所述缺陷點，符合目標(biāo)版圖的要求。
[0098]實施例5
[0099]下面結(jié)合附圖3d對本發(fā)明的另外一種【具體實施方式】進(jìn)行說明，在該實施例中所述缺陷點為接觸孔/通孔的覆蓋(CT/via coverage)0需要說明的是，附圖中的圖案僅僅為目標(biāo)版圖中很小的一部分，為了更好的說明該缺陷點的修正。
[0100]在該實施例中不再對所述常規(guī)OPC模擬以及工藝窗口 OPC模擬做詳細(xì)的說明，其具體步驟和方法可以參照實施例1-實施例4，當(dāng)然也并不局限于上述實施例。
[0101]在制備得到初始OPC模型之后，進(jìn)行常規(guī)OPC模擬，得到如圖3d-1所示的圖案，通過該圖案可以看出并沒有缺陷點的存在，其和目標(biāo)圖案具有很好的一致性，接著進(jìn)行所述工藝窗口 OPC模擬，得到如圖3d-1I所示的圖案，在所述圖3d-1圓圈標(biāo)識的接觸孔40處發(fā)現(xiàn)缺陷點，所述接觸孔40沒有完全被覆蓋，所述接觸孔40的覆蓋效果不好，會導(dǎo)致連接問題以及電阻的升高，因此需要對所述缺陷點進(jìn)行自動修正，根據(jù)所述目標(biāo)版圖的設(shè)計規(guī)則以及所述接觸孔的修改規(guī)則對所述OPC模型進(jìn)行自動修正，以得到修正后的OPC模型。
[0102]對所述修正后的OPC模型進(jìn)行工藝窗口 OPC模擬，通過模擬結(jié)果發(fā)現(xiàn)，如果選用目前的自動修正規(guī)則，雖然可以使所述接觸孔40具有良好的覆蓋效果，由于所述接觸孔40 —側(cè)圖案距離所述接觸孔非常近，很容易形成接觸，在消除了該缺陷點的同時引入新的缺陷點的出現(xiàn)。
[0103]為了解決該問題，在進(jìn)行修正的過程中，自動去除容易和一側(cè)圖案接觸的區(qū)域，而僅僅增加另一側(cè)的關(guān)鍵尺寸，例如增加所述金屬層上側(cè)的關(guān)鍵尺寸，而減小下側(cè)容易發(fā)生接觸的部位的關(guān)鍵尺寸，得到最終OPC模型，進(jìn)行模擬，得到如圖3b-1II所示圖案，以保證所述接觸孔形成良好覆蓋的同時不會形成接觸、引入其他的缺陷點。
[0104]本發(fā)明中優(yōu)化了光學(xué)臨近修正方法中輸出OPC模型的方法，在所述方法中增加了對缺陷點(weak point)的自動修正(auto correct1n)的步驟，以節(jié)省整個OPC過程的時間。所述方法中包括3個步驟:(1)根據(jù)圖案設(shè)計規(guī)則以及自動修正規(guī)則，自動修正(modify)目標(biāo)缺陷點(target weak point) ; (2)執(zhí)行OPC模擬以及工藝窗口 OPC模擬驗證的步驟，來重新確定缺陷點的位置(迭代過程)；(3)輸出自動修正結(jié)果和最終OPC模型，并用于進(jìn)行核查。本發(fā)明所述的OPC修正方法對于沒有缺陷點的版圖來說，其OPC修正時間沒有增加，對于具有缺陷點的版圖來說，其OPC修正時間僅僅增加了 10%，相對于現(xiàn)有技術(shù)節(jié)省了大量的時間。
[0105]本發(fā)明所述OPC修正方法的優(yōu)點在于:
[0106](I)本發(fā)明所述方法運行一步OPC修正步驟即可輸出得到OPC模型，節(jié)省了整個OPC過程的時間。
[0107](2)僅僅含有缺陷點的芯片的OPC修正運行時間增加10%，相比針對整個芯片重新運行OPC修正節(jié)省了大量的時間。
[0108](3)所述OPC修正方法應(yīng)用廣泛，特別適用于在后段制程中圖層的輸出。
[0109]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項】
1.一種光學(xué)臨近修正的方法，包括: 步驟(a)根據(jù)目標(biāo)版圖，制備初始OPC模型； 步驟(b)選用所述初始OPC模型進(jìn)行常規(guī)模擬和檢查步驟，以及選用所述OPC模型進(jìn)行工藝窗口 OPC模擬和檢查步驟； 步驟(c)查找缺陷點，若沒有缺陷點則將所述初始OPC模型作為最終OPC模型，執(zhí)行步驟⑷， 若查找到缺陷點則對所述缺陷點進(jìn)行自動修正，然后對修正后的缺陷點進(jìn)行工藝窗口OPC模擬，并進(jìn)行檢查，至沒有缺陷點為止，并輸出最終OPC模型； 步驟(d)根據(jù)所述最終OPC模型，制備光刻掩膜板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(a)進(jìn)一步包括以下步驟: 