防靜電器件及其制造方法、基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種防靜電器件、防靜電器件的制造方法以及包括該防靜電器件的基板。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器的陣列基板包括像素單元和驅(qū)動(dòng)該像素單元的薄膜晶體管。通常，在生產(chǎn)薄膜晶體管時(shí)，由于摩擦等原因，會(huì)在薄膜晶體管的不同的導(dǎo)電層上產(chǎn)生靜電，當(dāng)靜電積累到一定程度就會(huì)出現(xiàn)靜電擊穿現(xiàn)象，這會(huì)導(dǎo)致陣列基板上的像素電路短路而受損。
[0003]為了防止出現(xiàn)靜電擊穿現(xiàn)象，一般需要在制造薄膜晶體管的同時(shí)形成一個(gè)防靜電器件，以避免在不同的導(dǎo)電層之間出現(xiàn)靜電擊穿現(xiàn)象。圖1顯示現(xiàn)有技術(shù)中的一種防靜電器件的剖視圖。如圖1所示，該防靜電器件主要包括第一導(dǎo)電層11、形成在第一導(dǎo)電層11上的第一絕緣層12、形成在第一絕緣層12上的第二導(dǎo)電層15、形成在第二導(dǎo)電層15上的第二絕緣層16、形成在第二絕緣層16中的過孔02、形成在第二絕緣層16和第一絕緣層12中的過孔
03、和形成在第二絕緣層16上的第三導(dǎo)電層17。
[0004]如圖1所示，在現(xiàn)有技術(shù)中，該防靜電器件的第二導(dǎo)電層15經(jīng)由過孔02與第三導(dǎo)電層17電連接，第三導(dǎo)電層17經(jīng)由過孔03與第一導(dǎo)電層11電連接。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，在形成第三導(dǎo)電層17之前，第二導(dǎo)電層15與第一導(dǎo)電層11之間是相互電隔離開的。因此，在形成第三導(dǎo)電層17之前，在第二導(dǎo)電層15與第一導(dǎo)電層11之間存在電壓差(因?yàn)樵谥圃斓倪^程中，例如，摩擦等原因，會(huì)導(dǎo)致第二導(dǎo)電層15和第一導(dǎo)電層11上存在靜電，當(dāng)靜電積累到一定程度就會(huì)出現(xiàn)靜電擊穿現(xiàn)象)，當(dāng)該電壓差足夠高時(shí)，就會(huì)擊穿第二導(dǎo)電層15與第一導(dǎo)電層11之間的第一絕緣層12，這會(huì)導(dǎo)致陣列基板上的像素電路短路而受損。
[0005]因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，在制造薄膜晶體管的過程中，依然會(huì)出現(xiàn)靜電擊穿現(xiàn)象。靜電擊穿會(huì)導(dǎo)致顯示裝置中的陣列基板上的像素電路受損，嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致陣列基板上的像素電路短路，陣列基板無法正常工作。
[0006]此外，如圖1所示，在現(xiàn)有技術(shù)中，電連接第三導(dǎo)電層17和第一導(dǎo)電層11的過孔03需要貫穿第一絕緣層12和第二絕緣層13，這導(dǎo)致過孔03的長(zhǎng)度較大，難以制作。有時(shí)實(shí)際形成的過孔03不能完全貫穿第一絕緣層12和第二絕緣層16，這會(huì)導(dǎo)致第三導(dǎo)電層17不能電連接到第一導(dǎo)電層11，增加了第三導(dǎo)電層17與第一導(dǎo)電層11之間電斷開(OPEN)的概率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題和缺陷的至少一個(gè)方面。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)目的，提供一種防靜電器件，其能夠消除不同導(dǎo)電層之間的電位差，有效地防止在不同導(dǎo)電層之間出現(xiàn)靜電擊穿現(xiàn)象。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)目的，提供一種防靜電器件，其能夠減小跨接兩個(gè)導(dǎo)電層的過孔的長(zhǎng)度，有效降低了兩個(gè)導(dǎo)電層之間出現(xiàn)電斷開的概率。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種防靜電器件，包括:第一導(dǎo)電層;第一絕緣層，形成在所述第一導(dǎo)電層上;有源層，形成在所述第一絕緣層上；刻蝕阻擋層，形成在所述有源層上;第二導(dǎo)電層，形成在所述刻蝕阻擋層上，包括相互隔開的第一部分和第二部分;第二絕緣層，形成在所述第二導(dǎo)電層上；和第三導(dǎo)電層，形成在所述第二絕緣層上，所述第二導(dǎo)電層的第一部分和第二部分分別通過形成在所述刻蝕阻擋層中的第一過孔和第二過孔與所述有源層電連接，并且分別通過形成在所述第二絕緣層中的第三過孔和第四過孔與所述第三導(dǎo)電層電連接，所述第二導(dǎo)電層的第一部分和第二部分中的一個(gè)通過貫穿所述刻蝕阻擋層和所述第一絕緣層的第五過孔與所述第一導(dǎo)電層電連接。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種陣列基板，包括前述防靜電器件。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種制造前述防靜電器件的方法，包括以下步驟:
