O)或氧化銦鋅(IZO)的單層膜，或為ITO和IZO組成的復合膜，當然，還可以為其它類型的透明導電薄膜，本發(fā)明具體實施例并不對第一電極層114的具體材料做限定。本發(fā)明具體實施例中的第二電極層116的材料為ITO或IZO的單層膜，或為ITO和IZO組成的復合膜，當然，還可以為其它類型的透明導電薄膜，本發(fā)明具體實施例并不對第二電極層116的具體材料做限定。優(yōu)選地，本發(fā)明具體實施例中第一電極層114的材料與第二電極層116的材料相同。
[0041]本發(fā)明具體實施例中的陣列基板還包括設置在襯底基板上的柵極、柵極線、數據線等結構，由于這些結構不涉及本發(fā)明具體實施例的改進部分，故這里不做詳細說明。
[0042]如圖5所示，本發(fā)明具體實施例還提供了一種顯示面板，包括相對設置的第一基板21和第二基板22，以及位于第一基板21和第二基板22之間的液晶層13和封框膠14，其中，第一基板21為上面描述的陣列基板。與現有技術的顯示面板相比，由于本發(fā)明具體實施例中與用于貼合封框膠14的區(qū)域對應的區(qū)域不設置第二鈍化層，因此能夠有效的避免在使用過程中外界水汽從粘附性較差的界面處進入顯示面板內部，提高顯示面板的顯示特性，提高顯示面板的信賴性。
[0043]優(yōu)選地，本發(fā)明具體實施例中的第一基板21為陣列基板，第二基板22為彩膜基板。當然，在實際生產過程中，也可以將彩膜層制作在第一基板21上，本發(fā)明具體實施例僅以第一基板21為陣列基板，第二基板22為彩膜基板為例進行介紹。
[0044]本發(fā)明具體實施例中的顯示面板可以為邊緣場面內轉動(Fringe FieldSwitching, FFS)模式的顯示面板，也可以為高級超維場轉換(Advanced Super Dimens1nSwitch，ADS)模式的顯示面板，也可以為平面方向轉換(In-Plane-Switching，IPS)模式的顯示面板，也可以為扭曲向列型(Twisted Nematic, TN)顯示面板。
[0045]本發(fā)明具體實施例還提供一種顯示裝置，包括上述的顯示面板，該顯示裝置可以為液晶面板、液晶顯不器、液晶電視、OLED面板、OLED顯不器、OLED電視或電子紙等顯不裝置。
[0046]下面結合附圖詳細介紹本發(fā)明具體實施例提供的陣列基板的制作方法。
[0047]如圖6所示，本發(fā)明具體實施例還提供了一種陣列基板的制作方法，該方法包括:
[0048]S601、通過構圖工藝在襯底基板上依次制作柵極絕緣層、第一鈍化層、有機膜層和第二鈍化層；
[0049]S602、通過構圖工藝去除預設區(qū)域的第二鈍化層；或，去除預設區(qū)域的第二鈍化層和第一鈍化層；所述預設區(qū)域與用于貼合封框膠的區(qū)域對應。
[0050]具體地，如圖7所示，首先，通過構圖工藝在襯底基板110上依次制作柵極絕緣層111、第一鈍化層112、有機膜層113和第二鈍化層115。本發(fā)明具體實施例中的襯底基板110為玻璃基板，或為陶瓷基板等其它類型的基板。優(yōu)選地，本發(fā)明具體實施例中的柵極絕緣層111的材料為S1或SiN ;第一鈍化層112的材料為S1或SiN ;第二鈍化層115的材料為S1或SiN，本發(fā)明具體實施例并不對柵極絕緣層111、第一鈍化層112和第二鈍化層115的具體材料做限定。本發(fā)明具體實施例中的構圖工藝包括:光刻膠的涂覆、曝光、顯影、刻蝕以及去除光刻膠的部分或全部過程。本發(fā)明具體實施例通過構圖工藝在襯底基板110上依次制作柵極絕緣層111、第一鈍化層112、有機膜層113和第二鈍化層115的具體制作方法與現有技術相同，這里不再贅述。
[0051]通過構圖工藝去除預設區(qū)域的第二鈍化層，所述預設區(qū)域與用于貼合封框膠的區(qū)域對應，具體包括:
[0052]在圖7所示的襯底基板上涂覆光刻膠，本發(fā)明具體實施例涂覆的光刻膠以正性光刻膠為例說明，對涂覆的光刻膠進行曝光、顯影，形成光刻膠保留區(qū)和光刻膠去除區(qū)，光刻膠去除區(qū)對應本發(fā)明具體實施例中的預設區(qū)域，光刻膠去除區(qū)暴露出第二鈍化層，接著，對暴露出的第二鈍化層進行刻蝕，去除暴露出的第二鈍化層，之后，去除剩余光刻膠，形成圖2所示的陣列基板。
[0053]通過構圖工藝去除預設區(qū)域的第二鈍化層和第一鈍化層，所述預設區(qū)域與用于貼合封框膠的區(qū)域對應，具體包括:
[0054]在圖7所示的襯底基板上涂覆光刻膠，本發(fā)明具體實施例涂覆的光刻膠以正性光刻膠為例說明，對涂覆的光刻膠進行曝光、顯影，形成光刻膠保留區(qū)和光刻膠去除區(qū)，光刻膠去除區(qū)對應本發(fā)明具體實施例中的預設區(qū)域，光刻膠去除區(qū)暴露出第二鈍化層，接著，對暴露出的第二鈍化層進行刻蝕，去除暴露出的第二鈍化層，暴露出第一鈍化層，并接著對暴露出的第一鈍化層進行刻蝕，去除暴露出的第一鈍化層，之后，去除剩余光刻膠，形成圖3所示的陣列基板。
[0055]綜上所述，本發(fā)明具體實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，包括設置在襯底基板上的柵極絕緣層、第一鈍化層、有機膜層和第二鈍化層，其中，第二鈍化層設置有鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域與用于貼合封框膠的區(qū)域對應。由于本發(fā)明具體實施例中第二鈍化層設置有鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域與用于貼合封框膠的區(qū)域對應，與現有技術相比，封框膠并不直接與第二鈍化層接觸設置，能夠有效的避免在使用過程中外界水汽從粘附性較差的界面處進入顯示面板內，提高顯示面板的顯示特性，提高顯示面板的信賴性。
[0056]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
【主權項】
1.一種陣列基板，包括設置在襯底基板上的柵極絕緣層、第一鈍化層、有機膜層和第二鈍化層，其特征在于， 所述第二鈍化層設置有鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域與用于貼合封框膠的區(qū)域對應。2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一鈍化層設置有鏤空區(qū)域，該鏤空區(qū)域與所述第二鈍化層設置的鏤空區(qū)域對應。3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括絕緣設置的第一電極層和第二電極層，其中， 所述第一電極層為像素電極，所述第二電極層為公共電極；或， 所述第一電極層為公共電極，所述第二電極層為像素電極。4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極層為面電極，所述第二電極層為條形電極。5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極絕緣層的材料為氧化硅或氮化娃。6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一鈍化層的材料為氧化硅或氮化娃。7.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二鈍化層的材料為氧化硅或氮化娃。8.—種顯示面板，其特征在于，包括相對設置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層和封框膠，其中，所述第一基板為權利要求1-7任一權項所述的陣列基板。9.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求8所述的顯示面板。10.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括: 通過構圖工藝在襯底基板上依次制作柵極絕緣層、第一鈍化層、有機膜層和第二鈍化層； 通過構圖工藝去除預設區(qū)域的第二鈍化層；或，去除預設區(qū)域的第二鈍化層和第一鈍化層；所述預設區(qū)域與用于貼合封框膠的區(qū)域對應。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，用以避免外界水汽進入陣列基板內，提高顯示面板的信賴性。所述陣列基板包括設置在襯底基板上的柵極絕緣層、第一鈍化層、有機膜層和第二鈍化層，其中，所述第二鈍化層設置有鏤空區(qū)域，所述鏤空區(qū)域與用于貼合封框膠的區(qū)域對應。
【IPC分類】G02F1/1368, H01L27/12, H01L21/77, G02F1/1343, G02F1/1339
【公開號】CN104932166
【申請?zhí)枴緾N201510197509
【發(fā)明人】黃明, 劉增利, 王玉亮, 彭俊林, 楊磊, 聶坤坤, 袁帥, 周傳鵬
【申請人】合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司
【公開日】2015年9月23日
【申請日】2015年4月23日