薄膜晶體管陣列基板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示的技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示面板(Liquid Crystal Display，LCD)因其輕便、低輻射等優(yōu)點(diǎn)越來越受到人們的歡迎。液晶顯示面板包括對(duì)置的彩色濾光片基板(colorfilter，CF)和薄膜晶體管陣列基板(TFT array)以及夾置在兩者之間的液晶層(LClayer)。
[0003]圖1為其中一種液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的平面示意圖，圖2為圖1中沿I1-1I線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為圖1中沿II1-1II線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，為了清楚表示，這些圖均采取了簡略畫法，省略了不相關(guān)部分的膜層，只示意了相關(guān)部分的膜層。請(qǐng)參圖1至圖3，該液晶顯示面板在陣列基板的玻璃基板10上設(shè)有掃描線11和數(shù)據(jù)線12，多條掃描線11與多條數(shù)據(jù)線12相互交叉排列限定多個(gè)像素區(qū)域，在掃描線11與數(shù)據(jù)線12交叉的位置附近設(shè)有薄膜晶體管(TFT)13，薄膜晶體管13由柵極131、源極132、漏極133及有源層134組成，其中源極132電連接數(shù)據(jù)線12，漏極133通過通孔14電連接像素電極15，柵極131電連接掃描線11，源極132和漏極133相互間隔且均與有源層134接觸連接。
[0004]每個(gè)像素電極15由薄膜晶體管13控制。當(dāng)薄膜晶體管13打開時(shí)，像素電極15在打開時(shí)間內(nèi)充電，充電結(jié)束后，像素電極15的電壓將維持到下一次掃描時(shí)重新充電。由于液晶電容(Clc)不大，僅靠液晶電容不能維持像素電極15的電壓，因此需要設(shè)置一個(gè)存儲(chǔ)電容(Cs)來保持像素電極15的電壓。該液晶顯示面板在陣列基板的玻璃基板10上還設(shè)有存儲(chǔ)電容電極線16，存儲(chǔ)電容電極線16的作用是與像素電極15構(gòu)成存儲(chǔ)電容，以此來保持施加于像素電極15上的電壓。通常，存儲(chǔ)電容有兩種主要類型:即存儲(chǔ)電容在柵線上(Cs on Gate)和存儲(chǔ)電容在公共電極線上(Cs on Common)，圖中所示為存儲(chǔ)電容在公共電極線上的架構(gòu)。
[0005]如圖1至圖3所示，存儲(chǔ)電容電極線16與TFT13的柵極131及掃描線11是處于同一層，且三者可由相同材料在同一制程中制作形成。第一金屬層Ml(包含柵極131、掃描線11和存儲(chǔ)電容電極線16)與有源層134之間設(shè)有柵極絕緣層17，第二金屬層M2(包含源極132、漏極133和數(shù)據(jù)線12)與像素電極15之間設(shè)有鈍化層18。存儲(chǔ)電容電極線16沿著數(shù)據(jù)線12所在方向延伸，存儲(chǔ)電容電極線16在與數(shù)據(jù)線12相對(duì)應(yīng)的位置形成凹槽，使存儲(chǔ)電容電極線16位于數(shù)據(jù)線12的左右兩側(cè)且與數(shù)據(jù)線12沒有重疊(參圖2)，主要目的是降低存儲(chǔ)電容電極線16與數(shù)據(jù)線12之間的寄生電容。但是在此種結(jié)構(gòu)中，存儲(chǔ)電容電極線16與數(shù)據(jù)線12在水平方向相互間隔開(兩者之間的間距為A)，為避免背光源(圖未示)的光線露出，該液晶顯示面板在彩色濾光片基板的玻璃基板101上需要制作較寬的遮光層102，而遮光層102如果設(shè)置較寬，將縮減透光面積，會(huì)導(dǎo)致像素的開口率降低。其中，遮光層102的寬度Wbm的計(jì)算如下:
[0006]ffCs = B+MA
[0007]ffBM=ffd+2*(A+ffcs)
[0008]其中，WCs是位于數(shù)據(jù)線每一側(cè)的存儲(chǔ)電容電極線的線寬，MA是阻力精度，Wd是數(shù)據(jù)線的線寬，A是每一側(cè)存儲(chǔ)電容電極線與數(shù)據(jù)線之間的水平間距，d是液晶盒厚(cell gap)，Θ和斜視不漏光角度規(guī)格相關(guān)，B = d*tan0。
