一種tft陣列基板、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT陣列基板、顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前來(lái)說(shuō)，為了實(shí)現(xiàn)顯示產(chǎn)品的輕薄化，在顯示面板的掃描驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上，一般會(huì)采用陣列基板行驅(qū)動(dòng)(Gate Driver on Array，GOA)技術(shù)即將柵極開(kāi)關(guān)電路集成在陣列基板上形成對(duì)顯示面板的逐行掃描驅(qū)動(dòng)，從而替代原先的單獨(dú)的柵極驅(qū)動(dòng)集成電路部分的設(shè)計(jì)。如圖1所示，位于陣列基板上的非晶娃柵極驅(qū)動(dòng)電路100(a_Si Shift Register，ASG，簡(jiǎn)稱(chēng)柵極驅(qū)動(dòng)電路)一般設(shè)置在顯示區(qū)101的一側(cè)或者兩側(cè)，會(huì)占用顯示面板的邊框區(qū)域的較大面積，而目前顯示產(chǎn)品的主流設(shè)計(jì)是要求盡量減少邊框區(qū)域的面積。
[0003]如圖2所示，圖2為柵極驅(qū)動(dòng)電路1000中各個(gè)部件布局的示意圖。一般來(lái)說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)電路1000包括ASG (a-Si Shift Register，移位寄存器)Bus (共通)走線111、ASG電容112及ASG TFT器件113，現(xiàn)有技術(shù)中，ASG電容112所包括兩塊電極板，通常采用的是柵極金屬層112b和源/漏極金屬層112a。但是由于柵極金屬層112b或源漏極金屬層112a一般是由不透光的材料制成，故這種不透光的ASG電容112會(huì)影響顯示面板邊框的透過(guò)率，在紫外光照射固化封框膠時(shí)，由于ASG電容區(qū)域不透光，從而使得封框膠固化不良。
[0004]由柵極驅(qū)動(dòng)電路的元件基本都是布置在陣列基板上的非顯示區(qū)，必定是占用較大的空間，從而使得實(shí)現(xiàn)窄邊框或者無(wú)邊框的設(shè)計(jì)理念變更較為困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種TFT陣列基板、顯示面板及顯示裝置。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示范性的實(shí)施例，提供一種TFT陣列基板，包括:基板，所述基板包括顯示區(qū)；
[0007]所述基板上設(shè)置有柵極金屬層，位于所述柵極金屬層上的半導(dǎo)體層，位于所述半導(dǎo)體層上的源漏極金屬層和位于所述源漏極金屬層上的公共電極層；
[0008]所述基板上還設(shè)置有覆蓋所述公共電極層的像素電極層；
[0009]所述顯示區(qū)包括多條形成于柵極金屬層上的掃描線、多條形成于源漏極金屬層上的數(shù)據(jù)線、多條所述掃描線與多條所述數(shù)據(jù)線交錯(cuò)定義出多個(gè)呈陣列布置的子像素；
[0010]多個(gè)所述子像素相互分離設(shè)置，并形成有留空區(qū)；
[0011]所述顯示區(qū)還包括多個(gè)設(shè)置于所述留空區(qū)的柵極驅(qū)動(dòng)電路元件；且所述公共電極層覆蓋所述柵極驅(qū)動(dòng)電路元件。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示范性的實(shí)施例，提供一種顯示面板，包括上述的TFT陣列基板、彩膜基板及位于兩者之間的顯示介質(zhì)層。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示范性的實(shí)施例，提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板。
[0014]通過(guò)上述技術(shù)方案，本發(fā)明公開(kāi)了一種TFT陣列基板、顯示面板及顯示裝置，通過(guò)將柵極驅(qū)動(dòng)電路及其柵極驅(qū)動(dòng)電路元件集成在顯示區(qū)中，從而節(jié)省了現(xiàn)有技術(shù)中在非顯示區(qū)即邊框區(qū)域布置柵極驅(qū)動(dòng)電路元件的空間，從而可以實(shí)現(xiàn)窄邊框甚至無(wú)邊框設(shè)計(jì)。
【附圖說(shuō)明】
[0015]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中公開(kāi)的一柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)示意圖；
[0017]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中公開(kāi)的又一柵極驅(qū)動(dòng)電路區(qū)示意圖；
[0018]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中公開(kāi)的一種柵極驅(qū)動(dòng)電路ASG示意圖；
[0019]圖4為圖3中柵極驅(qū)動(dòng)電路ASG的等效電路圖；
[0020]圖5為本發(fā)明實(shí)施例中公開(kāi)的一種陣列基板示意圖；
