陣列基板、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板、顯示面
[0002]板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]薄膜晶體管液晶顯不裝置(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD)是一種主要的平板顯示裝置(Flat panel Display，簡(jiǎn)稱為FPD)。
[0004]如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的TFT-1XD陣列基板中包括顯示區(qū)域1、PAD區(qū)域2和檢測(cè)區(qū)域3，具體地，顯示區(qū)域I是陣列基板的工作區(qū)域，具有柵線11、數(shù)據(jù)線及公共電極線等信號(hào)線，以及像素電極、公共電極和薄膜晶體管等組件，通過這些組件形成驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)。PAD區(qū)域?yàn)閴航訁^(qū)域，是經(jīng)切割及研磨工藝之后，將陣列基板的信號(hào)和外部的驅(qū)動(dòng)電路板(例如，覆晶薄膜；Chip On Flex or Chip On Film ；C0F)的引線進(jìn)行壓接的區(qū)域。PAD區(qū)域一般只設(shè)有導(dǎo)電連接線、像素電極和薄膜晶體管等組件。PAD區(qū)域位于陣列基板的四個(gè)邊中的一個(gè)或相鄰的兩個(gè)邊上。為了將外部的驅(qū)動(dòng)電路板的導(dǎo)電連接線和陣列基板的信號(hào)線(柵線11和數(shù)據(jù)線)電連接，PAD區(qū)域的導(dǎo)電連接線11 (例如可以為顯示區(qū)域I的柵線11延伸至PAD區(qū)域的結(jié)構(gòu))上方必須沒有絕緣層(柵極絕緣層12和刻蝕阻擋層13)覆蓋，以備后續(xù)將驅(qū)動(dòng)芯片的管腳與信號(hào)線綁定。檢測(cè)區(qū)域3最終要沿切割線4切割掉。
[0005]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題:在目前的驅(qū)動(dòng)芯片(IC)貼合工藝中，需要將驅(qū)動(dòng)芯片通過ACF導(dǎo)電膠與陣列基板的PAD區(qū)域的導(dǎo)電連接線11綁定在一起，PAD區(qū)域的每個(gè)信號(hào)線連接基板內(nèi)的一條信號(hào)線，通過IC加載信號(hào)，ACF膠中散布一定數(shù)量的金屬粒子，導(dǎo)電連接線11和驅(qū)動(dòng)芯片通過這些金屬粒子傳遞信號(hào)，但在實(shí)際生產(chǎn)過程中因?yàn)橘N合壓力不均的影響，一部分金屬粒子會(huì)刺破導(dǎo)電連接線表面的保護(hù)層14，使導(dǎo)電連接線11表面裸露，當(dāng)裸露被刺破導(dǎo)電連接線11的顯示面板進(jìn)行修訂(rework)工序時(shí)(由于貼合誤差造成不導(dǎo)通(NG)時(shí)將貼合完成的驅(qū)動(dòng)芯片剝離掉，重新進(jìn)行貼合)由于水和空氣的進(jìn)入，對(duì)被刺破的導(dǎo)電連接線11會(huì)形成腐蝕，腐蝕后將影響信號(hào)的加載。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題包括，針對(duì)現(xiàn)有的陣列基板在綁定時(shí)存在的上述問題，提供一種有效提高陣列基板導(dǎo)電連接線修訂時(shí)良率的陣列基板、顯示面板及顯示裝置。
[0007]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，具有PAD區(qū)域，所述陣列基板包括:基底、設(shè)置在基底上的信號(hào)線、至少設(shè)置在PAD區(qū)域且與所述信號(hào)線連接的導(dǎo)電連接線；
[0008]所述信號(hào)線包括:交叉設(shè)置的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線；其中，第一信號(hào)線和第二信號(hào)線之間通過絕緣層隔開；
[0009]所述導(dǎo)電連接線包括:第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部；其中，所述第一導(dǎo)電部與所述第一信號(hào)線同層設(shè)置且與所述第二信號(hào)線連接，所述第二導(dǎo)電部與所述第二信號(hào)線同層設(shè)置且通過貫穿絕緣層的過孔覆蓋所述第一導(dǎo)電部。
[0010]優(yōu)選的是，在所述第二導(dǎo)電部上覆蓋有保護(hù)層。
[0011]進(jìn)一步優(yōu)選的是，交叉設(shè)置的所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線限定出像素單元，所述像素單元包括:薄膜晶體管和像素電極；其中，所述保護(hù)層與像素電極同層設(shè)置且材料相同。
