>[0048]如圖4所不為根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的COA上基板結構不意圖，以下參考圖4來對本發(fā)明進行詳細說明。
[0049]如圖4所示，該COA上基板包括:基底41 ;黑矩陣層42，設置于基底41上沖間層，設置于黑矩陣層42和裸露的基底41上，包括層疊設置的有機平坦層45和公共電極層43。其中，公共電極層43設置于黑矩陣層42和裸露的基底41上；有機平坦層45設置于公共電極層43上；間隔物44設置于有機平坦層45上上，與黑矩陣層42的部分區(qū)域對應。與圖1相較，在公共電極層43上設置了一有機平坦層45，可以覆蓋黑矩陣層42和公共電極層43制作過程中產(chǎn)生的金屬小顆粒a，解決金屬小顆粒使得ITO電極與TFT基板的信號線連接連接到一起，導致液晶盒和模組出現(xiàn)線上有點等不良現(xiàn)象，造成降等和報廢問題。
[0050]另外，由圖3和圖4可知，間隔物設置在中間層的最上面，即圖3中的公共電極層33上，圖4中的有機平坦層45上。這樣可以減少制作隔墊物所需的材料，并有利于控制隔墊物的高度。
[0051]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，該有機平坦層的厚度為2um-5um。這是由于在黑矩陣層和公共電極層的制作過程中產(chǎn)生的小顆粒a，一般寬或長小于8um，高度大于2um，因此，該有機平坦層的厚度要大于2um。另外，為減小液晶盒的厚度，該有機平坦層的厚度越小越小，為滿足厚度要求，一般要求有機平坦層的厚度要小于5um。
[0052]由于有機平坦層基本覆蓋在整個COA的上基板上，所以要求有機平坦層采用高穿透性的材料制成。例如，可以選擇具有高穿透性的SiNx等樹脂材料，既用以覆蓋小顆粒a，還用作絕緣層及保護層。
[0053]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供了一種用于COA上基板的制作方法，包括以下的幾個步驟。
[0054]首先，在基底上涂覆遮光材料，并經(jīng)處理形成黑矩陣層。具體的，如圖3所示，在玻璃基板形成的基底31上涂覆遮光材料，然后經(jīng)曝光、顯影和剝離處理形成黑矩陣層32對應的圖案。
[0055]接著，在黑矩陣層和裸露的基底上沉積有機材料，并經(jīng)處理形成有機平坦層。具體的，如圖3所示，在黑矩陣層32和裸露的基底31上采用CVD工藝，沉積SiNx材料，然后經(jīng)曝光、顯影和剝離處理形成有機平坦層35對應的圖案。
[0056]接著，在有機平坦層上涂敷透明導電材料，并經(jīng)處理形成公共電極層。具體的，如圖3所示，在有機平坦層35上涂敷一層ITO透明導電材料，并經(jīng)曝光、顯影和剝離處理形成公共電極層33對應的圖案。
[0057]最后，在公共電極層上對應黑矩陣層的部分區(qū)域形成間隔物。具體的，如圖3所示，在公共電極層33上對應黑矩陣層32的部分區(qū)域形成間隔物34。
[0058]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供了另一種用于COA上基板的制作方法，包括以下的幾個步驟。
[0059]首先，在基底上涂覆遮光材料，并經(jīng)處理形成黑矩陣層。具體的，如圖4所示，在玻璃基板形成的基底41上涂覆遮光材料，然后經(jīng)曝光、顯影和剝離處理形成黑矩陣層42對應的圖案。
[0060]接著，在黑矩陣層和裸露的基底上涂敷透明導電材料，并經(jīng)處理形成公共電極層。具體的，如圖4所示，在黑矩陣層42和裸露的基底41上涂敷一層ITO透明導電材料，并經(jīng)曝光、顯影和剝離處理形成公共電極層43對應的圖案。
[0061]接著，在公共電極層上沉積有機材料，并經(jīng)處理形成有機平坦層。具體的，如圖4所示，在公共電極層43上采用CVD工藝，沉積SiNx材料，然后經(jīng)曝光、顯影和剝離處理形成有機平坦層45對應的圖案。
[0062]最后，在有機平坦層上對應黑矩陣層的部分區(qū)域形成間隔物。具體的，如圖4所示，在有機平坦層45上對應黑矩陣層42的部分區(qū)域形成間隔物44。
[0063]如圖4所示的COA上基板，由于有機平坦層45覆蓋在公共電極層43之上，因此，需要對有機平坦層45進行曝邊處理。具體的，可在有機平坦層45上涂敷負性光刻膠，對上基板的顯示區(qū)域的有機平坦層進行曝光顯影處理，去除非顯示區(qū)的有機平坦層，暴露出非顯示區(qū)的公共電極層，以在液晶盒對組后，實現(xiàn)上下基板公共電極的連接導通。