[0021]圖6為本發(fā)明實(shí)施例中公開(kāi)的一個(gè)像素單元P的放大示意圖；
[0022]圖7為圖6中沿aa線方向的截面示意圖；
[0023]圖8為本發(fā)明實(shí)施例中公開(kāi)的信號(hào)控制線的布置方式一示意圖；
[0024]圖9為本發(fā)明實(shí)施例中公開(kāi)的信號(hào)控制線的布置方式又一示意圖；
[0025]圖10為圖9中沿bb線方向的截面示意圖；
[0026]圖11為本發(fā)明實(shí)施例中公開(kāi)的TFT的布置方式示意圖；
[0027]圖12為圖11中沿cc線方向的截面示意圖；
[0028]圖13為本發(fā)明實(shí)施例中公開(kāi)的二極管型的TFT的布置方式示意圖；
[0029]圖14為圖11中沿dd線方向的截面示意圖；
[0030]圖15為本發(fā)明實(shí)施例中公開(kāi)的一電容器布置方式示意圖；
[0031]圖16為圖11中沿ee線方向的截面示意圖；
[0032]圖17為本發(fā)明實(shí)施例中公開(kāi)的另一電容器布置方式示意圖；
[0033]圖18為本發(fā)明實(shí)施例中公開(kāi)的又一電容器布置方式示意圖；
[0034]圖19為本發(fā)明實(shí)施例中公開(kāi)的一電容器等效電路圖；
[0035]圖20為本發(fā)明實(shí)施例中公開(kāi)的一種顯示面板示意圖；
[0036]圖21為本發(fā)明實(shí)施例中公開(kāi)的一種顯示裝置示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0038]附圖中各器件的形狀和大小不反映其真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0039]如圖3_圖7所不，本發(fā)明公開(kāi)了一種TFT陣列基板1，包括:一基板11，在基板11上包括顯示區(qū)AA和非顯示區(qū)；其中，
[0040]如圖7(圖7為圖6中沿aa虛線的截面圖)所示，基板11上設(shè)置有柵極金屬層12、覆蓋柵極金屬層12的半導(dǎo)體層13、覆蓋半導(dǎo)體層13的源漏極金屬層14和覆蓋所述源漏極金屬層的公共電極層16 ;
[0041]另外，基板11上還設(shè)置覆蓋所述公共電極層16的像素電極層17。
[0042]如圖5-7所示，在顯示區(qū)內(nèi)設(shè)有多條形成于柵極金屬層12上的掃描線、多條形成于源漏極金屬層14上的數(shù)據(jù)線、多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線交錯(cuò)定義出多個(gè)呈陣列布置的子像素；其中，多個(gè)子像素相互分離設(shè)置，并形成有留空區(qū)(如圖5中的虛線方框所示)；
[0043]如圖3-4所示，在顯示區(qū)AA中還包括多個(gè)設(shè)置于留空區(qū)(如圖5中的虛線方框所示)的柵極驅(qū)動(dòng)電路ASG元件；另外，為了避免柵極驅(qū)動(dòng)電路ASG工作時(shí)對(duì)陣列基板處于顯示狀態(tài)下的影響，需要設(shè)置公共電極層16將柵極驅(qū)動(dòng)電路ASG元件覆蓋，通過(guò)公共電極層16來(lái)屏蔽來(lái)自柵極驅(qū)動(dòng)電路ASG元件上的干擾信號(hào)。
[0044]繼續(xù)參考圖7(圖7為圖6中沿aa虛線的截面圖)所示，為了更好的屏蔽來(lái)自柵極驅(qū)動(dòng)電路ASG元件上的干擾信號(hào)對(duì)陣列基板處于顯示狀態(tài)下的影響，需要在源漏極金屬層14和公共電極層16之間設(shè)有第一非導(dǎo)電介質(zhì)層15。一般來(lái)說(shuō)，第一非導(dǎo)電介質(zhì)層15可以是鈍化層或有機(jī)膜層。對(duì)于鈍化層的材料，一般為氮化硅或者氧化硅等等。另外，為了進(jìn)一步的保證陣列基板在顯示狀態(tài)下的無(wú)干擾信號(hào)，對(duì)第一非導(dǎo)電介質(zhì)層15的厚度是有一定要求的，至少厚度為0.8 μ m，且小于等于5 μ m，在此厚度范圍內(nèi)，厚度越大，對(duì)干擾信號(hào)的屏蔽效果越好。當(dāng)然，從工藝的角度出發(fā)，較佳地，鈍化層或有機(jī)膜層的厚度范圍為2-3 μ m。在此厚度范圍內(nèi)，既可以保證對(duì)干擾信號(hào)屏蔽基本完全，同時(shí)膜層厚度合適，不會(huì)使得陣列基板的整體厚度過(guò)大，從而違背當(dāng)前技術(shù)中對(duì)產(chǎn)品輕薄化的要求。
[0045]繼續(xù)參考圖7所示，柵極金屬層12是被半導(dǎo)體層13所覆蓋，故從薄膜晶體管TFT的類(lèi)型來(lái)說(shuō)，是一種底柵結(jié)構(gòu)，即TFT的柵極是位于TFT的半導(dǎo)體之下。這種結(jié)構(gòu)，當(dāng)半導(dǎo)體層的材料為非晶硅(a-Si)半導(dǎo)體材料或氧化銦鎵鋅(IGZO)半導(dǎo)體材料，會(huì)使得TFT的工作性質(zhì)表現(xiàn)優(yōu)異，同時(shí)在工藝制程上更為簡(jiǎn)單易行。故，在本發(fā)明實(shí)施例中均以“底柵結(jié)構(gòu)”為例進(jìn)行闡述。
[0046]為了能夠在陣列基板上的顯示區(qū)AA中設(shè)置多個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路ASG