xNy,氧化鋁Al2O3或氧化鈦T1x制成。
[0043]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，有源層130可以為由氧化物半導(dǎo)體材料制成的半導(dǎo)電層。例如，有源層130可以由銦鎵鋅氧化物IGZ0、銦鎵錫氧化物氧化IGTO或銦鋅氧化物IZO制成。
[0044]盡管未圖示，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)總體技術(shù)構(gòu)思，提供一種包括前述防靜電器件的基板，該基板還包括具備薄膜晶體管陣列的陣列基板部分。圖3a_3h顯示制造圖2所示的防靜電器件的過(guò)程。
[0045]下面將參照?qǐng)D3來(lái)詳細(xì)說(shuō)明制造圖2所示的防靜電器件的方法，該方法主要包括以下步驟:
[0046]S110:在第一導(dǎo)電層110上形成第一絕緣層120，如圖3a所示；
[0047]S120:在第一絕緣層120上形成有源層130，如圖3b所示；
[0048]S130:在有源層130上形成刻蝕阻擋層140，如圖3c所示；
[0049]S140:形成貫穿刻蝕阻擋層140的第一過(guò)孔10和第二過(guò)孔20和形成貫穿刻蝕阻擋層140和第一絕緣層120的第五過(guò)孔50，如圖3d所示；
[0050]S150:在刻蝕阻擋層140上形成第二導(dǎo)電層150，如圖3e所示，第二導(dǎo)電層150的第一部分151和第二部分152分別通過(guò)第一過(guò)孔10和第二過(guò)孔20與有源層130電連接，第二導(dǎo)電層150的第一部分151和第二部分152中的一個(gè)通過(guò)第五過(guò)孔50與第一導(dǎo)電層110電連接；[0051 ] S160:在第二導(dǎo)電層150上形成第二絕緣層160，如圖3f所示；
[0052]S170:形成貫穿第二絕緣層160的第三過(guò)孔30和第四過(guò)孔40，如圖3g所示;和
[0053]S180:在第二絕緣層160上形成第三導(dǎo)電層170，如圖3h所示，第三導(dǎo)電層170分別通過(guò)第三過(guò)孔30和第四過(guò)孔40與第二導(dǎo)電層150的第一部分151和第二部分152電連接。
[0054]這樣，就可以制造出一個(gè)如圖2所示的合格的防靜電器件。
[0055]在前述制造過(guò)程中，如圖3e所示，一旦形成第二導(dǎo)電層150之后，第二導(dǎo)電層150的第一部分151和第二部分152就分別通過(guò)第一過(guò)孔10和第二過(guò)孔20與有源層130電連接，第二導(dǎo)電層150的第一部分151和第二部分152中的一個(gè)通過(guò)第五過(guò)孔50與第一導(dǎo)電層110電連接。在圖示的實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層150的第一部分151通過(guò)一個(gè)獨(dú)立的第五過(guò)孔50與第一導(dǎo)電層110電連接，因此，第二導(dǎo)電層150的第一部分151和第一導(dǎo)電層110處于相同的電位，此時(shí)，如果第二導(dǎo)電層150的第一部分151與第二部分152之間存在電位差，有源層130就會(huì)導(dǎo)通，這就會(huì)使得第二導(dǎo)電層150的第一部分151、第二部分152以及第一導(dǎo)電層110都處于相同的電位，從而消除了第二導(dǎo)電層150與第一導(dǎo)電層110之間的電位差，有效防止了在生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)靜電擊穿現(xiàn)象。
[0056]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)例性的實(shí)施例中，前述防靜電器件可以在制造薄膜晶體管的同時(shí)同步形成，以避免在制造薄膜晶體管的過(guò)程中在不同的導(dǎo)電層之間出現(xiàn)靜電擊穿，例如，以避免在制造薄膜晶體管的過(guò)程中在薄膜晶體管的源漏極層與柵極之間出現(xiàn)靜電擊穿。
[0057]在本發(fā)明的前述各個(gè)實(shí)施例中，如圖3g和圖3h所示，跨接第三導(dǎo)電層170和第二導(dǎo)電層150的跨接過(guò)孔30、40只需貫穿第二絕緣層160，而無(wú)需貫穿第一絕緣層140和第二絕緣層160，因此，減小了跨接第三導(dǎo)電層170和第二導(dǎo)電層150的跨接過(guò)孔30、40的長(zhǎng)度(遠(yuǎn)小于圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)中的過(guò)孔03的長(zhǎng)度)，降低了第三導(dǎo)電層出現(xiàn)電斷開的概率。