[0009 ]為減小遮光層1 2的寬度，以提高像素的開口率，現(xiàn)有技術(shù)提出了如圖4所示的像素結(jié)構(gòu)。圖4為另一種液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的平面示意圖，圖5為圖4中沿V-V線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，同樣為了清楚表示，這些圖均采取了簡略畫法，省略了不相關(guān)部分的膜層，只示意了相關(guān)部分的膜層。與圖1至圖3中像素結(jié)構(gòu)不同的是，在圖4至圖5的像素結(jié)構(gòu)中，沿著數(shù)據(jù)線12方向延伸的存儲(chǔ)電容電極線16橫跨整個(gè)數(shù)據(jù)線12的寬度，數(shù)據(jù)線12位于存儲(chǔ)電容電極線16的正上方且數(shù)據(jù)線12的線寬小于存儲(chǔ)電容電極線16的線寬，使數(shù)據(jù)線12重疊在存儲(chǔ)電容電極線16上方。此種像素結(jié)構(gòu)可以減小彩色濾光片基板上遮光層102的寬度W?，有利于提高像素的開口率，但是由于數(shù)據(jù)線12與存儲(chǔ)電容電極線16重疊，增加了數(shù)據(jù)線12的電容電阻負(fù)載(RC loading)，數(shù)據(jù)線12與存儲(chǔ)電容電極線16之間產(chǎn)生較大的寄生電容，導(dǎo)致信號(hào)延遲增大，對(duì)顯示畫質(zhì)造成負(fù)面影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法，以解決遮光層較寬導(dǎo)致像素開口率降低以及數(shù)據(jù)線與存儲(chǔ)電容電極線之間寄生電容大導(dǎo)致影響畫面顯示的問題。
[0011]本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板，包括:
[0012]襯底；
[0013]形成在所述襯底上的存儲(chǔ)電容電極線；
[0014]覆蓋在所述存儲(chǔ)電容電極線上的第一鈍化層；
[0015]形成在所述第一鈍化層上的掃描線；
[0016]覆蓋在所述掃描線上的柵極絕緣層；
[0017]形成在所述柵極絕緣層上的數(shù)據(jù)線，其中所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線交叉排列限定多個(gè)像素區(qū)域，所述存儲(chǔ)電容電極線沿著所述數(shù)據(jù)線方向延伸；
[0018]覆蓋在所述數(shù)據(jù)線上的第二鈍化層；
[0019]形成在每個(gè)像素區(qū)域內(nèi)的像素電極，其中所述存儲(chǔ)電容電極線與所述像素電極之間形成存儲(chǔ)電容。
[0020]進(jìn)一步地，所述存儲(chǔ)電容電極線的線寬大于所述數(shù)據(jù)線的線寬，所述存儲(chǔ)電容電極線水平橫跨所述數(shù)據(jù)線的整個(gè)寬度并突出于所述數(shù)據(jù)線的兩側(cè)，使得所述數(shù)據(jù)線位于所述存儲(chǔ)電容電極線的上方并與所述存儲(chǔ)電容電極線重疊。
[0021]進(jìn)一步地，所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線交叉的位置附近設(shè)有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極及有源層，其中所述柵極電連接所述掃描線，所述源極與所述漏極之一電連接所述數(shù)據(jù)線，所述源極與所述漏極之另一電連接所述像素電極，所述源極和所述漏極相互間隔且均與所述有源層接觸連接，所述掃描線和所述柵極位于同一層且夾設(shè)在所述第一鈍化層與所述柵極絕緣層之間，所述源極、所述漏極和所述數(shù)據(jù)線位于同一層且夾設(shè)在所述柵極絕緣層和所述第二鈍化層之間。
[0022]進(jìn)一步地，所述像素電極形成在所述第二鈍化層上，所述第二鈍化層上設(shè)有通孔，所述像素電極通過所述通孔與所述源極或所述漏極電連接。
[0023]進(jìn)一步地，所述存儲(chǔ)電容電極線的長度與所述數(shù)據(jù)線中位于兩條相鄰掃描線之間的局部數(shù)據(jù)線的長度相適應(yīng)，沿著兩條相鄰所述數(shù)據(jù)線延伸的兩條所述存儲(chǔ)電容電極線之間通過電極連接部相連，所述電極連接部沿著所述掃描線的方向延伸。
[0024]本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，包括彩色濾光片基板和薄膜晶體管陣列基板以及夾置在所述彩色濾光片基板與所述薄膜晶體管陣列基板之間的液晶層，所述薄膜晶體管陣列基板為上述的薄膜晶體管陣列基板。
[0025]進(jìn)一步地，所述彩色濾光片基板在對(duì)應(yīng)于每個(gè)所述像素電極的外圍位置處設(shè)有遮光層，其中所述遮光層中位于所述數(shù)據(jù)線上方的局部遮光層與所述存儲(chǔ)電容電極線具有相同寬度且相互重疊。
[0026]本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，該制作方法包括如下步驟:
[0027]在襯底上形成存儲(chǔ)電容電極線；
[0028]形成覆蓋所述存儲(chǔ)電容電極線的第一鈍化層；
[0029]在所述第一鈍化層上形成掃描線；
[0030]形成覆蓋所述掃描線的柵極絕緣層；
[0031]在所述柵極絕緣層上形成數(shù)據(jù)線，其中所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線交叉排列限定多個(gè)像素區(qū)域，所述存儲(chǔ)電容電極線沿著所述數(shù)據(jù)線方