層28;
[0079]在步驟S17中，可以在柵極絕緣層27上通過PECVD等方法沉積一層絕緣材料以形成第二鈍化層28 (S卩PV2)，第二鈍化層28同時覆蓋在數(shù)據(jù)線22、源極232、漏極233和有源層234上。
[0080]S18:在每個像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極25，其中存儲電容電極線26與像素電極25之間形成存儲電容。
[0081]在步驟S18中，可以在第二鈍化層28上先通過磁控濺射或熱蒸發(fā)等方法沉積一層透明導(dǎo)電材料層(如ΙΤ0)，然后對該透明導(dǎo)電材料層進行一道光罩制程(例如包括上光阻、曝光、顯影、蝕刻、去光阻等工藝)制作形成像素電極25的圖形。
[0082]本實施例中，在制作形成第二鈍化層28之后且在制作像素電極25之前，該制作方法還包括通過一道光罩制程在第二鈍化層28上形成通孔24，使得之后形成在第二鈍化層28上的像素電極25可通過通孔24與漏極233電連接。但本發(fā)明不限于此，像素電極25也可以形成在柵極絕緣層27上并且直接與漏極233電連接，這樣便無需在第二鈍化層28設(shè)置通孔24。
[0083]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括: 襯底(20); 形成在所述襯底(20)上的存儲電容電極線(26); 覆蓋在所述存儲電容電極線(26)上的第一鈍化層(29); 形成在所述第一鈍化層(29)上的掃描線(21); 覆蓋在所述掃描線(21)上的柵極絕緣層(27); 形成在所述柵極絕緣層(27)上的數(shù)據(jù)線(22)，其中所述掃描線(21)與所述數(shù)據(jù)線(22)交叉排列限定多個像素區(qū)域，所述存儲電容電極線(26)沿著所述數(shù)據(jù)線(22)方向延伸；覆蓋在所述數(shù)據(jù)線(22)上的第二鈍化層(28); 形成在每個像素區(qū)域內(nèi)的像素電極(25)，其中所述存儲電容電極線(26)與所述像素電極(25)之間形成存儲電容(Cs)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述存儲電容電極線(26)的線寬大于所述數(shù)據(jù)線(22)的線寬，所述存儲電容電極線(26)水平橫跨所述數(shù)據(jù)線(22)的整個寬度并突出于所述數(shù)據(jù)線(22)的兩側(cè)，使得所述數(shù)據(jù)線(22)位于所述存儲電容電極線(26)的上方并與所述存儲電容電極線(26)重疊。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述掃描線(21)與所述數(shù)據(jù)線(22)交叉的位置附近設(shè)有薄膜晶體管(23)，所述薄膜晶體管(23)包括柵極(231)、源極(232)、漏極(233)及有源層(234)，其中所述柵極(231)電連接所述掃描線(21)，所述源極(232)與所述漏極(233)之一電連接所述數(shù)據(jù)線(22)，所述源極(232)與所述漏極(233)之另一電連接所述像素電極(25)，所述源極(232)和所述漏極(233)相互間隔且均與所述有源層(234)接觸連接，所述掃描線(21)和所述柵極(231)位于同一層且夾設(shè)在所述第一鈍化層(29)與所述柵極絕緣層(27)之間，所述源極(231)、所述漏極(232)和所述數(shù)據(jù)線(22)位于同一層且夾設(shè)在所述柵極絕緣層(27)和所述第二鈍化層(28)之間。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述像素電極(25)形成在所述第二鈍化層(28)上，所述第二鈍化層(28)上設(shè)有通孔(24)，所述像素電極(25)通過所述通孔(24)與所述源極(231)或所述漏極(232)電連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述存儲電容電極線(26)的長度與所述數(shù)據(jù)線(22)中位于兩條相鄰掃描線(21)之間的局部數(shù)據(jù)線的長度相適應(yīng)，沿著兩條相鄰所述數(shù)據(jù)線(22)延伸的兩條所述存儲電容電極線(26)之間通過電極連接部(30)相連，所述電極連接部(30)沿著所述掃描線(21)的方向延伸。