源或LED光源外形成。
[0098]此外，在本實(shí)施例中，進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第二電極202采用反射率大于預(yù)設(shè)值的金屬制成，用于將所述第一發(fā)光層203發(fā)出的光反射至所述第一遮光罩結(jié)構(gòu)的開口。采用上述方案，電致發(fā)光組件中的第二電極202可以采用反射率大于預(yù)設(shè)值的高反射金屬制成，例如:采用反射率大于38%的銅或者反射率大于92%的鋁等金屬制成，能保證光源結(jié)構(gòu)200所發(fā)出的光不從光源結(jié)構(gòu)200的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)出射，而是從第一遮光罩結(jié)構(gòu)的開口反射至陣列基板一側(cè)的導(dǎo)光板30中。
[0099]此外，在本實(shí)施例中，優(yōu)選的，所述第一遮光層204也可以采用反射率大于預(yù)設(shè)值的金屬制成，用于將所述第一發(fā)光層203發(fā)出的光反射至所述第一遮光罩結(jié)構(gòu)的開口。采用上述方案，所述第一遮光層204可以采用反射率大于預(yù)設(shè)值的高反射金屬制成，例如:采用反射率大于38%的銅或者反射率大于92%的鋁等金屬制成，能保證光源結(jié)構(gòu)200所發(fā)出的光反射到陣列基板一側(cè)的導(dǎo)光板30中。
[0100]應(yīng)當(dāng)理解的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一遮光層204也可以采用其他結(jié)構(gòu)，例如采用黑膠帶，而可以在所述第一遮光層204的內(nèi)側(cè)設(shè)置反射層來使得光源結(jié)構(gòu)200所發(fā)出的光反射到陣列基板一側(cè)的導(dǎo)光板30中。
[0101 ] 此外，如圖3所示，在本實(shí)施例中，進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第一遮光層204與所述第二電極202連接為一體，且所述第一遮光層204與所述第一電極201之間設(shè)置有第一絕緣層205。
[0102]采用上述方案，可以將第二電極202和所述第一遮光層204通過一次工藝同時形成，且所述第一遮光層204與所述第一電極201之間設(shè)置第一絕緣層，以保證所述第一電極201與所述第二電極202相互絕緣，第一電極201和第二電極202分別作為電致發(fā)光組件的兩個電極與顯示面板電連接，以形成電場來激發(fā)第一發(fā)光層203發(fā)光。
[0103]當(dāng)然可以理解的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第二電極202和所述第一遮光層204也可以采用不同材質(zhì)形成，第二電極202與第一遮光層204可以絕緣設(shè)置，此時，所述第一遮光層204與所述第一電極201之間即可不再設(shè)置所述第一絕緣層。
[0104]此外，如圖3所示，所述電致發(fā)光發(fā)光組件還可以包括形成于所述第一發(fā)光層203與所述第二電極202之間以及所述第一發(fā)光層203與所述第一遮光層204之間的第一介電體層206。
[0105]實(shí)施例2
[0106]在本發(fā)明所提供的第二種實(shí)施例中，所述顯示基板為陣列基板。
[0107]圖5所示為本實(shí)施例中所提供的顯示基板作為陣列基板時的結(jié)構(gòu)示意圖，其中對于與本發(fā)明無關(guān)的部分結(jié)構(gòu)在圖中未示出。
[0108]圖6所示為采用本實(shí)施例中所提供的顯示基板作為陣列基板的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，其中對于與本發(fā)明無關(guān)的部分結(jié)構(gòu)在圖中未示出。
[0109]如圖5和圖6所示，當(dāng)所述顯示基板為陣列基板20時，所述襯底基板包括相對的第三表面103和第四表面104 ;其中，所述第三表面103的顯示區(qū)域設(shè)置有薄膜晶體管(未示出)，所述襯底基板的第四表面104的周邊區(qū)域設(shè)置有所述光源結(jié)構(gòu)200，且所述光源結(jié)構(gòu)200的發(fā)光面背向所述襯底基板的第四表面104。
[0110]上述方案中，將光源結(jié)構(gòu)200集成在陣列基板20上，由于彩膜基板10和陣列基板20對盒后，由于彩膜基板10與陣列基板20之間的空間有限，因此，優(yōu)選的，在本實(shí)施例中，該光源結(jié)構(gòu)200位于陣列基板20的外側(cè)(即陣列基板20的遠(yuǎn)離彩膜基板10的一側(cè))；
[0111]并且，如圖5和圖6所不，當(dāng)所述顯不基板為液晶顯不面板的陣列基板20時，其背光模組通常設(shè)置于陣列基板20的遠(yuǎn)離彩膜基板10的一側(cè)，因此陣列基板20上所集成的光源結(jié)構(gòu)200，其發(fā)射的光需在所述遮光結(jié)構(gòu)的限定下，朝向遠(yuǎn)離彩膜基板10—側(cè)方向出射至位于其遠(yuǎn)離彩膜基板10的一側(cè)的導(dǎo)光板30上，此時導(dǎo)光板30上至少包括與顯示面板的周邊區(qū)域上的光源結(jié)構(gòu)200位置相對應(yīng)的入光部分，所述光源結(jié)構(gòu)200所發(fā)出的光需通過所述遮擋結(jié)構(gòu)朝預(yù)定方向出射至所述導(dǎo)光板30的入光部分后，再經(jīng)導(dǎo)光板30出射至陣列基板20和彩膜基板10的顯示區(qū)域，因此，在本實(shí)施例中，所述光源結(jié)構(gòu)200的發(fā)光面設(shè)計(jì)為背向所述襯底基板的第四表面104，以使得所述光源結(jié)構(gòu)200所發(fā)出的光朝向位于陣列基板20的遠(yuǎn)離彩膜基板10的一側(cè)的導(dǎo)光板30出射。
