Lll連接。在本發(fā)明實施中，為了從工藝易行和降低成本的角度出發(fā)，第一連接走線Lll可以由柵極金屬層圖案化形成，從而實現(xiàn)第一連接走線Lll與對應(yīng)的信號控制線BI直接連接，無需另設(shè)跨橋結(jié)構(gòu)，使得金屬走線布置簡化。當(dāng)然，第一連接走線連接也可以由其他金屬層圖案化得到，例如源漏極金屬層，只有能夠?qū)崿F(xiàn)多個信號控制線之間在電學(xué)上的并聯(lián)即可。
[0074]另外，為了從金屬走線相互間的布置格局優(yōu)化的角度，第一連接走線Lll可以平行于數(shù)據(jù)線D、D2進行設(shè)置，也就是第一連接走線Lll與對應(yīng)的信號控制線BI同層交錯從而實現(xiàn)直接連接。另外，第一連接走線Lll可以設(shè)置在第三預(yù)設(shè)留空區(qū)G3、第四預(yù)設(shè)留空區(qū)G4或者第五預(yù)設(shè)留空區(qū)G5等等，以及設(shè)置多少個第一連接走線Lll可以實現(xiàn)信號控制線BI上的電阻最優(yōu)化，可以根據(jù)實際的情況而定，本發(fā)明不限于此。
[0075]以下將詳細闡述薄膜晶體管TFT在陣列基板上顯示區(qū)AA的具體設(shè)置方式:
[0076]如圖11-12所示(圖12是圖11中沿cc線方向的截面圖)，由于柵極驅(qū)動電路ASG中的薄膜晶體管TFT包括柵極gll、第一半導(dǎo)體Cl 11、源極sll和漏極dll。
[0077]其中，柵極gll包括平行于數(shù)據(jù)線D設(shè)置的第一柵極走線gill和平行于掃描線S設(shè)置的第二柵極走線gll2 ;其中，第一柵極走線gill是柵極gll的主體部分，第二柵極走線gll2起到將柵極gll與其他器件連接的作用，如連接外接控制信號、與其他TFT器件的柵極電連接等作用。
[0078]第一柵極走線gill和第二柵極走線gll2分別設(shè)置于第一預(yù)設(shè)留空區(qū)Gl和第五預(yù)設(shè)留空區(qū)G5中。另外，在本發(fā)明實施中，柵極gll與掃描線S是同層設(shè)置即均是由柵極金屬層圖案化形成；對于第一柵極走線gill和第二柵極走線gll2而言，由于是同一金屬層形成，故兩者是直接連接的，屬于一體化結(jié)構(gòu)，從工藝的角度來說是簡單易行的。當(dāng)然，柵極gll具體位置可以根據(jù)實際情況設(shè)置在其他的留空區(qū)，例如，僅設(shè)置于第三預(yù)設(shè)留空區(qū)G3、僅設(shè)置于第四預(yù)設(shè)留空區(qū)G4、設(shè)置于第三預(yù)設(shè)留空區(qū)G3和第一預(yù)設(shè)留空區(qū)Gl或者設(shè)置于第四預(yù)設(shè)留空區(qū)G4和第一預(yù)設(shè)留空區(qū)Gl均是可行的，本發(fā)明實施例并不限于此。僅以上述的設(shè)置方式為一示例，闡述柵極gll的具體設(shè)置方式。
[0079]對于第一半導(dǎo)體clll而言，由于是需要和柵極gll中主體部分第一柵極走線gill相對設(shè)置，故第一半導(dǎo)體Clll需要與第一柵極走線gill設(shè)置在相同的區(qū)域，在本發(fā)明實施例中第一半導(dǎo)體Clll是設(shè)置于第一預(yù)設(shè)留空區(qū)Gl中。如圖7和圖12所示，另外，第一半導(dǎo)體clll與子像素中的TFT的半導(dǎo)體是同層設(shè)置，即均由半導(dǎo)體層13圖案化形成。
[0080]對于源極sll的具體方式如下:
[0081 ] 源極sll包括平行于數(shù)據(jù)線D設(shè)置的第一源極走線sill和平行于掃描線S設(shè)置的第二源極走線sll2 ;其中，第一源極走線sill是源極sll的主體部分，第二源極走線sll2起到將源極s 11與其他器件連接的作用，如連接外接控制信號、與其他TFT器件的源極電連接等作用。
[0082]其中，第一源極走線sill由源漏極金屬層14圖案化形成，由于源極sll需要與第一半導(dǎo)體clll形成歐姆接觸，故第一源極走線sill需要與第一半導(dǎo)體clll相對設(shè)置，且位于第一預(yù)設(shè)留空區(qū)Gl中；另外，由于第二源極走線sll2的作用是連接外接信號等功能，如圖3-4所示，例如連接到信號控制線BI上，為了避免需要換線結(jié)構(gòu)而帶來的布線復(fù)雜問題，可以將第二源極走線sll2與信號控制線BI同層設(shè)置，在本發(fā)明實施例中可以通過柵極金屬層圖案化形成第二源極走線sll2。再者，為了實現(xiàn)第二源極走線sll2與信號控制線BI的電連接，可以將第二源極走線sll2垂直于信號控制線BI設(shè)置，具體來說，可以將第二源極走線sll2設(shè)置于第三預(yù)設(shè)留空區(qū)G3。當(dāng)然可以根據(jù)實際情況而定，本發(fā)明不限于此。
