方案可提供一種反射式顯示器，對于所述反射式顯示器來說，由顯示器提供 的經(jīng)再現(xiàn)色彩在視角范圍內(nèi)未明顯改變。在視角范圍外部，顯示器可呈現(xiàn)為黑暗，使得視野 錐可被視為秘密區(qū)。在一些實施方案中，錐形光纖可提供高孔徑比且可增加透射穿過光纖 陣列的光的量及對偏軸視野特性的較好控制。
[0039]所描述的實施方案可適用的合適EMS或MEMS裝置或設(shè)備的實例為反射式顯示裝 置。反射式顯示裝置可并有干涉調(diào)制器（MOD)顯示元件，可實施所述IM0D顯示元件以使用 光學(xué)干涉的原理來選擇性地吸收及/或反射入射于其上的光。頂0D顯示元件可包含:部分光 學(xué)吸收體;反射器，其可相對于吸收體移動;及光學(xué)諧振腔，其界定于吸收體與反射器之間。 在一些實施方案中，反射器可移動到兩個或兩個以上的不同位置，所述位置可改變光學(xué)諧 振腔的大小且借此影響IM0D的反射比。頂0D顯示元件的反射譜可產(chǎn)生相當(dāng)寬廣的光譜帶， 所述光譜帶可經(jīng)移位跨越可見波長以產(chǎn)生不同色彩?？赏ㄟ^改變光學(xué)諧振腔的厚度來調(diào)整 光譜帶的位置。一種改變光學(xué)諧振腔的方式通過改變反射器相對于吸收體的位置。
[0040]圖1為描繪在頂0D顯示裝置的一系列顯示元件或顯示元件陣列中的兩個鄰近實例 干涉調(diào)制器（MOD)顯示元件的等角視圖說明。頂0D顯示裝置包含一或多個干涉EMS(例如， MEMS)顯示元件。在此等裝置中，可在明亮狀態(tài)抑或黑暗狀態(tài)下定位干涉MEMS顯示元件。在 明亮（"松弛"、"開放"或"接通"等)狀態(tài)下，顯示元件反射入射可見光的大部分。相反地，在 黑暗（"致動"、"閉合"或"斷開"等)狀態(tài)下，顯示元件反射很少的入射可見光。MEMS顯示元件 可能能夠主要地在特定光波長下反射從而允許除黑白之外的彩色顯示。在一些實施方案 中，通過使用多個顯示元件，可達到不同色原強度及灰度。
[0041 ] MOD顯示裝置可包含可按行及列布置的MOD顯示元件陣列。陣列中的每一顯示元 件可包含至少一對反射層及半反射層，例如可移動反射層（亦即，可移動層，也稱為機械層） 及固定的部分反射層（亦即，固定層），所述對反射層及半反射層被定位于距彼此可變及可 控制距離處以形成氣隙（也稱為光學(xué)間隙、空腔或光學(xué)諧振腔）?？梢苿臃瓷鋵涌稍谥辽賰?個位置之間移動。舉例來說，在第一位置(亦即，松弛位置）中，可移動反射層可以距固定的 部分反射層一距離來定位。在第二位置(亦即，致動位置）中，可移動反射層可經(jīng)定位成較接 近于部分反射層。從所述兩個層反射的入射光可取決于可移動反射層的位置及入射光的波 長而相長地及/或相消地干涉，從而針對每一顯示元件而產(chǎn)生總體反射或非反射狀態(tài)。在一 些實施方案中，顯示元件可在未致動時處于反射狀態(tài)從而反射可見光譜內(nèi)的光，且可在致 動時處于黑暗狀態(tài)從而吸收及/或相消地干涉可見光范圍內(nèi)的光。然而，在一些其它實施方 案中，頂0D顯示元件可在未致動時處于黑暗狀態(tài)且在致動時處于反射狀態(tài)。在一些實施方 案中，所施加的電壓的引入可驅(qū)動顯示元件以改變狀態(tài)。在一些其它實施方案中，所施加的 電荷可驅(qū)動顯示元件以改變狀態(tài)。
[0042]圖1中的陣列的所描繪部分包含呈頂0D顯示元件12的形式的兩個鄰近干涉MEMS顯 示元件。在右邊的顯示元件12中（如所說明），可移動反射層14經(jīng)說明為位于接近于、鄰近于 或觸摸光學(xué)堆疊16的致動位置中?？缭接疫叺娘@示元件12所施加的電壓V blas足以移動且也 維持可移動反射層14處于致動位置中。在左邊的顯示元件12中（如所說明），可移動反射層 14經(jīng)說明為位于距光學(xué)堆疊16-距離(其可基于設(shè)計操作加以預(yù)定)處的松弛位置中，所述 光學(xué)堆疊包含部分反射層?？缭阶筮叺娘@示元件12所施加的電壓Vo不足以使可移動反射層 14致動到致動位置(例如，右邊的顯示元件12的致動位置）。
