線1的交疊區(qū)域的數(shù)量，可包括兩種情形：
[0034] 第一種情形，如圖3所示，在周邊區(qū)域的其余布線區(qū)域中，源漏極材料布線2與第 一金屬布線3有交疊區(qū)域，由于源漏極材料布線2和第一金屬布線3之間的交疊區(qū)域的總 數(shù)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于現(xiàn)有技術(shù)中可發(fā)生靜電擊穿的源漏極材料布線和第一金屬布線之間的交疊 區(qū)域的總數(shù)量，因而與現(xiàn)有技術(shù)相比，雖然源漏極材料布線2和第一金屬布線3之間的絕緣 層厚度不變，但是交疊區(qū)域的總數(shù)量減小很多，從而使得陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)的布線之 間發(fā)生靜電擊穿的概率減小。
[0035] 第二種情形，如圖4所示，在周邊區(qū)域的其余布線區(qū)域中，源漏極材料布線2和第 一金屬布線3無(wú)交疊區(qū)域。具體地，可通過(guò)改變?cè)绰O材料布線2和柵極材料布線1的電 連接的位置，使源漏極材料布線2和第一金屬布線3之間無(wú)交疊區(qū)域。
[0036] 由于源漏極材料布線2和第一金屬布線3之間無(wú)交疊區(qū)域，因而源漏極材料布線2 和第一金屬布線3之間不會(huì)發(fā)生靜電擊穿，使得陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)的布線之間不會(huì)發(fā) 生靜電擊穿，所以優(yōu)選采用第二種情形中源漏極材料布線2和第一金屬布線3的結(jié)構(gòu)作為 本發(fā)明實(shí)施例中源漏極材料布線2和第一金屬布線3的結(jié)構(gòu)。
[0037] 進(jìn)一步地，如圖5所示，陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有柵極絕緣層4和鈍化層5， 其中，柵極絕緣層4和鈍化層5位于柵極材料布線1所在的柵極布線層和第一金屬布線3 所在的金屬布線層之間。由于陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)僅設(shè)置有一層?xùn)艠O絕緣層4和一層鈍 化層5,因而在降低陣列基板周邊區(qū)域內(nèi)布線之間發(fā)生靜電擊穿的概率的同時(shí)，可節(jié)約生產(chǎn) 成本。
[0038] 進(jìn)一步地，如圖6所示，柵極絕緣層4位于柵極材料布線1所在的柵極布線層和源 漏極材料布線2所在的源漏極布線層之間。由于陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)僅設(shè)置有一層?xùn)艠O 絕緣層4,因而在降低陣列基板周邊區(qū)域內(nèi)布線之間發(fā)生靜電擊穿的概率的同時(shí)，可節(jié)約生 產(chǎn)成本。
[0039] 可選地，柵極絕緣層4的厚度為4000A，鈍化層5的厚度為2000A,由于無(wú)需 增加鈍化層5的厚度即可降低陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)的布線之間發(fā)生靜電擊穿的概率，因 而可以節(jié)約生產(chǎn)成本。
[0040] 進(jìn)一步地，如圖3和圖4所示，柵極材料布線1與源漏極材料布線2或第一金屬布 線3電連接。其中，柵極材料布線1、源漏極材料布線2和第一金屬布線3可傳輸柵線驅(qū)動(dòng) 信號(hào)、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)信號(hào)，還可傳輸其他信號(hào)，并且，源漏極材料布線2和第一金屬布線3傳輸 的信號(hào)可為相同的信號(hào)或不同的信號(hào)。
[0041] 具體地，如圖3和圖5所示，柵極絕緣層4和鈍化層5上設(shè)置有過(guò)孔，柵極材料布 線1通過(guò)該過(guò)孔與第一金屬布線3電連接。優(yōu)選地，柵極絕緣層4和鈍化層5上設(shè)置有兩 個(gè)過(guò)孔，可使柵極材料布線1和第一金屬布線3之間的電連接更穩(wěn)定。
[0042] 此外，如圖3和圖7所示，柵極絕緣層4上設(shè)置有過(guò)孔，柵極材料布線1通過(guò)該過(guò) 孔與源漏極材料布線2電連接。優(yōu)選地，柵極絕緣層4上設(shè)置有兩個(gè)過(guò)孔，可使柵極材料布 線1和源漏極材料布線2之間的電連接更穩(wěn)定。
[0043] 進(jìn)一步地，如圖3所示，陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有薄膜晶體管6,第一金屬 布線3可與薄膜晶體管6的柵極、源極或者漏極電連接。
[0044] 具體地，柵極絕緣層4和鈍化層5上還可設(shè)置有過(guò)孔，第一金屬布線3可通過(guò)該過(guò) 孔與薄膜晶體管6的柵極電連接，該過(guò)孔的設(shè)置可參考本申請(qǐng)的相關(guān)內(nèi)容，此處不再贅述。 并且，鈍化層5上可設(shè)置有過(guò)孔，第一金屬布線3可通過(guò)該過(guò)孔與薄膜晶體管6的源極或漏 極電連接。
[0045] 進(jìn)一步地，陣列基板的顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)置有公共電極以及位于公共電極上的導(dǎo)電結(jié) 構(gòu)，其中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與公共電極電連接，因而可減小公共電極的電阻。此外，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第一 金屬布線3同層設(shè)置且同時(shí)形成，從而可以減少陣列基板的制作工藝。
[0046] 此外，需要說(shuō)明的是，陣列基板的顯示區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、 像素電極，柵極絕緣層和鈍化層，其中，薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極，柵極和柵極材料 布線1同層設(shè)置且同時(shí)形成，源極和漏極與源漏極材料布線2同層設(shè)置且同時(shí)形成，柵極絕 緣層與陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)的柵極絕緣層4同層設(shè)置且同時(shí)形成，鈍化層與陣列基板的 周邊區(qū)域內(nèi)的鈍化層5同層設(shè)置且同時(shí)形成，從而可以簡(jiǎn)化陣列基板的制作工藝。