[0058]在本發(fā)明的前述各個(gè)實(shí)施例中，如圖3d和圖3e所示，由于電連接第二導(dǎo)電層150和第一導(dǎo)電層110的第五過(guò)孔50的長(zhǎng)度較小(遠(yuǎn)小于圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)中的過(guò)孔03的長(zhǎng)度)，因此，第五過(guò)孔50容易形成，降低了制造難度，能夠確保第二導(dǎo)電層150與第一導(dǎo)電層110之間可靠電連接。
[0059]與本發(fā)明的前述實(shí)施例中，如圖3d所示，第一過(guò)孔10和第二過(guò)孔20從刻蝕阻擋層140的頂面一直刻蝕至有源層130，第五過(guò)孔50從刻蝕阻擋層140的頂面一直刻蝕至第一導(dǎo)電層110的頂面。這樣，在形成第二導(dǎo)電層150的第一部分151和第二部分152之后，如圖3e所示，第二導(dǎo)電層150的第一部分151和第二部分152通過(guò)由第一過(guò)孔10、第二過(guò)孔20和第五過(guò)孔50構(gòu)成的雙向?qū)娐放c第一導(dǎo)電層110電連接，從而消除了第二導(dǎo)電層150與第一導(dǎo)電層110之間的電位差，有效防止了在生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)靜電擊穿現(xiàn)象。
[0060]本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，上面所描述的實(shí)施例都是示例性的，并且本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)其進(jìn)行改進(jìn)，各種實(shí)施例中所描述的結(jié)構(gòu)在不發(fā)生結(jié)構(gòu)或者原理方面的沖突的情況下可以進(jìn)行自由組合。
[0061]雖然結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但是附圖中公開的實(shí)施例旨在對(duì)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行示例性說(shuō)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的一種限制。
[0062]雖然本總體發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例已被顯示和說(shuō)明，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，在不背離本總體發(fā)明構(gòu)思的原則和精神的情況下，可對(duì)這些實(shí)施例做出改變，本發(fā)明的范圍以權(quán)利要求和它們的等同物限定。
[0063]應(yīng)注意，措詞“包括”不排除其它元件或步驟，措詞“一”或“一個(gè)”不排除多個(gè)。另夕卜，權(quán)利要求的任何元件標(biāo)號(hào)不應(yīng)理解為限制本發(fā)明的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種防靜電器件，其特征在于，包括: 第一導(dǎo)電層(110); 第一絕緣層(120)，形成在所述第一導(dǎo)電層(110)上； 有源層(130)，形成在所述第一絕緣層(120)上； 刻蝕阻擋層(140)，形成在所述有源層(130)上； 第二導(dǎo)電層(150)，形成在所述刻蝕阻擋層(140)上，包括相互隔開的第一部分(151)和第二部分(152); 其中，所述第二導(dǎo)電層(150)的第一部分(151)和第二部分(152)分別通過(guò)形成在所述刻蝕阻擋層(140)中的第一過(guò)孔(10)和第二過(guò)孔(20)與所述有源層(130)電連接； 所述第二導(dǎo)電層(150)的第一部分(151)和第二部分(152)中的一個(gè)通過(guò)貫穿所述刻蝕阻擋層(140)和所述第一絕緣層(120)的第五過(guò)孔(50)與所述第一導(dǎo)電層(110)電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電器件，其特征在于，還包括: 第二絕緣層(160)，形成在所述第二導(dǎo)電層(150)上;和 第三導(dǎo)電層(170)，形成在所述第二絕緣層(160)上， 所述第二導(dǎo)電層(150)的第一部分(151)和第二部分(152)分別通過(guò)形成在所述第二絕緣層(150)中的第三過(guò)孔(30)和第四過(guò)孔(40)與所述第三導(dǎo)電層(170)電連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防靜電器件，其特征在于: 所述第三導(dǎo)電層(170)為由銦錫氧化物制成的透明導(dǎo)電層。