?638-642nm、390-392nm、676-680nm、230-234nm、208-212nm、343-347nm、653-657nm、291-295nm、172-176nm、272-276nm、67-71nm、20-24nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2任意一項(xiàng)所述的一種波長(zhǎng)3-5μm的金屬介質(zhì)增強(qiáng)反射膜的制備方法，其特征在于：采用高溫低真空鍍膜方法，通過離子輔助沉積制備各膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于：鍍膜前對(duì)基底進(jìn)行清潔，采用如下步驟：
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于：起始真空度為8.0×10-4pa，烘烤溫度為150-190℃；離子源參數(shù)設(shè)置為：加速電壓200v，屏極電壓400-600v，束流80-150ma。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于：蒸鍍前，考夫曼離子源對(duì)基底進(jìn)行2-3min清潔，離子源參數(shù)設(shè)置為：加速電壓200v，屏極電壓400-600v，束流90-100ma。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于：cr層、au層、y2o3層的鍍制條件：在溫度150-155℃恒溫30-32min后開始鍍膜，不充工藝氣體維持真空度大于5.0*10-3pa。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于：yf3層、znse層的鍍制條件：在溫度190-195℃恒溫30-33min后鍍膜，采用離子輔助沉積并充入氬氣。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于：cr的蒸發(fā)速率為0.3±0.1nm/s，au的蒸發(fā)速率為0.5±0.05nm/s，y2o3的蒸發(fā)速率為0.5±0.1nm/s，yf3的蒸發(fā)速率為1.2±0.05nm/?s，znse的蒸發(fā)速率為1.2±0.05nm/s。