[0013]在所述第一導(dǎo)電層上形成第一絕緣層；
[0014]在所述第一絕緣層上形成有源層；
[0015]在所述有源層上形成刻蝕阻擋層；
[0016]形成貫穿所述刻蝕阻擋層的第一過孔和第二過孔和形成貫穿所述刻蝕阻擋層和所述第一絕緣層的第五過孔；
[0017]在所述刻蝕阻擋層上形成第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層的第一部分和第二部分分別通過所述第一過孔和第二過孔與所述有源層電連接，所述第二導(dǎo)電層的第一部分和第二部分中的一個(gè)通過所述第五過孔與所述第一導(dǎo)電層電連接；
[0018]在所述第二導(dǎo)電層上形成第二絕緣層；
[0019]形成貫穿所述第二絕緣層的第三過孔和第四過孔;和
[0020]在所述第二絕緣層上形成第三導(dǎo)電層，所述第三導(dǎo)電層分別通過所述第三過孔和第四過孔與所述第二導(dǎo)電層的第一部分和第二部分電連接。
[0021]在根據(jù)本發(fā)明的前述各個(gè)實(shí)施例的防靜電器件中，第二導(dǎo)電層通過一個(gè)單獨(dú)的過孔與第一導(dǎo)電層電連接，可以及時(shí)消除生產(chǎn)過程中第二導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層之間的電位差，有效防止了在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)靜電擊穿現(xiàn)象。
[0022]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)例性的實(shí)施例中，前述防靜電器件可以在制造薄膜晶體管的同時(shí)同步形成，以避免在制造薄膜晶體管的過程中在不同的導(dǎo)電層之間出現(xiàn)靜電擊穿。
[0023]此外，在本發(fā)明的前述各個(gè)實(shí)施例中，跨接兩個(gè)導(dǎo)電層的過孔只需貫穿一層絕緣層，因此，減小了跨接過孔的長(zhǎng)度，降低了兩個(gè)導(dǎo)電層之間出現(xiàn)電斷開的概率。
[0024]通過下文中參照附圖對(duì)本發(fā)明所作的描述，本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見，并可幫助對(duì)本發(fā)明有全面的理解。
【附圖說明】
[0025]圖1顯示現(xiàn)有技術(shù)中的一種防靜電器件的剖視圖；
[0026]圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)例性的實(shí)施例的防靜電器件的剖視圖；和
[0027]圖3a_3h顯示制造圖2所示的防靜電器件的過程。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面通過實(shí)施例，并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步具體的說明。在說明書中，相同或相似的附圖標(biāo)號(hào)指示相同或相似的部件。下述參照附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式的說明旨在對(duì)本發(fā)明的總體發(fā)明構(gòu)思進(jìn)行解釋，而不應(yīng)當(dāng)理解為對(duì)本發(fā)明的一種限制。
[0029]另外，在下面的詳細(xì)描述中，為便于解釋，闡述了許多具體的細(xì)節(jié)以提供對(duì)本披露實(shí)施例的全面理解。然而明顯地，一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下也可以被實(shí)施。在其他情況下，公知的結(jié)構(gòu)和裝置以圖示的方式體現(xiàn)以簡(jiǎn)化附圖。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)總體技術(shù)構(gòu)思，提供一種防靜電器件，包括:第一導(dǎo)電層;第一絕緣層，形成在所述第一導(dǎo)電層上;有源層，形成在所述第一絕緣層上;刻蝕阻擋層，形成在所述有源層上;第二導(dǎo)電層，相互隔開的第一部分和第二部分，形成在所述刻蝕阻擋層上；
