Coa上基板及制作方法、液晶顯示面板及裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，涉及一種COA上基板及制作方法、液晶顯示面板及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]COA(Color Film On Array，彩膜層在陣列基板上)是將彩膜層集成在陣列基板上的液晶面板結(jié)構(gòu)，其優(yōu)點(diǎn)在于可以增大面板開(kāi)口率，提升畫質(zhì)、面板亮度和畫面對(duì)比度。
[0003]基于光配向的COA液晶顯示面板的上基板結(jié)構(gòu)包括:黑矩陣、ITO公共電極和隔墊物。在矩陣圖層工藝過(guò)程中，由于機(jī)臺(tái)磨損產(chǎn)生的金屬小顆粒(一般寬或長(zhǎng)小于8um，高度大于2um)容易掉落在黑矩陣線上，難以被清洗。這些ITO電極較薄，膜厚約1000A?1500A，難以覆蓋金屬小顆粒。金屬小顆粒使得ITO電極與TFT基板的信號(hào)線連接到一起，導(dǎo)致液晶盒和模組出現(xiàn)線上有點(diǎn)等不良現(xiàn)象，造成降等和報(bào)廢。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決以上問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種COA上基板及制作方法、液晶顯示面板及裝置，用以解決金屬顆粒使得ITO電極與TFT基板的信號(hào)線連接連接到一起，導(dǎo)致液晶盒和模組出現(xiàn)線上有點(diǎn)等不良現(xiàn)象，造成降等和報(bào)廢問(wèn)題。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種COA上基板，與設(shè)置有彩膜層的TFT下基板對(duì)應(yīng)，包括:
[0006]基底；
[0007]黑矩陣層，設(shè)置于所述基底上；
[0008]中間層，設(shè)置于所述黑矩陣層和裸露的基底上，包括層疊設(shè)置的有機(jī)平坦層和公共電極層；
[0009]間隔物，設(shè)置于所述中間層上。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在所述中間層中，
[0011]所述公共電極層設(shè)置于所述黑矩陣層和裸露的基底上；
[0012]所述有機(jī)平坦層設(shè)置于所述公共電極層上；
[0013]所述間隔物設(shè)置于所述有機(jī)平坦層上。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在所述中間層中，
[0015]所述有機(jī)平坦層設(shè)置于所述黑矩陣層和裸露的基底上；
[0016]所述公共電極層設(shè)置于所述有機(jī)平坦層上；
[0017]所述間隔物設(shè)置于所述公共電極層上。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述有機(jī)平坦層的厚度為2um-5um。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述有機(jī)平坦層采用高穿透性的材料制成。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種用于COA上基板的制作方法，包括:
[0021]在基底上涂覆遮光材料，并經(jīng)處理形成黑矩陣層；
[0022]在所述黑矩陣層和裸露的基底上沉積有機(jī)材料，并經(jīng)處理形成有機(jī)平坦層；
[0023]在所述有機(jī)平坦層上涂敷透明導(dǎo)電材料，并經(jīng)處理形成公共電極層；
[0024]在所述公共電極層上對(duì)應(yīng)所述黑矩陣層的部分區(qū)域形成間隔物。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種用于COA上基板的制作方法，包括:
[0026]在基底上涂覆遮光材料，并經(jīng)處理形成黑矩陣層；
[0027]在所述黑矩陣層和裸露的基底上涂敷透明導(dǎo)電材料，并經(jīng)處理形成公共電極層；
[0028]在所述公共電極層上沉積有機(jī)材料，并經(jīng)處理形成有機(jī)平坦層；
[0029]在所述有機(jī)平坦層上對(duì)應(yīng)所述黑矩陣層的部分區(qū)域形成間隔物。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在形成所述有機(jī)平坦層之后還包括對(duì)形成的有機(jī)平坦層進(jìn)行曝邊處理過(guò)程，所述曝邊處理過(guò)程包括:
[0031]在所述有機(jī)平坦層上涂敷負(fù)性光刻膠，并對(duì)顯示區(qū)域的有機(jī)平坦層進(jìn)行處理，以去除非顯示區(qū)域的有機(jī)平坦層，暴露出非顯示區(qū)域的公共電極層，以實(shí)現(xiàn)COA上基板和TFT下基板公共電極的連接導(dǎo)通。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種采用以上所述上基板的液晶顯示面板。
[0033]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種采用以上所述液晶顯示面板的液晶顯示