步驟(a-Ι)收集提供的版圖圖案的數(shù)據(jù)； 步驟(a-2)根據(jù)步驟(a-Ι)中所述數(shù)據(jù)以及所述目標(biāo)版圖的設(shè)計規(guī)則進(jìn)行邏輯運算； 步驟(a-3)根據(jù)所述邏輯運算結(jié)果，輸出OPC模型； 步驟(a-4)對所述OPC模型進(jìn)行OPC修正，以得到所述初始OPC模型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述工藝窗口OPC模擬是在考慮實際生產(chǎn)工藝的影響因素之后進(jìn)行的模擬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(c)中，在自動修正之后，在對修正后的缺陷點進(jìn)行工藝窗口 OPC模擬之前，還包含對修正后的缺陷點進(jìn)行常規(guī)模擬的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(c)進(jìn)一步包含以下步驟: 步驟(c-Ι)在查找到缺陷點后，根據(jù)缺陷點自動修正規(guī)則對所述缺陷點進(jìn)行自動修正； 步驟(c-2)將修正后的所述缺陷點進(jìn)行工藝窗口 OPC模擬； 步驟(c-3)進(jìn)一步查找缺陷點，若沒有查找到缺陷點，則輸出該模型，以作為最終OPC模型，執(zhí)行步驟(d);若仍查找到缺陷點，則重復(fù)執(zhí)行步驟(c-Ι)和步驟(c-2)至沒有缺陷點為止。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟(c-3)中還進(jìn)一步包含以下子步驟: (c-3-l)若在步驟(c-2)中仍查找到缺陷點，則重復(fù)執(zhí)行步驟(c-1)和步驟(c-2)，重復(fù)自動修正后沒有查找到缺陷點，則輸出所述最終OPC模型； (c-3-2)重復(fù)自動修正步驟后，仍然查找到缺陷點，則查看所述缺陷點是否在非核心區(qū)，若所述缺陷點在非核心區(qū)則對所述缺陷點的所述自動修正規(guī)則進(jìn)行改進(jìn)，然后繼續(xù)執(zhí)行步驟(c-Ι)和步驟(c-2)，重復(fù)該步驟至缺陷點消失為止。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述自動修正規(guī)則通過所述目標(biāo)版圖設(shè)計規(guī)則進(jìn)行制定。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(c)中還進(jìn)一步包括以下步驟: 對所述缺陷點進(jìn)行自動修正后，進(jìn)一步重新檢查其它位置是否產(chǎn)生新的缺陷點。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，若在其他部位產(chǎn)生新的缺陷點，則對所述新的缺陷點進(jìn)行自動修正，至所述新的缺陷點消失為止。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種光學(xué)臨近修正的方法，包括：步驟（a）根據(jù)目標(biāo)版圖，制備初始OPC模型；步驟（b）選用所述初始OPC模型進(jìn)行常規(guī)模擬和檢查步驟，以及選用所述OPC模型進(jìn)行工藝窗口OPC模擬和檢查步驟；步驟（c）查找缺陷點，若沒有缺陷點則將所述初始OPC模型作為最終OPC模型，執(zhí)行步驟（d），若查找到缺陷點則對所述缺陷點進(jìn)行自動修正，然后對修正后的缺陷點進(jìn)行工藝窗口OPC模擬，并進(jìn)行檢查，至沒有缺陷點為止，并輸出最終OPC模型；步驟（d）根據(jù)所述最終OPC模型，制備光刻掩膜板。本發(fā)明所述OPC修正方法的優(yōu)點在于所述方法運行一步OPC修正步驟即可輸出得到OPC模型，節(jié)省了整個OPC過程的時間。
【IPC分類】G03F1-36
【公開號】CN104714362
【申請?zhí)枴緾N201310695777
【發(fā)明人】王鐵柱
【申請人】中芯國際集成電路制造(北京)有限公司, 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2015年6月17日
【申請日】2013年12月17日
【公告號】US20150169820