一種光學(xué)臨近修正的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種光學(xué)臨近修正的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]集成電路制造技術(shù)是一個(gè)復(fù)雜的工藝，技術(shù)更新很快。表征集成電路制造技術(shù)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)為最小特征尺寸，即關(guān)鍵尺寸(critical dimens1n,⑶),隨著關(guān)鍵尺寸的縮小，甚至縮小至納米級，而正是由于關(guān)鍵尺寸的減小才使得每個(gè)芯片上設(shè)置百萬個(gè)器件成為可能。
[0003]光刻技術(shù)是集成電路制造工藝發(fā)展的驅(qū)動力，也是最為復(fù)雜的技術(shù)之一。相對與其它單個(gè)制造技術(shù)來說，光刻技術(shù)的提高對集成電路的發(fā)展具有重要意義。在光刻工藝開始之前，首先需要將圖案通過特定設(shè)備復(fù)制到掩膜版上，然后通過光刻設(shè)備產(chǎn)生特定波長的光將掩膜版上的圖案結(jié)構(gòu)復(fù)制到生產(chǎn)芯片的硅片上。但是由于半導(dǎo)體器件尺寸的縮小，在將圖案轉(zhuǎn)移到硅片的過程中會發(fā)生失真現(xiàn)象，如果不消除這種失真現(xiàn)象會導(dǎo)致整個(gè)制造技術(shù)的失敗。為了避免出現(xiàn)上述問題，通常對所述掩膜版進(jìn)行光學(xué)臨近修正(OpticalProximity Correct1n, 0PC),所述OPC方法即為對所述光刻掩膜版進(jìn)行光刻前預(yù)處理,進(jìn)行預(yù)先修改，使得修改補(bǔ)償?shù)牧空媚軌蜓a(bǔ)償曝光系統(tǒng)造成的光學(xué)鄰近效應(yīng)。
[0004]隨著器件尺寸的不斷縮小,光刻工藝窗口(Litho process window)縮小，導(dǎo)致所述蝕刻過程中焦點(diǎn)以及能量的變化(variat1n),從形成更多的缺陷點(diǎn)或者潛在的缺陷點(diǎn)(weak points),現(xiàn)有技術(shù)中光學(xué)臨近修正的流程圖如圖1所示,首先執(zhí)行光刻步驟,然后執(zhí)行光學(xué)臨近修正步驟，然后執(zhí)行檢查核實(shí)步驟，執(zhí)行常規(guī)的以及工藝窗口的光學(xué)臨近修正步驟，對所述光學(xué)臨近修正進(jìn)行核實(shí)，接著對缺陷點(diǎn)進(jìn)行檢測，若缺陷點(diǎn)的檢測沒有問題，則通過，進(jìn)行掩膜板的制備，進(jìn)行物理晶圓的實(shí)際生產(chǎn)，若所述缺陷點(diǎn)的檢測出現(xiàn)問題，則需要返回到最初的步驟進(jìn)行全部的檢測，這樣以來浪費(fèi)了大量的時(shí)間，使整個(gè)OPC過程延長，效率降低。
[0005]因此，需要對目前的光學(xué)臨近修正方法作進(jìn)一步的改進(jìn)，以便消除上述時(shí)間過于冗長的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0007]本發(fā)明提供了一種光學(xué)臨近修正方法，包括:
[0008]步驟(a)根據(jù)目標(biāo)版圖，制備初始OPC模型；
[0009]步驟(b)選用所述初始OPC模型進(jìn)行常規(guī)模擬和檢查步驟，以及選用所述OPC模型進(jìn)行工藝窗口 OPC模擬和檢查步驟；
[0010]步驟(C)查找缺陷點(diǎn)，若沒有缺陷點(diǎn)則將所述初始OPC模型作為最終OPC模型，執(zhí)行步驟(d)，
[0011]若查找到缺陷點(diǎn)則對所述缺陷點(diǎn)進(jìn)行自動修正，然后對修正后的缺陷點(diǎn)進(jìn)行工藝窗口 OPC模擬，并進(jìn)行檢查，至沒有缺陷點(diǎn)為止，并輸出最終OPC模型；
[0012]步驟(d)根據(jù)所述最終OPC模型，制備光刻掩膜板。
[0013]作為優(yōu)選，所述步驟(a)進(jìn)一步包括以下步驟:
[0014]步驟(a-Ι)收集提供的版圖圖案的數(shù)據(jù)；
[0015]步驟(a-2)根據(jù)步驟(a-1)中所述數(shù)據(jù)以及所述目標(biāo)版圖的設(shè)計(jì)規(guī)則進(jìn)行邏輯運(yùn)算；
[0016]步驟(a-3)根據(jù)所述邏輯運(yùn)算結(jié)果，輸出OPC模型；
[0017]步驟(a-4)對所述OPC模型進(jìn)行OPC修正，以得到所述初始OPC模型。
[0018]作為優(yōu)選，所述步驟(b)中常規(guī)模擬是指不考慮外界不良干擾，例如不考慮在實(shí)際生產(chǎn)工藝中各種誤差因素以及實(shí)際生產(chǎn)中各變量的影響，在設(shè)定的最佳條件下進(jìn)行模擬。