[0083]由于第一源極走線sill和第二源極走線sll2是異層設(shè)置，為了實現(xiàn)兩者的連通，可以采用第二過孔結(jié)構(gòu)K12電連接，如圖11和圖12所示。另外，第二過孔結(jié)構(gòu)K12的具體位置可以設(shè)置在第一源極走線sill和第二源極走線sll2的交疊區(qū)域，在本發(fā)明實施例中，即第二過孔結(jié)構(gòu)K12可以設(shè)置在第一預(yù)設(shè)留空區(qū)Gl和第三預(yù)設(shè)留空區(qū)G3的交疊區(qū)域。
[0084]對于漏極dll的具體方式如下:
[0085]漏極dl I包括平行于數(shù)據(jù)線D設(shè)置的第一漏極走線dl 11和平行于掃描線S設(shè)置的第二漏極走線dll2 ;其中，第一漏極走線dill是漏極dll的主體部分，第二漏極走線dll2起到將漏極dll與其他器件連接的作用，如連接外接控制信號、與其他TFT器件的漏極電連接等作用。
[0086]其中，第一漏極走線dill由源漏極金屬層14圖案化形成，由于漏極dll需要與第一半導(dǎo)體clll形成歐姆接觸，故第一漏極走線dill需要與第一半導(dǎo)體clll相對設(shè)置，且位于第一預(yù)設(shè)留空區(qū)Gl中；另外，由于第二漏極走線dll2的作用是連接外接信號等功能，如圖3-4所示，例如連接到信號控制線BI上，為了避免需要換線結(jié)構(gòu)而帶來的布線復(fù)雜問題，可以將第二漏極走線dll2與信號控制線BI同層設(shè)置，在本發(fā)明實施例中可以通過柵極金屬層圖案化形成第二漏極走線dll2。再者，為了實現(xiàn)第二漏極走線dll2與信號控制線BI的電連接，可以將第二漏極走線dll2垂直于信號控制線BI設(shè)置，使得兩者同層交錯，實現(xiàn)直接連接，具體來說，可以將第二漏極走線dll2設(shè)置于第預(yù)設(shè)四留空區(qū)G4。當(dāng)然可以根據(jù)實際情況而定，本發(fā)明不限于此。
[0087]由于第一漏極走線dill和第二漏極走線dll2是異層設(shè)置，為了實現(xiàn)兩者的連通，可以采用第三過孔結(jié)構(gòu)K13電連接，如圖11和圖12所示。另外，第三過孔結(jié)構(gòu)K13的具體位置可以設(shè)置在第一漏極走線dl 11和第二漏極走線dl 12的交疊區(qū)域，在本發(fā)明實施例中，即第三過孔結(jié)構(gòu)K13可以設(shè)置在第一留空區(qū)Gl和第四留空區(qū)G4的交疊區(qū)域。
[0088]另需說明的是，對于薄膜晶體管TFT而言，一般情況下，源極和漏極的功能和位置是可以互換的，故在本發(fā)明實施例中，源極sll和漏極dll的設(shè)置方式和具體位置可以相互調(diào)換。
[0089]繼續(xù)參考圖11和12所示，本發(fā)明實施例中的柵極動電路元件還包括至少一個薄膜晶體管組，具體來說，薄膜晶體管組包括多個設(shè)置于不同留空區(qū)的，相互并聯(lián)的薄膜晶體管TFT。以圖11和圖12中兩個相互并聯(lián)的薄膜晶體管TFT為例，兩者的柵極gll、源極sll、漏極dll相互并聯(lián)，具體為:兩個TFT的柵極gll通過各自的第二柵極走線gll2直接連接；兩個TFT的源極sll通過各自的第二源極走線Si 12直接連接；兩個TFT的漏極dll通過第二漏極走線dll2直接連接。
[0090]以上將多個薄膜晶體管TFT并聯(lián)形成薄膜晶體管組的原因與設(shè)置信號控制線組的目的是相同的，即降低電阻的作用。如果薄膜晶體管TFT中電阻較大，會使得薄膜晶體管TFT的響應(yīng)速度較慢或者閾值電壓不夠?qū)е卤∧ぞw管TFT無法正常開啟，從而影響薄膜晶體管TFT的工作性能，進而導(dǎo)致陣列基板在顯示時會出現(xiàn)畫面延遲等問題。故通過多個薄膜晶體管TFT相互并聯(lián)，降低電阻來克服以上問題。
[0091]當(dāng)然由于多個薄膜晶體管TFT相互并聯(lián)，故相互并聯(lián)的每個薄膜晶體管TFT上所施加的信號相同。
[0092]另外，該柵極驅(qū)動電路ASG中還可以包括二極管型的薄膜晶體管TFT，其結(jié)構(gòu)為將上述實施例中的三極管型的薄膜晶體管TFT中的柵極與源極短接，或者柵極與漏極短接。
[0093]如圖13和14所示(圖14是圖13沿dd線方向的截面示意圖)，由于本發(fā)明實施例中公開的二極管型的薄膜晶體管TFT是基于上述三極管型的薄膜晶體管TFT基礎(chǔ)之上的，其柵極g21 (包括第一柵極走線g211和第二柵極走線g212)、源極s21 (包括第一源極走線s211和第二源極走線s212)、漏極d21 (包括第一漏極走線d211和第二漏極走線d212)和第一半導(dǎo)體C211具體的結(jié)構(gòu)和布置位置可以與上述三極管型的薄膜晶體管TFT相同，在此就不再贅述。
[0094]以下將詳細闡述柵極與源/漏極的連接方式:
[0095]如圖13和14所示(圖14是圖13沿dd線方向的截面示意圖)，以柵極g21與漏極d21相互短接為例，兩者通過第二連接走線L12實現(xiàn)電連接。具體來說，