一種陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 陣列基板行驅(qū)動(dòng)（Gate Driver on Array，簡(jiǎn)稱GOA)電路技術(shù)為將柵極驅(qū)動(dòng)集成 電路集成于顯示裝置的陣列基板的周邊區(qū)域的電路技術(shù)，G0A電路技術(shù)可減小顯示裝置的 邊框，并可從材料成本和步驟工藝上節(jié)約成本。
[0003] 具體地，如圖1和圖2所示，G0A電路包括多個(gè)薄膜晶體管1'和位于薄膜晶體管 1'之間的柵極材料布線2'、源漏極材料布線3'和第一金屬布線4'，柵極材料布線2'和源 漏極材料布線3'之間設(shè)置有柵極絕緣層5'，源漏極材料布線3'和第一金屬布線4'之間設(shè) 置有鈍化層6'。其中，柵極材料布線2'和源漏極材料布線3'的延伸方向相互平行，第一金 屬布線4'的延伸方向與柵極材料布線2'和源漏極材料布線3'的延伸方向相互垂直，第一 金屬布線4'與柵極材料布線2'或源漏極材料布線3'電連接。
[0004] 發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于鈍化層6'的厚度通常為2000A，因而第一金屬布線4'跨越源 漏極材料布線3'位置處容易發(fā)生靜電擊穿，從而使得陣列基板周邊區(qū)域內(nèi)的布線之間容易 發(fā)生靜電擊穿。若通過(guò)增加鈍化層6'的厚度的方式降低靜電擊穿的概率，將會(huì)導(dǎo)致在對(duì)鈍 化層6'與柵極絕緣層5' 一起進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中，刻蝕時(shí)間較長(zhǎng)，導(dǎo)致源漏極頂部的金屬形 成過(guò)刻，且由于第一金屬布線4'與源漏極材料布線3'之間的連接孔過(guò)深，且鈍化層6'上 的過(guò)孔和其上方的樹(shù)脂層上的過(guò)孔半搭接以形成連接孔，因此，將會(huì)導(dǎo)致二者之間出現(xiàn)連 接不良。因而簡(jiǎn)單地增加鈍化層6'的厚度無(wú)法降低陣列基板周邊區(qū)域內(nèi)的布線之間發(fā)生 靜電擊穿的概率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種陣列基板及顯示裝置，可以降低陣列基 板周邊區(qū)域內(nèi)的布線之間發(fā)生靜電擊穿的概率。
[0006] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：
[0007] -種陣列基板，所述陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有多條柵極材料布線、多條源漏 極材料布線和多條第一金屬布線，所述柵極材料布線與所述源漏極材料布線和所述第一金 屬布線之間具有交疊區(qū)域，所述源漏極材料布線與所述第一金屬布線之間的交疊區(qū)域的數(shù) 量小于所述源漏極材料布線與所述柵極材料布線之間的交疊區(qū)域的數(shù)量，所述多條柵極材 料布線、所述多條源漏極材料布線和所述多條第一金屬布線均用作所述周邊區(qū)域的電路的 連接線。
[0008] 所述周邊區(qū)域包含主要布線區(qū)域，在所述主要布線區(qū)域中，所述源漏極材料布線 和所述第一金屬布線無(wú)交疊區(qū)域，所述柵極材料布線與所述源漏極材料布線和所述第一金 屬布線有交疊區(qū)域。
[0009] 在所述主要布線區(qū)域中，所述源漏極材料布線的延伸方向與所述第一金屬布線的 延伸方向平行，所述柵極材料布線的延伸方向與所述源漏極材料布線和所述第一金屬布線 的延伸方向相互垂直。
[0010] 所述陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有柵極絕緣層和鈍化層，所述柵極絕緣層和所述 鈍化層位于所述柵極布線層和所述第一金屬布線所在的金屬布線層之間。
[0011] 所述柵極絕緣層位于所述柵極材料布線所在的柵極布線層和所述源漏極材料布 線所在的源漏極布線層之間。
[0012] 所述陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有薄膜晶體管，所述第一金屬布線與所述薄膜 晶體管的柵極、源極或者漏極電連接。
[0013] 所述柵極絕緣層和所述鈍化層上設(shè)置有過(guò)孔，所述第一金屬布線通過(guò)所述過(guò)孔與 所述薄膜晶體管的柵極電連接。
[0014] 所述陣列基板的顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)置有公共電極以及位于所述公共電極上且與所述 公共電極電連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第一金屬布線同層設(shè)置且同時(shí)形成。
[0015] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種具有如上所述結(jié)構(gòu)的陣列基板，由于周邊區(qū)域的柵極材 料布線和源漏極材料布線之間至少具有一層較厚的絕緣層，因而柵極材料布線和源漏極材 料布線之間的交疊區(qū)域不會(huì)發(fā)生靜電擊穿；由于柵極材料布線和第一金屬布線之間至少具 有兩層絕緣層，因而柵極材料布線和第一金屬布線之間的交疊區(qū)域不會(huì)發(fā)生靜電擊穿；并 且，雖然源漏極材料布線和第一金屬布線之間的絕緣層厚度和現(xiàn)有技術(shù)中相同，但是由于 源漏極材料布線和第一金屬布線之間的交疊區(qū)域的數(shù)量小于源漏極材料布線和柵極材料 布線（柵極材料布線的膜層位置和現(xiàn)有技術(shù)中的第一金屬布線的膜層位置相同）之間的交 疊區(qū)域的數(shù)量，因而相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言，源漏極材料布線和第一金屬布線之間的交疊區(qū) 域的數(shù)量減少或者無(wú)交疊區(qū)域，從而可以降低陣列基板周邊區(qū)域內(nèi)的布線之間發(fā)生靜電擊 穿的概率。