[0112]在本實(shí)施例中，優(yōu)選的，如圖5所示，所述遮光結(jié)構(gòu)包括:
[0113]形成于所述襯底基板的第四表面104上的第三遮光部，所述第三遮光部包括第二遮光罩結(jié)構(gòu)，所述第二遮光罩結(jié)構(gòu)具有一開口，所述光源結(jié)構(gòu)200設(shè)于所述第二遮光罩結(jié)構(gòu)內(nèi)，且所述第二遮光罩結(jié)構(gòu)的開口背向所述襯底基板的第四表面104，用于使得光源結(jié)構(gòu)200所出射的光從所述第二遮光罩結(jié)構(gòu)的開口出射。
[0114]采用上述方案，可以通過在陣列基板20的第四表面104的周邊區(qū)域設(shè)置第三遮光部，且該第三遮光部的開口朝向襯底基板的第二表面102，以使得光源結(jié)構(gòu)200所出射的光朝向陣列基板20 —側(cè)的導(dǎo)光板30出射。
[0115]此外，在本實(shí)施例中，所述光源結(jié)構(gòu)200優(yōu)選的采用電致發(fā)光光源。應(yīng)當(dāng)理解的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述光源結(jié)構(gòu)200也可以采用LED光源等。其中采用電致發(fā)光光源與采用LED光源相比，結(jié)構(gòu)更加簡單。具體地，該電致發(fā)光光源可以包括電致發(fā)光組件，所述電致發(fā)光組件包括:
[0116]形成于所述襯底基板的第四表面104上的不透光的第三電極601 ；
[0117]形成于所述第三電極601的遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，并與所述第三電極601相對的可透光的第四電極602 ；
[0118]以及形成于所述第三電極601和所述第四電極602之間的第二發(fā)光層603 ；
[0119]其中在所述第三電極601和所述第四電極602之間設(shè)置有圍設(shè)在所述第二發(fā)光層603四周的第二遮光層604，且所述第二遮光層604與所述第三電極601配合，形成所述第二遮光罩結(jié)構(gòu)。
[0120]上述方案中，利用電致發(fā)光組件中的不透光的第三電極601與第二發(fā)光層603外側(cè)圍設(shè)的第二遮光層604直接形成所述第二遮光罩結(jié)構(gòu)，其是通過對電致發(fā)光組件自身結(jié)構(gòu)的改進(jìn)來直接形成光源結(jié)構(gòu)200以及所述遮光結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)更加簡單。
[0121]應(yīng)當(dāng)理解的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述電致發(fā)光組件的結(jié)構(gòu)也可以是與現(xiàn)有技術(shù)中的電致發(fā)光光源的結(jié)構(gòu)相同，而第二遮光罩結(jié)構(gòu)也可以是直接在電致發(fā)光光源或LED光源外罩設(shè)一開口朝向襯底基板的第四表面104的不透光罩結(jié)構(gòu)即可，例如該不透光罩結(jié)構(gòu)可以是利用黑膠帶粘貼在電致發(fā)光光源或LED光源外形成。
[0122]此外，在本實(shí)施例中，進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第三電極601采用反射率大于預(yù)設(shè)值的金屬制成，用于將所述第二發(fā)光層603發(fā)出的光反射至所述第二遮光罩結(jié)構(gòu)的開口。采用上述方案，電致發(fā)光組件中的第三電極601可以采用反射率大于預(yù)設(shè)值的高反射金屬制成，例如:采用反射率大于38%的銅或者反射率大于92%的鋁等金屬制成，能保證光源結(jié)構(gòu)200所發(fā)出的光不會從光源結(jié)構(gòu)200的靠近襯底基板的一側(cè)出射，而是從第二遮光罩結(jié)構(gòu)的開口反射至陣列基板20 —側(cè)的導(dǎo)光板30中。
[0123]此外，在本實(shí)施例中，優(yōu)選的，所述第二遮光層604也可以采用反射率大于預(yù)設(shè)值的金屬制成，用于將所述第二發(fā)光層603發(fā)出的光反射至所述第二遮光罩結(jié)構(gòu)的開口。采用上述方案，所述第二遮光層604可以采用反射率大于預(yù)設(shè)值的高反射金屬制成，例如:采用反射率大于38%的銅或者反射率大于92%的鋁等金屬制成，能保證光源結(jié)構(gòu)200所發(fā)出的光反射到陣列基板20 —側(cè)的導(dǎo)光板30中。
[0124]應(yīng)當(dāng)理解的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第二遮光層604也可以采用其他結(jié)構(gòu)，例如采用黑膠帶，而可以在所述第二遮光層604的內(nèi)側(cè)設(shè)置反射層來使得光源結(jié)構(gòu)200所發(fā)出的光反射到陣列基板20 —側(cè)的導(dǎo)光板30中。
[0125]此外，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第三電極601還可以是透明電極，將陣列基板20上集成光源結(jié)構(gòu)時，還可以是在彩膜基板10的第一表面101的周邊區(qū)域設(shè)置框架結(jié)構(gòu)401，并在框架結(jié)構(gòu)401的中空區(qū)4011所對應(yīng)的位置設(shè)置一不透光的反射層，以使得光源結(jié)構(gòu)發(fā)出的光經(jīng)反射層反射至導(dǎo)光板30。
[0126]此外，如圖5所示，在本實(shí)施例中，進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第二遮光層604與所述第三電極601連接為一體，且所述第二遮光層604與所述第四電極602之間設(shè)置有第二絕緣層606。采用上述方案，可以將第三電極601和所述第二遮光層604通過一次工藝同時形成，且所述第