目.ο
[0034]本發(fā)明的有益效果:
[0035]本發(fā)明通過(guò)在COA上基板上設(shè)置一層有機(jī)平坦層，覆蓋黑矩陣層和公共電極層或單獨(dú)黑矩陣層制作過(guò)程中產(chǎn)生的小顆粒，可以解決金屬顆粒使得ITO電極與TFT基板的信號(hào)線連接連接到一起，導(dǎo)致液晶盒和模組出現(xiàn)線上有點(diǎn)等不良現(xiàn)象，造成降等和報(bào)廢問(wèn)題。
[0036]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。
【附圖說(shuō)明】
[0037]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要的附圖做簡(jiǎn)單的介紹:
[0038]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種傳統(tǒng)的基于光配向的COA面板的上基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中一種非COA面板的上基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的一種COA面板的上基板結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0041]圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的一種COA面板的上基板結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042]以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說(shuō)明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0043]如圖1所示為一種傳統(tǒng)的基于光配向的C0A(即彩膜層做在薄膜晶體管TFT下基板上，黑矩陣層做在上基板上)面板的上基板結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該上基板包括:基底11 ;在基底11上形成的黑矩陣層12 ;在黑矩陣層12和裸露的基底11上形成的公共電極層13 ;在公共電極層13上對(duì)應(yīng)黑矩陣層12的部分區(qū)域形成的隔墊物14。一般情況下，黑矩陣層12的膜厚為Ium?3um，公共電極13的ITO薄膜膜厚為1000A?1500A，隔墊物14的高度一般為2um?4um。在黑矩陣層12和公共電極層13的制作過(guò)程中產(chǎn)生的小顆粒a，當(dāng)小顆粒a的高度大于2um時(shí)很容易在產(chǎn)品的后段產(chǎn)生點(diǎn)缺陷。
[0044]如圖2所示為一種傳統(tǒng)的非COA面板的上基板結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，該上基板包括:基底21 ;在基底21上形成的黑矩陣層22 ;在黑矩陣層22和裸露的基底21上形成的包括紅色阻塊25、綠色阻塊26和藍(lán)色阻塊27的彩膜層；在彩膜層上形成的公共電極層23 ;在公共電極層23上對(duì)應(yīng)黑矩陣層22的部分區(qū)域形成的隔墊物24。由于色阻層的覆蓋，上基板側(cè)黑矩陣層22制作過(guò)程中產(chǎn)生的小顆粒a被覆蓋，進(jìn)而大大降低了產(chǎn)品后段產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷。
[0045]但是，對(duì)于COA面板，在黑矩陣層和公共電極層制作過(guò)程中產(chǎn)生的小顆粒a不能被覆蓋。因此，本發(fā)明提供了一種新的COA上基板，與設(shè)置有彩膜層的TFT下基板對(duì)應(yīng)，用以解決黑矩陣層和/或公共電極層制作過(guò)程中產(chǎn)生的小顆粒a。如圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的COA上基板結(jié)構(gòu)示意圖，以下參考圖3來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0046]如圖3所示，該COA上基板與設(shè)置有彩膜層的TFT下基板對(duì)應(yīng)，包括:基底31 ;黑矩陣層32，設(shè)置于基底31上；中間層，設(shè)置于黑矩陣層32和裸露的基底31上，包括層疊設(shè)置的有機(jī)有機(jī)平坦層35和公共電極層33 ;間隔物35設(shè)置于中間層上，與黑矩陣層32的部分區(qū)域?qū)?yīng)。
[0047]由圖3可知，在中間層中，有機(jī)平坦層35設(shè)置于黑矩陣層32和裸露的基底31上，公共電極層33設(shè)置于有機(jī)平坦層35上，間隔物34設(shè)置于公共電極層33上。與圖1相較，在公共電極層33和黑矩陣層34之間設(shè)置了一有機(jī)平坦層35，該層厚度大于公共電極層33，可以覆蓋黑矩陣層32制作過(guò)程中產(chǎn)生的小顆粒a，降低金屬小顆粒使得公共電極層和TFT基板上信號(hào)線的連接幾率，但不能覆蓋公共電極層33制作過(guò)程中產(chǎn)生的小顆粒a。