于制造微結(jié)構(gòu)和/或納米結(jié)構(gòu)電子半導(dǎo)體組件。光源 和/或福射源2發(fā)射波長范圍例如在5nm至30nm之間的EUV福射。光源2實(shí)施為自由 電子激光器（FEL)。在此，光源為同步加速器福射源，其產(chǎn)生具有非常高譜亮度的相干福 射。描述該種FEL的現(xiàn)有公開詳述于W02009/121 438 A1中。例如，可使用的光源2描述 于 Uwe Schindler 的"Ein supraleitender Undulator mit elektrisch umschaltbarer Helizitat" (A superconducting undulator with electrically switchable helicity), Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz-Gemeinschaft, wissenscha ftliche Berichte, FZKA 6997, August 2004, and in DE 103 58 225 B3〇
[0034] 光源2具有2. 5kW的平均功率。光源2的脈沖頻率為30MHz。那么，各單獨(dú)福射脈 沖攜帶83 y J的能量。在福射脈沖長度為lOOfs的情況下，該對(duì)應(yīng)于833MW的福射脈沖功 率。
[0035] 為了投射曝光設(shè)備1中的照明與成像，所用福射光束3(還稱為輸出光束）用作照 明光。所用福射光束3借助于下文將說明的掃描裝置6在孔徑角4中向外照明，所述孔徑 角4與投射曝光設(shè)備1的照明光學(xué)單元5匹配。從光源2出發(fā)，所用福射光束3具有小于 5mrad的發(fā)散。掃描裝置6布置在照明光學(xué)單元5的中間焦平面6a中。在掃描裝置6之 后，所用福射光束3首先照在場分面反射鏡7上。關(guān)于掃描裝置6的細(xì)節(jié)將在下文基于圖 2和3來說明。
[0036] 所用福射光束3更特別地具有小于2mrad，并且優(yōu)選小于Imrad的發(fā)射。所用福射 光束在場分面反射鏡7上的光斑尺寸大約為4mm。
[0037] 圖2 W示例性方式顯示場分面反射鏡7的場分面8的分面布置、分面陣列。W示例 性方式示出的僅是實(shí)際呈現(xiàn)的場分面8的位于=列xl5行中的一些。場分面反射鏡7的場 分面陣列整體上具有6列且75行。場分面8具有矩形形狀。場分面8的其它形狀也是可 能的，例如弓形形狀或環(huán)形形狀或亞環(huán)形形狀。總的來說，場分面反射鏡7因此在一個(gè)可能 的變型中具有450個(gè)場分面8。各個(gè)場分面8在圖2中的水平方向上具有50mm的范圍，在 圖2中的豎直方向上具有4mm的范圍。整個(gè)場分面陣列因而具有300mm X 300mm的范圍。 場分面8未按真實(shí)比例示于圖2中。
[003引在場分面反射鏡7的反射之后，已經(jīng)細(xì)分為與單獨(dú)場分面8相關(guān)聯(lián)的光線錐的所 用福射光束3照在光瞳分面反射鏡9上。光瞳分面反射鏡9的在圖1中未示出的光瞳分面 9a(參考圖4和5)為圓形的。所用福射光束3的由場分面8之一反射的各光線錐與該些光 瞳分面9a之一關(guān)聯(lián)，因此場分面8之一與光瞳分面9a之一的照射的分面對(duì)相應(yīng)預(yù)定照明 通道或光束引導(dǎo)通道用于所用福射光束3的關(guān)聯(lián)的光線錐。光瞳分面9a與場分面8的逐 通道關(guān)聯(lián)W取決于投射曝光設(shè)備1的照明的方式發(fā)生。因此，為了規(guī)定沿照明通道的單獨(dú) 照明角，在相應(yīng)的一個(gè)場分面8與相應(yīng)的一個(gè)光瞳分面9a的各對(duì)上引導(dǎo)輸出光束3。為了 致動(dòng)相應(yīng)設(shè)計(jì)的光瞳分面9a，場分面反射鏡8相應(yīng)地單獨(dú)傾斜。
[0039] 通過光瞳分面反射鏡9和隨后的由S個(gè)EUV反射鏡10、11、12構(gòu)成的傳輸光學(xué)單 元13,場分面8成像在投射曝光設(shè)備1的投射光學(xué)單元16的掩模母版或物面15中的照明 場或物場14中。EUV反射鏡12實(shí)施為掠入射反射鏡。
[0040] 由通過單獨(dú)分面對(duì)8、9a設(shè)定的單獨(dú)照明角的序列，由照明光學(xué)單元導(dǎo)致的、物場 14的照明的照明角分布通過所有光學(xué)通道的掃描積分而形成，通過借助于掃描裝置6照明 場分面反射鏡7的分面8而導(dǎo)致。