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防靜電器件，其特征在于: 所述第一絕緣層(120)和所述第二絕緣層(160)為由無(wú)機(jī)絕緣材料制成的鈍化保護(hù)層。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的防靜電器件，其特征在于: 所述第一絕緣層(120)和所述第二絕緣層(160)由二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，氧化鋁或氧化鈦制成。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電器件，其特征在于: 所述有源層(130)為由氧化物半導(dǎo)體材料制成的半導(dǎo)電層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的防靜電器件，其特征在于: 所述有源層(130)由銦鎵鋅氧化物、銦鎵錫氧化物氧化或銦鋅氧化物制成。8.一種基板，其特征在于，包括權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的防靜電器件。9.一種制造權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的防靜電器件的方法，包括以下步驟: 在所述第一導(dǎo)電層(110)上形成第一絕緣層(120); 在所述第一絕緣層(120)上形成有源層(130); 在所述有源層(130)上形成刻蝕阻擋層(140); 形成貫穿所述刻蝕阻擋層(140)的第一過(guò)孔(10)和第二過(guò)孔(20)和形成貫穿所述刻蝕阻擋層(140)和所述第一絕緣層(120)的第五過(guò)孔(50); 在所述刻蝕阻擋層(140)上形成第二導(dǎo)電層(150)，所述第二導(dǎo)電層(150)的第一部分(151)和第二部分(152)分別通過(guò)所述第一過(guò)孔(10)和第二過(guò)孔(20)與所述有源層(130)電連接，所述第二導(dǎo)電層(150)的第一部分(151)和第二部分(152)中的一個(gè)通過(guò)所述第五過(guò)孔(50)與所述第一導(dǎo)電層(110)電連接。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于:還包括: 在所述第二導(dǎo)電層(150)上形成第二絕緣層(160); 形成貫穿所述第二絕緣層(160)的第三過(guò)孔(30)和第四過(guò)孔(40);和在所述第二絕緣層(160)上形成第三導(dǎo)電層(170)，所述第三導(dǎo)電層(170)分別通過(guò)所述第三過(guò)孔(30)和第四過(guò)孔(40)與所述第二導(dǎo)電層(150)的第一部分(151)和第二部分(152)電連接。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于: 所述第二導(dǎo)電層(150)的第一部分(151)和第二部分(152)通過(guò)一次構(gòu)圖工藝一次性地形成在所述刻蝕阻擋層(140)上。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種防靜電器件及其制造方法、基板。其中，防靜電器件包括：第一導(dǎo)電層；第一絕緣層，形成在第一導(dǎo)電層上；有源層，形成在第一絕緣層上；刻蝕阻擋層，形成在有源層上；第二導(dǎo)電層，形成在刻蝕阻擋層上，包括相互隔開的第一部分和第二部分；第二導(dǎo)電層的第一部分和第二部分分別通過(guò)形成在刻蝕阻擋層中的第一過(guò)孔和第二過(guò)孔與有源層電連接；第二導(dǎo)電層的第一部分和第二部分中的一個(gè)通過(guò)貫穿刻蝕阻擋層和第一絕緣層的第五過(guò)孔與第一導(dǎo)電層電連接。由于第二導(dǎo)電層通過(guò)單獨(dú)的過(guò)孔與第一導(dǎo)電層電連接，因此，可以及時(shí)消除第一和第二導(dǎo)電層之間的電位差，有效防止在生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)靜電擊穿現(xiàn)象。
【IPC分類】G02F1/1362
【公開號(hào)】CN105607366
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610005081
【發(fā)明人】任興鳳, 汪森林
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2016年1月5日