[0043]在圖1中，頂0D顯示元件12的反射性質(zhì)大體上用箭頭來說明，所述箭頭指示入射于 IM0D顯示元件12上的光13及從左邊的顯示元件12反射的光15。入射于顯示元件12上的大部 分光13可透射穿過透明襯底20,朝向光學(xué)堆疊16行進。入射于光學(xué)堆疊16上的光的一部分 可透射穿過光學(xué)堆疊16的部分反射層，且一部分將反射回，穿過透明襯底20。光13的透射穿 過光學(xué)堆疊16的部分可自可移動反射層14反射，返回朝向（且穿過)透明襯底20。自光學(xué)堆 疊16的部分反射層反射的光與自可移動反射層14反射的光之間的干涉(相長及/或相消)將 部分地確定在裝置的視野或襯底側(cè)上自顯示元件12反射的光15的波長的強度。在一些實施 方案中，透明襯底20可為玻璃襯底(有時稱為玻璃板或面板）。玻璃襯底可為或可包含（例 如）硼硅玻璃、堿石灰玻璃、石英、派熱斯玻璃或其它合適的玻璃材料。在一些實施方案中， 玻璃襯底可具有〇. 3、0.5或0.7毫米的厚度，但在一些實施方案中，玻璃襯底可較厚(例如， 幾十毫米)或較薄(例如，小于0.3毫米）。在一些實施方案中，可使用非玻璃襯底，例如聚碳 酸酯、丙烯酸樹脂、聚對苯二甲酸伸乙二酯(PET)或聚醚醚酮(PEEK)襯底。在此實施方案中， 非玻璃襯底將很可能具有小于〇. 7毫米的厚度，但襯底可取決于設(shè)計考慮事項而較厚。在一 些實施方案中，可使用非透明襯底，例如基于金屬箱片或不銹鋼的襯底。舉例來說，基于反 轉(zhuǎn)頂0D的顯示器(其包含固定反射層及可移動反射層，其為部分透射且部分反射的）可經(jīng)調(diào) 適成自與圖1的顯示元件12對置的襯底側(cè)檢視且可通過非透明襯底來支撐。
[0044]光學(xué)堆疊16可包含單一層或若干層。所述層可包含電極層、部分反射且部分透射 層及透明介電層中的一或多者。在一些實施方案中，光學(xué)堆疊16為導(dǎo)電的、部分透明的且部 分反射的，且可（例如）通過將上述層中的一或多者沉積到透明襯底20上而制造。電極層可 由例如各種金屬(例如，氧化銦錫(ITO))的多種材料形成。部分反射層可由為部分反射的多 種材料(例如，各種金屬(例如，鉻及/或鉬）、半導(dǎo)體及電介質(zhì))形成。部分反射層可由一或多 個材料層形成，且所述層中的每一者可由單一材料或材料的組合形成。在一些實施方案中， 光學(xué)堆疊16的某些部分可包含單一半透明厚度的金屬或半導(dǎo)體，其充當(dāng)部分光學(xué)吸收體與 電導(dǎo)體兩者，而不同的導(dǎo)電性較強的層或部分(例如，屬于光學(xué)堆疊16或顯示元件的其它結(jié) 構(gòu)）可用以在IMOD顯示元件之間用總線傳送信號。光學(xué)堆疊16也可包含覆蓋一或多個導(dǎo)電 層或一導(dǎo)電/部分吸收層的一或多個絕緣或介電層。
[0045] 在一些實施方案中，光學(xué)堆疊16的所述層中的至少一些可經(jīng)圖案化成平行條帶， 且可形成顯示裝置中的列電極，如下文予以進一步描述。如由所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將 理解，術(shù)語"經(jīng)圖案化"在本文中用以指遮蔽以及蝕刻過程。在一些實施方案中，可將高度導(dǎo) 電且反射的材料(例如，鋁(A1))用于可移動反射層14,且此等條帶可形成顯示裝置中的行 電極?？梢苿臃瓷鋵?4可經(jīng)形成為一（多個)所沉積金屬層的一系列平行條帶（正交于光學(xué) 堆疊16的列電極），以形成沉積于支撐件(例如，所說明的柱18)及位于柱18之間的介入犧牲 材料的頂部上的行。當(dāng)蝕刻掉所述犧牲材料時，可在可移動反射層14與光學(xué)堆疊16之間形 成所界定的間隙19或光學(xué)空腔。在一些實施方案中，柱18之間的間距可為大約Ιμπι至ΙΟΟΟμ m，而間隙19可大約小于10,000埃(A)。