6.—種液晶顯示面板，包括彩色濾光片基板和薄膜晶體管陣列基板以及夾置在所述彩色濾光片基板與所述薄膜晶體管陣列基板之間的液晶層，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板為權(quán)利要求1至5任一項所述的薄膜晶體管陣列基板。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述彩色濾光片基板在對應(yīng)于每個所述像素電極(25)的外圍位置處設(shè)有遮光層(202)，其中所述遮光層(202)中位于所述數(shù)據(jù)線(22)上方的局部遮光層與所述存儲電容電極線(26)具有相同寬度且相互重疊。8.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，該制作方法包括如下步驟: 在襯底(20)上形成存儲電容電極線(26); 形成覆蓋所述存儲電容電極線(26)的第一鈍化層(29); 在所述第一鈍化層(29)上形成掃描線(21); 形成覆蓋所述掃描線(21)的柵極絕緣層(27); 在所述柵極絕緣層(27)上形成數(shù)據(jù)線(22)，其中所述掃描線(21)與所述數(shù)據(jù)線(22)交叉排列限定多個像素區(qū)域，所述存儲電容電極線(26)沿著所述數(shù)據(jù)線(22)方向延伸； 形成覆蓋所述數(shù)據(jù)線(22)的第二鈍化層(28); 在每個像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極(25)，其中所述存儲電容電極線(26)與所述像素電極(25)之間形成存儲電容(Cs)。9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，該制作方法還包括在所述掃描線(21)與所述數(shù)據(jù)線(22)交叉的位置附近形成薄膜晶體管(23)，其中制作所述薄膜晶體管(23)的具體步驟包括: 在所述第一鈍化層(29)上形成柵極(231)，其中所述掃描線(21)和所述柵極(231)位于同一層，所述柵極(231)電連接所述掃描線(21); 在所述柵極絕緣層(27)上形成有源層(234); 在所述柵極絕緣層(27)上形成源極(232)和漏極(233)，其中所述源極(232)、所述漏極(233)和所述數(shù)據(jù)線(22)位于同一層，所述源極(232)和所述漏極(233)相互間隔且均與所述有源層(234)接觸連接，所述源極(232)與所述漏極(233)之一電連接所述數(shù)據(jù)線(22)，所述源極(232)與所述漏極(233)之另一電連接所述像素電極(25)。10.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，該制作方法還包括在所述第二鈍化層(28)上形成通孔(24)，所述像素電極(25)形成在所述第二鈍化層(28)上，所述像素電極(25)通過所述通孔(24)與所述源極(232)或所述漏極(233)電連接。
【專利摘要】一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法，包括：襯底；形成在所述襯底上的存儲電容電極線；覆蓋在所述存儲電容電極線上的第一鈍化層；形成在所述第一鈍化層上的掃描線；覆蓋在所述掃描線上的柵極絕緣層；形成在所述柵極絕緣層上的數(shù)據(jù)線，其中所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線交叉排列限定多個像素區(qū)域，所述存儲電容電極線沿著所述數(shù)據(jù)線方向延伸；覆蓋在所述數(shù)據(jù)線上的第二鈍化層；形成在每個像素區(qū)域內(nèi)的像素電極，其中所述存儲電容電極線與所述像素電極之間形成存儲電容。本實施例可以降低數(shù)據(jù)線與存儲電容電極線之間產(chǎn)生的寄生電容，從而降低數(shù)據(jù)線的電容電阻負載，減少信號延遲，提升顯示畫質(zhì)，并且還可以提高像素的開口率。
【IPC分類】G02F1/1362
【公開號】CN105629612
【申請?zhí)枴緾N201610142728
【發(fā)明人】喬艷冰, 趙哲
【申請人】昆山龍騰光電有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2016年3月14日