[0047] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種包括如以上實(shí)施例所述的陣列基板，由于柵極材料布線 和源漏極材料布線之間至少具有一層較厚的絕緣層，因而柵極材料布線和源漏極材料布線 之間的交疊區(qū)域不會(huì)發(fā)生靜電擊穿；由于柵極材料布線和第一金屬布線之間至少具有兩層 絕緣層，因而柵極材料布線和第一金屬布線之間的交疊區(qū)域不會(huì)發(fā)生靜電擊穿；并且，雖然 源漏極材料布線和第一金屬布線之間的絕緣層厚度和現(xiàn)有技術(shù)中相同，但是由于源漏極材 料布線和第一金屬布線之間的交疊區(qū)域的數(shù)量小于源漏極材料布線和柵極材料布線（柵 極材料布線的膜層位置和現(xiàn)有技術(shù)中的第一金屬布線的膜層位置相同）之間的交疊區(qū)域 的數(shù)量，因而相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言，源漏極材料布線和第一金屬布線之間的交疊區(qū)域的數(shù) 量減少或者無(wú)交疊區(qū)域，從而可以降低陣列基板周邊區(qū)域內(nèi)布線之間發(fā)生靜電擊穿的概 率。
[0048] 此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括以上實(shí)施方式中的 陣列基板。該顯示裝置具有窄邊框的特點(diǎn)，顯示裝置可以為：液晶面板、平板電腦、電視機(jī)、 顯示器、筆記本電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0049] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種陣列基板，所述陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有多條柵極材料布線、多條源漏極 材料布線和多條第一金屬布線，其特征在于，所述柵極材料布線與所述源漏極材料布線和 所述第一金屬布線之間具有交疊區(qū)域，所述源漏極材料布線與所述第一金屬布線之間的交 疊區(qū)域的數(shù)量小于所述源漏極材料布線與所述柵極材料布線之間的交疊區(qū)域的數(shù)量，所述 多條柵極材料布線、所述多條源漏極材料布線和所述多條第一金屬布線均用作所述周邊區(qū) 域的電路的連接線。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述周邊區(qū)域包含主要布線區(qū)域，在 所述主要布線區(qū)域中，所述源漏極材料布線和所述第一金屬布線無(wú)交疊區(qū)域，所述柵極材 料布線與所述源漏極材料布線和所述第一金屬布線有交疊區(qū)域。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，在所述主要布線區(qū)域中，所述源漏極 材料布線的延伸方向與所述第一金屬布線的延伸方向平行，所述柵線材料布線的延伸方向 與所述源漏極材料布線和所述第一金屬布線的延伸方向相互垂直。4. 根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的周邊區(qū)域 內(nèi)設(shè)置有柵極絕緣層和鈍化層，所述柵極絕緣層和所述鈍化層位于所述柵極材料布線所在 的柵極布線層和所述第一金屬布線所在的金屬布線層之間。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極絕緣層位于所述柵極布線 層和所述源漏極材料布線所在的源漏極布線層之間。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)還設(shè)置 有薄膜晶體管，所述第一金屬布線與所述薄膜晶體管的柵極、源極或者漏極電連接。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極絕緣層和所述鈍化層上設(shè) 置有過(guò)孔，所述第一金屬布線通過(guò)所述過(guò)孔與所述薄膜晶體管的柵極電連接。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)置有 公共電極以及位于所述公共電極上且與所述公共電極電連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和 所述第一金屬布線同層設(shè)置且同時(shí)形成。9. 一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的陣列 基板。
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種陣列基板及顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可以降低陣列基板周邊區(qū)域內(nèi)布線之間發(fā)生靜電擊穿的概率。所述陣列基板的周邊區(qū)域內(nèi)設(shè)置有多條柵極材料布線、多條源漏極材料布線和多條第一金屬布線，所述柵極材料布線與所述源漏極材料布線和所述第一金屬布線之間具有交疊區(qū)域，所述源漏極材料布線與所述第一金屬布線之間的交疊區(qū)域的數(shù)量小于所述源漏極材料布線與所述柵極材料布線之間的交疊區(qū)域的數(shù)量，所述多條柵極材料布線、所述多條源極材料布線和所述多條第一金屬布線均用作所述周邊區(qū)域的電路的連接線。
【IPC分類】G02F1/1345, G02F1/1333, G02F1/1362
【公開(kāi)號(hào)】CN104898338
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510379820
【發(fā)明人】曹占鋒, 張鋒, 張斌, 何曉龍, 高錦成, 姚琪, 李正亮, 孔祥春
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月9日
【申請(qǐng)日】2015年7月1日