[0019]作為優(yōu)選，所述工藝窗口 OPC模擬是在考慮實(shí)際生產(chǎn)工藝的影響因素之后進(jìn)行的模擬。
[0020]作為優(yōu)選，所述步驟(C)中，在自動修正之后，在對修正后的缺陷點(diǎn)進(jìn)行工藝窗口OPC模擬之前，還包含對修正后的缺陷點(diǎn)進(jìn)行常規(guī)模擬的步驟。
[0021]作為優(yōu)選，所述步驟(C)進(jìn)一步包含以下步驟:
[0022]步驟(C-1)在查找到缺陷點(diǎn)后，根據(jù)缺陷點(diǎn)自動修正規(guī)則對所述缺陷點(diǎn)進(jìn)行自動修正；
[0023]步驟(c-2)將修正后的所述缺陷點(diǎn)進(jìn)行工藝窗口 OPC模擬；
[0024]步驟(c-3)進(jìn)一步查找缺陷點(diǎn)，若沒有查找到缺陷點(diǎn)，則輸出該模型，以作為最終OPC模型，執(zhí)行步驟(d);若仍查找到缺陷點(diǎn)，則重復(fù)執(zhí)行步驟(C-1)和步驟(C-2)至沒有缺陷點(diǎn)為止。
[0025]作為優(yōu)選，所述步驟(c-3)中還進(jìn)一步包含以下子步驟:
[0026](c-3-l)若在步驟(c-2)中仍查找到缺陷點(diǎn)，則重復(fù)執(zhí)行步驟(c-1)和步驟(c_2)，重復(fù)自動修正后沒有查找到缺陷點(diǎn)，則輸出所述最終OPC模型；
[0027](c-3-2)重復(fù)自動修正步驟后，仍然查找到缺陷點(diǎn)，則查看所述缺陷點(diǎn)是否在非核心區(qū)，若所述缺陷點(diǎn)在非核心區(qū)則對所述缺陷點(diǎn)的所述自動修正規(guī)則進(jìn)行改進(jìn)，然后繼續(xù)執(zhí)行步驟(c-1)和步驟(c-2)，重復(fù)該步驟至缺陷點(diǎn)消失為止。
[0028]作為優(yōu)選，所述自動修正規(guī)則通過所述目標(biāo)版圖設(shè)計(jì)規(guī)則進(jìn)行制定。
[0029]作為優(yōu)選，所述步驟(C)中還進(jìn)一步包括以下步驟:
[0030]對所述缺陷點(diǎn)進(jìn)行自動修正后，進(jìn)一步重新檢查其它位置是否產(chǎn)生新的缺陷點(diǎn)。
[0031]作為優(yōu)選，若在其他部位產(chǎn)生新的缺陷點(diǎn)，則對所述新的缺陷點(diǎn)進(jìn)行自動修正，至所述新的缺陷點(diǎn)消失為止。
[0032]本發(fā)明中優(yōu)化了光學(xué)臨近修正方法中輸出OPC模型的方法，在所述方法中增加了對缺陷點(diǎn)(weak point)的自動修正(auto correct1n)的步驟，以節(jié)省整個(gè)OPC過程的時(shí)間。所述方法中包括3個(gè)步驟:(1)根據(jù)圖案設(shè)計(jì)規(guī)則以及自動修正規(guī)則，自動修正(modify)目標(biāo)缺陷點(diǎn)(target weak point) ; (2)執(zhí)行OPC模擬以及工藝窗口 OPC模擬驗(yàn)證的步驟，來重新確定缺陷點(diǎn)的位置(迭代過程)；(3)輸出自動修正結(jié)果和最終OPC模型，并用于進(jìn)行核查。本發(fā)明所述的OPC修正方法對于沒有缺陷點(diǎn)的版圖來說，其OPC修正時(shí)間沒有增加，對于具有缺陷點(diǎn)的版圖來說，其OPC修正時(shí)間僅僅增加了 10%，相對于現(xiàn)有技術(shù)節(jié)省了大量的時(shí)間。
[0033]本發(fā)明所述OPC修正方法的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0034](I)本發(fā)明所述方法運(yùn)行一步OPC修正步驟即可輸出得到OPC模型，節(jié)省了整個(gè)OPC過程的時(shí)間。
[0035](2)僅僅含有缺陷點(diǎn)的芯片的OPC修正運(yùn)行時(shí)間增加10%，相比針對整個(gè)芯片重新運(yùn)行OPC修正節(jié)省了大量的時(shí)間。
[0036](3)所述OPC修正方法應(yīng)用廣泛，特別適用于在后段制程中圖層的輸出。
【附圖說明】
[0037]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖中，
[0038]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中光學(xué)臨近修正的流程示意圖；
[0039]圖2為本發(fā)明的一【具體實(shí)施方式】中所述光學(xué)臨近修正的流程示意圖；
[0040]圖3a_3d為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】中對缺陷點(diǎn)的檢測的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0041]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人