為柵線11。
[0031]具體的，柵線11設(shè)置在基底10上，柵線11從顯示區(qū)域延伸至PAD區(qū)域，且與設(shè)置在PAD區(qū)域上的導(dǎo)電連接線16的第一導(dǎo)電部111連接，其中柵線11與第一導(dǎo)電部111同層且材料相同設(shè)置；柵線11和第一導(dǎo)電部111所在層上方設(shè)置有絕緣層；在絕緣層中與第一導(dǎo)電部111對(duì)應(yīng)的位置形成過(guò)孔；數(shù)據(jù)線15與柵線11交叉設(shè)置，數(shù)據(jù)線15從顯示區(qū)域延伸至PAD區(qū)域且與第二導(dǎo)電部112連接，而第二導(dǎo)電部112則通過(guò)過(guò)孔與第一導(dǎo)電部111連接，故在將驅(qū)動(dòng)芯片(IC)與第一導(dǎo)電部111第一次綁定連接時(shí)，即使由于綁定失敗將第一導(dǎo)電部111腐蝕，此時(shí)驅(qū)動(dòng)芯片仍然可以通過(guò)第二導(dǎo)電部112為柵線11和數(shù)據(jù)線15提供信號(hào)。且第一導(dǎo)電部111和柵線11同層設(shè)置且材料相同，第二導(dǎo)電部112與數(shù)據(jù)線15同層設(shè)置且材料相同，故第一導(dǎo)電部111和柵線11可以采用一次構(gòu)圖工藝形成，第二導(dǎo)電部112與數(shù)據(jù)線15采用一次構(gòu)圖工藝形成，不會(huì)增加工藝步驟。
[0032]優(yōu)選的，在所述第二導(dǎo)電部112上覆蓋有保護(hù)層14，用于防止水汽和雜質(zhì)進(jìn)入第二導(dǎo)電部112，導(dǎo)致第二導(dǎo)電部112腐蝕，引起不必要的不良。
[0033]其中，交叉設(shè)置的柵線11和數(shù)據(jù)線15限定出像素單元，所述像素單元包括:薄膜晶體管18和像素電極17 ;其中，所述保護(hù)層14與像素電極17同層設(shè)置且材料相同。也就是說(shuō)，保護(hù)層與像素電極17可以采用一次構(gòu)圖工藝形成，因此不會(huì)增加工藝步驟。進(jìn)一步的，所述像素電極17的材料為氧化銦錫，當(dāng)然也可以采用其他透明導(dǎo)電材料。
[0034]其中，所述薄膜晶體管18為氧化物薄膜晶體管18 ;所述薄膜晶體管18的源極和漏極通過(guò)貫穿刻蝕阻擋層13的接觸過(guò)孔與有源層連接；其中，所述接觸過(guò)孔與所述過(guò)孔采用一次構(gòu)圖工藝形成。
[0035]具體的，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，數(shù)據(jù)線15和源、漏極是同一步構(gòu)圖工藝形成的，柵極與柵線11同一步構(gòu)圖工藝形成的，而在柵極與有源層之間形成有柵極絕緣層12，有源層和源、漏極之間設(shè)置有刻蝕阻擋層13，故可以理解的是，柵線11和數(shù)據(jù)線15之間的絕緣層應(yīng)當(dāng)包括柵極絕緣層12和刻蝕阻擋層13，而薄膜晶體管18的源極和漏極通過(guò)貫穿刻蝕阻擋層13的接觸過(guò)孔與有源層連接；其中，所述接觸過(guò)孔與所述過(guò)孔采用一次構(gòu)圖工藝形成，因此不會(huì)增加工藝步驟，可以節(jié)約生產(chǎn)成本。
[0036]優(yōu)選的，在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)電部112為環(huán)形結(jié)構(gòu)。當(dāng)然第二導(dǎo)電部112也可以采用其他形狀的結(jié)構(gòu)。
[0037]優(yōu)選的，柵線11和數(shù)據(jù)線15的材料均為鉬、鉬鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦和銅中的一種或多種。
[0038]實(shí)施例3:
[0039]本實(shí)施例提供一種顯示面板和顯示裝置，所述顯示面板包括實(shí)施例1或2中陣列基板，顯示裝置包括該顯示面板。
[0040]該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0041]本實(shí)施例的顯示裝置中具有上述顯示面板，故其具有更好的良率。
[0042]當(dāng)然，本實(shí)施例的顯示裝置中還可以包括其他常規(guī)結(jié)構(gòu)，如背光源、電源單元、顯示驅(qū)動(dòng)單元等。
[0043]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，具有PAD區(qū)域，其特征在于，所述陣列基板包括:基底、設(shè)置在基底上的信號(hào)線、至少設(shè)置在PAD區(qū)域且與所述信號(hào)線連接的導(dǎo)電連接線； 所述信號(hào)線包括:交叉設(shè)置的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線；其中，第一信號(hào)線和第二信號(hào)線之間通過(guò)絕緣層隔開； 所述導(dǎo)電連接線包括:第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部；其中，所述第一導(dǎo)電部與所述第一信號(hào)線同層設(shè)置且與所述第二信號(hào)線連接，所述第二導(dǎo)電部與所述第二信號(hào)線同層設(shè)置且通過(guò)貫穿絕緣層的過(guò)孔覆蓋所述第一導(dǎo)電部。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在所述第二導(dǎo)電部上覆蓋有保護(hù)層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，交叉設(shè)置的所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線限定出像素單元，所述像素單元包括:薄膜晶體管和像素電極；其中，所述保護(hù)層與像素電極同層設(shè)置且材料相同。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極的材料為氧化銦錫。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管； 所述薄膜晶體管的源極和漏極通過(guò)貫穿刻蝕阻擋層的接觸過(guò)孔與有源層連接；其中，所述接觸過(guò)孔與所述過(guò)孔采用一次構(gòu)圖工藝形成。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二導(dǎo)電部為環(huán)形結(jié)構(gòu)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一信號(hào)線為柵線，第二信號(hào)線為數(shù)據(jù)線。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一信號(hào)線和第二信號(hào)線的材料均為鉬、鉬鈮合金、鋁、鋁釹合金、鈦和銅中的一種或多種。9.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的陣列基板。10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求9所述的顯示面板。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，其可解決現(xiàn)有的陣列基板上的導(dǎo)電連接線易腐蝕的問(wèn)題。本發(fā)明的陣列基板，具有PAD區(qū)域，所述陣列基板包括：基底、設(shè)置在基底上的信號(hào)線、至少設(shè)置在PAD區(qū)域且與所述信號(hào)線連接的導(dǎo)電連接線；所述信號(hào)線包括：交叉設(shè)置的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線；其中，第一信號(hào)線和第二信號(hào)線之間通過(guò)絕緣層隔開；所述導(dǎo)電連接線包括：第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部；其中，所述第一導(dǎo)電部與所述第一信號(hào)線同層設(shè)置且與所述第二信號(hào)線連接，所述第二導(dǎo)電部與所述第二信號(hào)線同層設(shè)置且通過(guò)貫穿絕緣層的過(guò)孔覆蓋所述第一導(dǎo)電部。
【IPC分類】G02F1/1368, G02F1/1345, G02F1/1362
【公開號(hào)】CN105158996
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510657782
【發(fā)明人】蔡振飛, 季雨, 崔琳哲, 卓百思, 郝靜
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請(qǐng)日】2015年10月13日