[0041] 在照明光學(xué)單元5的一個(gè)實(shí)施例（未示出）中，尤其在投射光學(xué)單元16的入瞳位 于適當(dāng)位置的情況下，還可省略反射鏡1〇、11、12，導(dǎo)致投射曝光設(shè)備對(duì)所用福射光束3的 傳輸率相應(yīng)增加。
[0042] 對(duì)于場分面反射鏡7的每個(gè)完整掃描，49. 2J的總劑量到達(dá)整個(gè)物場14。該總劑 量仍首先乘W照明光學(xué)單元5的總傳輸率，其次乘W投射光學(xué)單元16的總傳輸率。
[0043] 反射所用福射光束3的掩模母版16a布置在物場14區(qū)域中的物面15中。掩模母 版16a由掩模母版保持器1化承載，所述掩模母版保持器1化可通過掩模母版位移驅(qū)動(dòng)器 16c W致動(dòng)方式移動(dòng)。
[0044] 投射光學(xué)單元16將物場14成像于像面18中的像場17中。在投射曝光期間，承 載光敏層的晶片18a布置在該像面18中，所述光敏層通過投射曝光設(shè)備1在投射曝光期間 曝光。晶片18a由晶片保持器18b承載，晶片保持器18b進(jìn)而可通過晶片位移驅(qū)動(dòng)器18c W受控方式移動(dòng)。
[0045] 為了簡化位置關(guān)系的示圖，下文使用xyz坐標(biāo)系。X軸垂直于圖1的示圖平面并指 向所述平面。y軸延伸到圖1的右側(cè)。在圖1中，Z軸向下延伸。
[0046] 在投射曝光期間，通過掩模母版位移驅(qū)動(dòng)器16c與晶片位移驅(qū)動(dòng)器18c的合適致 動(dòng)而W同步方式在圖1的y方向上掃描掩模母版與晶片二者。在投射曝光期間，在y方向 W典型掃描速度600mm/s掃描晶片。兩個(gè)位移驅(qū)動(dòng)器16c的同步掃描可獨(dú)立于掃描裝置6 的掃描操作發(fā)生。
[0047] 場分面8的長邊垂直于掃描方向y。場分面8的x/y縱橫比對(duì)應(yīng)于狹縫形物場14 的x/y縱橫比，狹縫形物場14可同樣具有矩形或弓形實(shí)施例。
[0048] 圖2和3更詳細(xì)地顯示所用福射光束3的掃描裝置6。為了簡化位置關(guān)系的示圖， 使用X' -y'坐標(biāo)系用于圖2和3中的掃描裝置。平行于X軸的X'軸延伸進(jìn)圖2中的示圖 平面并在圖3中向上延伸。位于yz平面中的y'軸在圖2中傾斜地延伸到右上方，并且在 圖3中延伸到右方。
[0049] 為了表示相對(duì)于場分面反射鏡7的位置關(guān)系，相應(yīng)使用Xw-yw坐標(biāo)系。X W軸平行 于X軸延伸，即在矩形場分面8的長邊方向上延伸。Yw方向垂直于所述X W軸，在矩形場分 面8的短邊方向上延伸。在圖3中，場分面8示意性地W方形方式示出。
[0050] 因而，為了表示相對(duì)于光瞳分面反射鏡9的位置關(guān)系，下文使用xpp-ypp坐標(biāo)系。在 圖4和5中，Xpp軸延伸至化偵1|。在圖4和5中，y PP軸向上延伸。
[0051] 掃描裝置6是掃描反射鏡，其W掠射方式反射所用福射光束3并且可關(guān)于線掃描 軸19與移行軸20傾斜，所述線掃描軸19與y'軸重合，所述移行軸20平行于X'軸。兩個(gè) 軸19、20位于掃描裝置6的反射鏡表面21中。
[0化2] 圖3中，場分面反射鏡7示意性地示為4x 4陣列，具有各自具有四個(gè)場分面8的 四個(gè)水平行。跟隨頻率與時(shí)間數(shù)據(jù)與6x 75陣列的場分面反射鏡7的照明有關(guān)，已結(jié)合圖 2對(duì)其進(jìn)行了說明。關(guān)于用于沿xw方向掃描場分面行的掃描軸19的傾斜所述實(shí)施例中W 7. 5曲Z的行頻率發(fā)生。在此，反射鏡表面21傾斜+/-4. 5°，導(dǎo)致所用福射光束3的偏轉(zhuǎn)角 為+/-9°。因而，所用福射光束3在場分面反射鏡7的相應(yīng)一行（yw =常數(shù)）上的停留時(shí) 間為133. 3 y S。在yw方向上的移行通過關(guān)于移行軸20的同步傾斜來導(dǎo)致，使得75行W 正確行距來掃描，其中所述關(guān)于移行軸20的傾斜還確保所用福射光束3從最后一個(gè)掃描的 場分面化返回要掃描的第一個(gè)場分面8a。因此，反射鏡表面21附加地W 100化的頻率關(guān) 于移行軸20傾斜。每個(gè)單獨(dú)