[0046] 在一些實施方案中，每一頂0D顯示像素(不管處于致動狀態(tài)抑或松弛狀態(tài))可被視 為由固定反射層及移動反射層形成的電容器。當(dāng)未施加電壓時，可移動反射層14保持處于 機械松弛狀態(tài)，如由圖1中的左側(cè)顯示元件12所說明，其中間隙19位于可移動反射層14與光 學(xué)堆疊16之間。然而，當(dāng)將電位差（亦即，電壓)施加至所選擇列及行中的至少一者時，在對 應(yīng)顯示元件處形成于列電極與行電極的相交處的電容器變得充電，且靜電力將所述電極牽 拉在一起。如果所施加電壓超出臨限值，則可移動反射層14可變形且移動從而接近或抵靠 住光學(xué)堆疊16。如由圖1中的右側(cè)致動的顯示元件12所說明，光學(xué)堆疊16內(nèi)的介電層(未圖 示)可防止短路且控制層14與16之間的分離距離。不管所施加電位差的極性如何，行為可均 為相同的。雖然陣列中的一系列顯示元件可在一些例子中被稱為"行"或"列"，但所屬領(lǐng)域 的一般技術(shù)人員將易于理解，將一方向稱為"行"且將另一方向稱為"列"為任意的。再聲明， 在一些定向上，可將行視為列，且將列視為行。在一些實施方案中，可將行稱為"共同"線且 可將列稱為"區(qū)段"線，或反之亦然。此外，顯示元件可均勻地布置于正交的列及行（"陣列"） 中，或以非線性配置布置，例如，具有相對于彼此的某些位置偏移（"馬賽克"）。術(shù)語"陣列" 及"馬賽克"可指任何配置。因此，雖然將顯示器稱為包含"陣列"或"馬賽克"，但元件自身不 需要彼此正交地布置，或按均勻分布安置，而在任何例子中可包含具有不對稱形狀及不均 勻分布的元件的布置。
[0047]圖2展示說明并有基于IM0D的顯示器的實例電子裝置的系統(tǒng)框圖，所述基于頂0D 的顯示器包含頂0D顯示元件的三元件X三元件陣列。所述電子裝置包含可能能夠執(zhí)行一或 多個軟件模塊的處理器21。除執(zhí)行操作系統(tǒng)之外，處理器21也可能能夠執(zhí)行一或多個軟件 應(yīng)用，所述一或多個軟件應(yīng)用包含網(wǎng)頁瀏覽程序、電話應(yīng)用、電子郵件應(yīng)用或任何其它軟件 應(yīng)用。
[0048] 處理器21可能能夠與陣列驅(qū)動器22通信。陣列驅(qū)動器22可包含將信號提供到（例 如）顯示陣列或面板30的列驅(qū)動器電路24及行驅(qū)動器電路26。圖1中所說明的頂0D顯示裝置 的橫截面通過圖2中的線1-1來展示。雖然出于清晰起見圖2說明頂0D顯示元件的3X3陣列， 但顯示陣列30可含有極大數(shù)目的頂0D顯示元件，且可在行與列中具有不同數(shù)目個MOD顯示 元件，且反之亦然。
[0049]圖3展示說明用于IM0D顯示器或顯示元件的實例制造過程的流程圖。圖4A到4E展 示在用于制造 MOD顯示器或顯示元件的實例過程中的各種階段的橫截面說明。在一些實施 方案中，可實施制造過程80以制造一或多個EMS裝置(例如，頂0D顯示器或顯示元件）。此EMS 裝置的制造還可包含圖3中未展示的其它塊。過程80在塊82處以在襯底20上方形成光學(xué)堆 疊16開始。圖4A說明形成于襯底20上方的此光學(xué)堆疊16。襯底20可為例如玻璃或塑料（例 如，上文關(guān)于圖1所論述的材料）的透明襯底。襯底20可具有柔性或相對剛性且不彎曲，且可 已經(jīng)受先前的預(yù)備過程(例如，清潔）以促進光學(xué)堆疊16的有效形成。如上文所論述，光學(xué)堆 疊16可導(dǎo)電、部分透明、部分反射且部分吸收，且可(例如)通過將具有所要性質(zhì)的一或多個 層沉積到透明襯底20上制造所述光學(xué)堆疊。
[0050] 在圖4A中，雖然在一些其它實施方案中可包含更多或更少子層，但光學(xué)堆疊16包 含具有子層16a及16b的多層結(jié)構(gòu)。在一些實施方案中，子層16a及16b中的一者可包含光學(xué) 吸收與導(dǎo)電性質(zhì)兩者(例如，組合的導(dǎo)體/吸收體子層16a)。在一些實施方案中，子層16a及 16b中的一者可包含鉬-鉻(鉬鉻或MoCr)或具有合適的復(fù)折射率的其它材料。另外，子層16a 及16b中的一或多者可經(jīng)圖案化為平行條帶，且可形成顯示裝置中的行電極。可通過掩蔽及 蝕刻過程或此項技術(shù)中已知的另一合適過程來執(zhí)行此圖案化。在一些實施方案中，子層16a 及16b中的一者可為絕緣或介電層，例如沉積于一或多個下伏的金屬層及/或氧化物層(例 如，一或多個反射層及/或?qū)щ妼?上方的上子層16b。另外，光學(xué)堆疊 16可經(jīng)圖案化為形成 顯示器的列的個別及平行條帶。在一些實施方案中，即使在圖4A至4E中子層16a及16b經(jīng)展 示為有點厚，光學(xué)堆疊的子層中的至少一者(例如，光學(xué)吸收層)仍可非常薄(例如，相對于 本發(fā)明中所描繪的其它層）。
[0051] 過程80在塊84處以在光學(xué)堆疊16上方形成犧牲