[0031]其中，所述第二導(dǎo)電層的第一部分和第二部分分別通過形成在所述刻蝕阻擋層中的第一過孔和第二過孔與所述有源層電連接；
[0032]所述第二導(dǎo)電層的第一部分和第二部分中的一個(gè)通過貫穿所述刻蝕阻擋層和所述第一絕緣層的第五過孔與所述第一導(dǎo)電層電連接。
[0033]基于上述結(jié)構(gòu)，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層在未設(shè)置第三導(dǎo)電層之前即可實(shí)現(xiàn)電連接，進(jìn)而能夠消除上述兩個(gè)不同導(dǎo)電層之間的電位差，有效地防止在不同導(dǎo)電層之間出現(xiàn)靜電擊穿現(xiàn)象。
[0034]在上述提供的前程結(jié)構(gòu)之上，進(jìn)一步設(shè)置第二絕緣層，形成在所述第二導(dǎo)電層上；和第三導(dǎo)電層，形成在所述第二絕緣層上。所述第二導(dǎo)電層的第一部分和第二部分分別通過形成在所述第二絕緣層中的第三過孔和第四過孔與所述第三導(dǎo)電層電連接。
[0035]如此設(shè)置，結(jié)合前程結(jié)構(gòu)中的第二導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層的電連接結(jié)構(gòu)，以及第二導(dǎo)電層與第三導(dǎo)電層的電連接結(jié)構(gòu)，替換將現(xiàn)有技術(shù)中第一導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層直接貫通的電連接結(jié)構(gòu)，避免了形成長(zhǎng)度較大的過孔，降低了第三導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層斷路的概率。O
[0036]圖2顯示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)例性的實(shí)施例的防靜電器件的剖視圖。
[0037]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)例性的實(shí)施例中，公開了一種防靜電器件。如圖2所示，該防靜電器件主要包括第一導(dǎo)電層110、第一絕緣層120、有源層130、刻蝕阻擋層140、第二導(dǎo)電層150、第二絕緣層160和第三導(dǎo)電層170。
[0038]如圖2所不，在圖不的實(shí)施例中，第一絕緣層120形成在第一導(dǎo)電層110上。有源層130通過構(gòu)圖工藝形成在第一絕緣層120上?？涛g阻擋層140形成在有源層130上。第二導(dǎo)電層150形成在刻蝕阻擋層140上，該第二導(dǎo)電層150包括通過單次構(gòu)圖工藝一次性地形成的第一部分151和第二部分152。第一部分151和第二部分152相互隔開。第二絕緣層160形成在第二導(dǎo)電層150上。第三導(dǎo)電層170形成在第二絕緣層160上。
[0039]請(qǐng)繼續(xù)參見圖2，在圖示的實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層150的第一部分151和第二部分152分別通過形成在刻蝕阻擋層140中的第一過孔10和第二過孔20與有源層130電連接，并且第二導(dǎo)電層150的第一部分151和第二部分152分別通過形成在第二絕緣層150中的第三過孔30和第四過孔40與第三導(dǎo)電層170電連接。
[0040]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)例性的實(shí)施例中，如圖2所示，第二導(dǎo)電層150的第一部分151和第二部分152中的一個(gè)通過貫穿刻蝕阻擋層140和第一絕緣層120的第五過孔50與第一導(dǎo)電層110電連接。在圖示的實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層150的第一部分151通過貫穿刻蝕阻擋層140和第一絕緣層120的第五過孔50與第一導(dǎo)電層110電連接。但是，本發(fā)明不局限于圖示的實(shí)施例，例如，圖2中的第二導(dǎo)電層150的第一部分151和第二部分152的位置可以互換。
[0041]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，第三導(dǎo)電層170可以為由銦錫氧化物(ITO)制成的透明導(dǎo)電層。
[0042]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，第一絕緣層120和第二絕緣層160可以為由無機(jī)絕緣材料制成的鈍化保護(hù)層。例如，第一絕緣層120和第二絕緣層160可以由二氧化硅Si02、氮化硅SiNx、氮氧化硅S1