一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)是目前常用的平板顯示器，LCD顯示器以其低電壓、低功耗、適宜于電路集成、輕巧便攜等優(yōu)點(diǎn)而受到廣泛的研宄與應(yīng)用。
[0003]隨著液晶顯示技術(shù)的發(fā)展，對(duì)液晶顯示面板的響應(yīng)速度、分辨率以及開口率的要求不斷提高?，F(xiàn)有技術(shù)增大開口率通常采用有機(jī)膜層作為鈍化層的一部分減低公共電極與源極/漏極線之間的電容。主要目的是減少源極/漏極信號(hào)對(duì)公共電極的影響，進(jìn)而減少源極/漏極信號(hào)對(duì)源極/漏極線附近液晶偏轉(zhuǎn)的影響，從而減少信號(hào)線以及掃描線上方黑矩陣的尺寸，進(jìn)而提高液晶顯示面板像素的開口率。
[0004]如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的顯示面板包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板11和彩膜基板12，以及位于陣列基板11和彩膜基板12之間的液晶層13和封框膠14，具體地，陣列基板11包括依次設(shè)置在襯底基板110上的柵極絕緣層111、第一鈍化層112、有機(jī)膜層113、第一電極層114、第二鈍化層115和第二電極層116。從圖1中可以看到，封框膠14位于第二鈍化層115 上。
[0005]為了驗(yàn)證圖1所示的顯示面板的顯示特性，對(duì)圖1所示的顯示面板進(jìn)行信賴性測(cè)試，即將圖1所示的顯示面板放入高溫、高濕和高壓的測(cè)試環(huán)境中一段時(shí)間后，測(cè)試顯示面板的顯示特性是否變化，一般現(xiàn)有技術(shù)采用的信賴性測(cè)試時(shí)的溫度為60°C、濕度為80%、壓強(qiáng)為兩個(gè)大氣壓、時(shí)間為240小時(shí)。測(cè)試結(jié)果顯示，該顯示面板的顯示特性變差，主要原因是在進(jìn)行第二鈍化層115鍍膜時(shí)，由于鍍膜時(shí)的溫度小于200°C，鍍膜得到的第二鈍化層115的特性較差，因此，實(shí)際生產(chǎn)過程中鍍膜時(shí)的溫度大于200°C，而有機(jī)膜層113在大于150°C的情況下表面會(huì)發(fā)生升華，升華的有機(jī)膜會(huì)參與第二鈍化層115鍍膜的初期反應(yīng)，反應(yīng)影響第二鈍化層115與其下面膜層之間的粘附性，在進(jìn)行信賴性測(cè)試條件下，外界水汽很容易從粘附性較差的界面處進(jìn)入顯示面板內(nèi)部，在顯示面板內(nèi)部形成氣泡15，進(jìn)而使得顯示面板的顯示特性變差。
[0006]綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)的顯示面板在實(shí)際使用過程中，外界水汽很容易從粘附性較差的界面進(jìn)入顯示面板內(nèi)，從而影響顯示面板的顯示特性，顯示面板的信賴性較差。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，用以避免外界水汽進(jìn)入陣列基板內(nèi)，提高顯示面板的信賴性。
[0008]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括設(shè)置在襯底基板上的柵極絕緣層、第一鈍化層、有機(jī)膜層和第二鈍化層，其中，
[0009]所述第二鈍化層設(shè)置有鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域與用于貼合封框膠的區(qū)域?qū)?yīng)。
[0010]由本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，包括設(shè)置在襯底基板上的柵極絕緣層、第一鈍化層、有機(jī)膜層和第二鈍化層，其中，所述第二鈍化層設(shè)置有鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域與用于貼合封框膠的區(qū)域?qū)?yīng)。由于本發(fā)明實(shí)施例中與用于貼合封框膠的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域不設(shè)置第二鈍化層，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠有效避免外界水汽因?yàn)榈诙g化層界面粘附性問題進(jìn)入陣列基板內(nèi)，提高陣列基板的信賴性。
[0011]較佳地，所述第一鈍化層設(shè)置有鏤空區(qū)域，該鏤空區(qū)域與所述第二鈍化層設(shè)置的鏤空區(qū)域?qū)?yīng)。
[0012]這樣，后續(xù)貼合的封框膠直接與柵極絕緣層接觸，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠有效避免外界水汽因?yàn)榈诙g化層界面粘附性問題進(jìn)入陣列基板內(nèi)，提高陣列基板的信賴性。