[0012]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述像素電極的材料為氧化銦錫。
[0013]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管；
[0014]所述薄膜晶體管的源極和漏極通過貫穿刻蝕阻擋層的接觸過孔與有源層連接；其中，所述接觸過孔與所述過孔采用一次構(gòu)圖工藝形成。
[0015]優(yōu)選的是，所述第二導(dǎo)電部為環(huán)形結(jié)構(gòu)。
[0016]優(yōu)選的是，所述第一信號(hào)線為柵線，第二信號(hào)線為數(shù)據(jù)線。
[0017]優(yōu)選的是，所述第一信號(hào)線和第二信號(hào)線的材料均為鉬、鉬鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦和銅中的一種或多種。
[0018]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示面板，其包括上述的陣列基板。
[0019]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括上述的顯示面板。
[0020]本發(fā)明具有如下有益效果:
[0021]由于本發(fā)明中的導(dǎo)電連接線有兩層結(jié)構(gòu)組成，即包括第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部，故在將驅(qū)動(dòng)芯片(IC)與第一導(dǎo)電部第一次綁定連接時(shí)，即使由于綁定失敗將第一導(dǎo)電部腐蝕，此時(shí)驅(qū)動(dòng)芯片仍然可以通過第二導(dǎo)電部為第一信號(hào)線和第二信號(hào)線提供信號(hào)。
【附圖說明】
[0022]圖1為現(xiàn)有的陣列基板的示意圖；
[0023]圖2為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板的示意圖；
[0024]圖3為圖2的A-A '截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0026]實(shí)施例1:
[0027]本實(shí)施例提供一種陣列基板，具有PAD區(qū)域，所述陣列基板包括:基底、設(shè)置在基底上的信號(hào)線、至少設(shè)置在PAD區(qū)域且與所述信號(hào)線連接的導(dǎo)電連接線；所述信號(hào)線包括:交叉設(shè)置的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線；其中，第一信號(hào)線和第二信號(hào)線之間通過絕緣層隔開；所述導(dǎo)電連接線包括:第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部；其中，所述第一導(dǎo)電部與所述第一信號(hào)線同層設(shè)置且與所述第二信號(hào)線連接，所述第二導(dǎo)電部與所述第二信號(hào)線同層設(shè)置且通過貫穿絕緣層的過孔覆蓋所述第一導(dǎo)電部。
[0028]由于本實(shí)施例中的導(dǎo)電連接線有兩層結(jié)構(gòu)組成，即包括第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部，故在將驅(qū)動(dòng)芯片(IC)與第一導(dǎo)電部第一次綁定連接時(shí)，即使由于綁定失敗將第一導(dǎo)電部腐蝕，此時(shí)驅(qū)動(dòng)芯片仍然可以通過第二導(dǎo)電部為第一信號(hào)線和第二信號(hào)線提供信號(hào)。具體結(jié)合下述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的陣列基板進(jìn)行說明。
[0029]實(shí)施例2:
[0030]如圖2和3所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板，其具有顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外部的PAD區(qū)域，所述陣列基板包括交叉且絕緣設(shè)置的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，其中，以第一信號(hào)線為柵線11，第二信號(hào)線為數(shù)據(jù)線15對(duì)本實(shí)施例的陣列基板進(jìn)行說明，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，也可以是第一信號(hào)線為數(shù)據(jù)線15，第二信號(hào)線