[0016] 此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如上實(shí)施例所述 的陣列基板。
【附圖說(shuō)明】
[0017] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述 中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些 實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附 圖獲得其他的附圖。
[0018] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的周邊區(qū)域的局部示意圖；
[0019] 圖2為圖1中沿AA'的剖面圖；
[0020]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的周邊區(qū)域的局部示意圖；
[0021] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的周邊區(qū)域的局部示意圖；
[0022] 圖5為圖3中沿BB'的剖面圖；
[0023] 圖6為圖3中沿CC'的剖面圖；
[0024] 圖7為圖3中沿DD'的剖面圖。
[0025] 附圖標(biāo)記說(shuō)明：
[0026] 1 一柵極材料布線；2-源漏極材料布線；3-第一金屬布線；
[0027] 4-柵極絕緣層； 5-鈍化層； 6-薄膜晶體管。
【具體實(shí)施方式】
[0028] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā) 明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施 例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0029] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖3所示，該陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置 有多條柵極材料布線1、多條源漏極材料布線2和多條第一金屬布線3,柵極材料布線1與 源漏極材料布線2和第一金屬布線3之間具有交疊區(qū)域，源漏極材料布線2與第一金屬布 線3之間的交疊區(qū)域的數(shù)量小于源漏極材料布線2與柵極材料布線1之間的交疊區(qū)域的數(shù) 量，多條柵極材料布線1、多條源漏極材料布線2和多條第一金屬布線3均用作周邊區(qū)域的 電路的連接線。
[0030] 由于柵極材料布線1和源漏極材料布線2之間至少具有一層絕緣層，示例性地， 柵極材料布線1和源漏極材料布線2之間具有柵極絕緣層，該絕緣層的厚度通常大于 2000A,因而柵極材料布線1和源漏極材料布線2之間的交疊區(qū)域不會(huì)發(fā)生靜電擊穿；由 于柵極材料布線1和第一金屬布線3之間至少具有兩層絕緣層，示例性地，柵極材料布線1 和第一金屬布線3之間具有柵極絕緣層和鈍化層，因而柵極材料布線1和第一金屬布線3 之間的交疊區(qū)域不會(huì)發(fā)生靜電擊穿；并且，雖然源漏極材料布線2和第一金屬布線3之間的 絕緣層厚度與現(xiàn)有技術(shù)中相同，但是由于源漏極材料布線2和第一金屬布線3的交疊區(qū)域 的數(shù)量小于源漏極材料布線2與柵極材料布線1 (柵極材料布線1的膜層位置與現(xiàn)有技術(shù) 中的第一金屬布線1'的膜層位置相同）的交疊區(qū)域的數(shù)量，因而相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言，源 漏極材料布線2和第一金屬布線3之間的交疊區(qū)域的數(shù)量減小或者無(wú)交疊區(qū)域，因而，可以 降低陣列基板周邊區(qū)域內(nèi)的布線之間發(fā)生靜電擊穿的概率。
[0031] 在上述實(shí)施例中，如圖3和圖4所示，周邊區(qū)域包含主要布線區(qū)域R，在主要布線區(qū) 域R中，源漏極材料布線2和第一金屬布線3無(wú)交疊區(qū)域，柵極材料布線1與源漏極材料布 線2和第一金屬布線3有交疊區(qū)域。由于在主要布線區(qū)域R中源漏極材料布線2和第一金 屬布線3之間無(wú)交疊區(qū)域，因而在主要布線區(qū)域R內(nèi)不會(huì)發(fā)生靜電擊穿。
[0032] 進(jìn)一步地，在主要布線區(qū)域R中，源漏極材料布線2的延伸方向與第一金屬布線3 的延伸方向平行，柵線材料布線1的延伸方向與源漏極材料布線2和第一金屬布線3的延 伸方向相互垂直。如此設(shè)計(jì)，可使源漏極材料布線2和第一金屬布線3之間不會(huì)具有交疊區(qū) 域，可進(jìn)一步降低陣列基板周邊區(qū)域內(nèi)的布線之間發(fā)生靜電擊穿的概率。需要說(shuō)明的是，以 上所述的布線的延伸方向相互平行或者垂直，并不是指布線一定為直線向某個(gè)方向延伸， 布線可以具有一定的彎折，只要其主要向某個(gè)方向延伸即可。
[0033] 需要說(shuō)明的是，如圖3和圖4所示，源漏極材料布線2和第一金屬布線3的交疊區(qū) 域的數(shù)量小于源漏極材料布線2與柵極材料布