[0013]較佳地，所述陣列基板包括絕緣設(shè)置的第一電極層和第二電極層，其中，
[0014]所述第一電極層為像素電極，所述第二電極層為公共電極；或，
[0015]所述第一電極層為公共電極，所述第二電極層為像素電極。
[0016]較佳地，所述第一電極層為面電極，所述第二電極層為條形電極。
[0017]較佳地，所述柵極絕緣層的材料為氧化硅或氮化硅。
[0018]較佳地，所述第一鈍化層的材料為氧化硅或氮化硅。
[0019]較佳地，所述第二鈍化層的材料為氧化硅或氮化硅。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層和封框膠，其中，所述第一基板為上述的陣列基板。
[0021]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的顯示面板。
[0022]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，所述方法包括:
[0023]通過構(gòu)圖工藝在襯底基板上依次制作柵極絕緣層、第一鈍化層、有機(jī)膜層和第二鈍化層；
[0024]通過構(gòu)圖工藝去除預(yù)設(shè)區(qū)域的第二鈍化層；或，去除預(yù)設(shè)區(qū)域的第二鈍化層和第一鈍化層；所述預(yù)設(shè)區(qū)域與用于貼合封框膠的區(qū)域?qū)?yīng)。
【附圖說明】
[0025]圖1為現(xiàn)有技術(shù)顯示面板邊緣的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板邊緣的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一陣列基板邊緣的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的再一陣列基板邊緣的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板邊緣的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法流程圖；
[0031]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的制作第二鈍化層后的陣列基板邊緣的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，用以避免外界水汽進(jìn)入陣列基板內(nèi)，提高顯示面板的信賴性。
[0033]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0034]下面結(jié)合附圖詳細(xì)介紹本發(fā)明具體實(shí)施例提供的陣列基板和顯示面板。
[0035]附圖中各層薄膜厚度和區(qū)域大小形狀不反應(yīng)各膜層的真實(shí)比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0036]如圖2所示，本發(fā)明具體實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括設(shè)置在襯底基板110上的柵極絕緣層111、第一鈍化層112、有機(jī)膜層113和第二鈍化層115，其中，第二鈍化層115設(shè)置有鏤空區(qū)域20，鏤空區(qū)域20與用于貼合封框膠的區(qū)域?qū)?yīng)。
[0037]優(yōu)選地，如圖3所示，本發(fā)明具體實(shí)施例中的第一鈍化層112設(shè)置有鏤空區(qū)域30，該鏤空區(qū)域30與第二鈍化層115設(shè)置的鏤空區(qū)域20對(duì)應(yīng)。
[0038]優(yōu)選地，本發(fā)明具體實(shí)施例中柵極絕緣層111的材料為氧化硅(Si02)或氮化硅(SiN)，當(dāng)然，還可以為Si02和SiN的復(fù)合膜，本發(fā)明具體實(shí)施例并不對(duì)柵極絕緣層111的具體材料做限定。本發(fā)明具體實(shí)施例中的第一鈍化層112的材料為Si02或SiN，當(dāng)然，還可以為Si02和SiN的復(fù)合膜，本發(fā)明具體實(shí)施例并不對(duì)第一鈍化層112的具體材料做限定。本發(fā)明具體實(shí)施例中的第二鈍化層115的材料為Si02或SiN，當(dāng)然，還可以為Si02和SiN的復(fù)合膜，本發(fā)明具體實(shí)施例并不對(duì)第二鈍化層115的具體材料做限定。
[0039]優(yōu)選地，如圖4所示，本發(fā)明具體實(shí)施例中的陣列基板包括絕緣設(shè)置的第一電極層114和第二電極層116，其中，第一電極層114為像素電極，第二電極層116為公共電極；或，第一電極層114為公共電極，第二電極層116為像素電極。當(dāng)然，在實(shí)際設(shè)置中，也可以只設(shè)置第一電極層114，不設(shè)置第二電極層，第一電極層114也可以直接設(shè)置在襯底基板110上。本發(fā)明具體實(shí)施例中第一電極層114為面電極，第二電極層116為條形電極。
[0040]本發(fā)明具體實(shí)施例中的第一電極層114的材料為氧化銦錫(IT