[0064]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供了一種采用以上所述上基板的液晶顯示面板。該液晶顯示面板在上基板上設置一層有機平坦層，覆蓋黑矩陣層和公共電極層制作過程中產(chǎn)生的小顆粒，可以解決金屬顆粒使得ITO電極與TFT基板的信號線連接連接到一起，導致液晶盒和模組出現(xiàn)線上有點等不良現(xiàn)象，造成降等和報廢問題。
[0065]根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，還提供了一種采用以上所述液晶顯示面板的液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置采用設置有一層有機平坦層的液晶顯示面板，可以覆蓋黑矩陣層和公共電極層制作過程中產(chǎn)生的小顆粒。
[0066]雖然本發(fā)明所公開的實施方式如上，但所述的內容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術領域內的技術人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護范圍，仍須以所附的權利要求書所界定的范圍為準。
【主權項】
1.一種COA上基板，與設置有彩膜層的TFT下基板對應，包括: 基底; 黑矩陣層，設置于所述基底上； 中間層，設置于所述黑矩陣層和裸露的基底上，包括層疊設置的有機平坦層和公共電極層； 間隔物，設置于所述中間層上。2.根據(jù)權利要求1所述的上基板，其特征在于，在所述中間層中， 所述公共電極層設置于所述黑矩陣層和裸露的基底上； 所述有機平坦層設置于所述公共電極層上； 所述間隔物設置于所述有機平坦層上。3.根據(jù)權利要求1所述的上基板，其特征在于，在所述中間層中， 所述有機平坦層設置于所述黑矩陣層和裸露的基底上； 所述公共電極層設置于所述有機平坦層上； 所述間隔物設置于所述公共電極層上。4.根據(jù)權利要求2或3所述的上基板，其特征在于，所述有機平坦層的厚度為2um-5um。5.根據(jù)權利要求4所述的上基板，其特征在于，所述有機平坦層采用高穿透性的材料制成。6.一種用于COA上基板的制作方法，包括: 在基底上涂覆遮光材料，并經(jīng)處理形成黑矩陣層； 在所述黑矩陣層和裸露的基底上沉積有機材料，并經(jīng)處理形成有機平坦層； 在所述有機平坦層上涂敷透明導電材料，并經(jīng)處理形成公共電極層； 在所述公共電極層上對應所述黑矩陣層的部分區(qū)域形成間隔物。7.一種用于COA上基板的制作方法，包括: 在基底上涂覆遮光材料，并經(jīng)處理形成黑矩陣層； 在所述黑矩陣層和裸露的基底上涂敷透明導電材料，并經(jīng)處理形成公共電極層； 在所述公共電極層上沉積有機材料，并經(jīng)處理形成有機平坦層； 在所述有機平坦層上對應所述黑矩陣層的部分區(qū)域形成間隔物。8.根據(jù)權利要求7所述的制作方法，其特征在于，在形成所述有機平坦層之后還包括對形成的有機平坦層進行曝邊處理過程，所述曝邊處理過程包括: 在所述有機平坦層上涂敷負性光刻膠，并對顯示區(qū)域的有機平坦層進行處理，以去除非顯示區(qū)域的有機平坦層，暴露出非顯示區(qū)域的公共電極層，以實現(xiàn)COA上基板和TFT下基板公共電極的連接導通。9.一種采用以上權利要求1-5中任一項所述上基板的液晶顯示面板。10.一種采用權利要求9所述液晶顯示面板的液晶顯示裝置。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種COA上基板及制作方法、液晶顯示面板及裝置，該上基板與設置有彩膜層的TFT下基板對應，包括：基底；黑矩陣層，設置于基底上；中間層，設置于黑矩陣層和裸露的基底上，包括層疊設置的有機平坦層和公共電極層；間隔物，設置于中間層上。本發(fā)明可以解決金屬顆粒使得ITO電極與TFT基板的信號線連接到一起，導致液晶盒和模組出現(xiàn)線上有點等不良現(xiàn)象，造成降等和報廢問題。
【IPC分類】G02F1/1333, G02F1/1335
【公開號】CN105223721
【申請?zhí)枴緾N201510717118
【發(fā)明人】徐向陽
【申請人】深圳市華星光電技術有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請日】2015年10月30日