Tft基板和顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及液晶顯示技術領域，特別涉及一種TFT基板和顯示裝置。
【背景技術】
[0002]液晶顯示器(英文:Liquid Crystal Display，簡稱:LCD)通過控制液晶分子的旋轉方向和旋轉角度來控制穿透液晶層的光亮，從而顯示各種灰度的圖像，其具有高畫面質量、體積小、重量輕等優(yōu)點，廣泛應用于移動電話、筆記本電腦、電視機以及顯示器等產品中。通常情況下，IXD內的薄膜場效應晶體管(英文:Thin Film Transistor，簡稱:TFT)基板上形成有配向膜，液晶分子排布在配向膜上。
[0003]TFT基板01通常包括:襯底基板，襯底基板上形成有公共電極(英文:Com)金屬，形成有Com金屬的基板上形成有柵絕緣(英文:Gate Insulator，簡稱:GI)層，形成有柵絕緣層的基板上形成有鈍化層，如圖1所示，其示出的是現有技術提供的一種TFT基板01的俯視圖，參見圖1，鈍化層010上設置有有效顯示區(qū)域(英文:Ative Area，簡稱:AA)011和多個(圖1中以2個為例)數據引線(英文:Pad)區(qū)012，每兩個Pad區(qū)012之間為Com金屬區(qū)013，Com金屬區(qū)013是Com金屬在鈍化層010上的對應區(qū)域，其中，Com金屬區(qū)013的高度(Com金屬區(qū)到襯底基板上表面的距離)通常小于或等于AA區(qū)011的高度(AA區(qū)到襯底基板上表面的距離)，且Com金屬區(qū)013通常為平坦的三角狀。將聚酰亞胺(英文:Polyimide，簡稱:PI)溶液涂覆在AA區(qū)011，對涂覆好的PI溶液進行加熱，使PI溶液中的有機溶劑揮發(fā)，可以在AA區(qū)011形成具有一定厚度的配向膜。
[0004]在實現本實用新型的過程中，發(fā)明人發(fā)現現有技術至少存在以下問題:
[0005]Com金屬區(qū)的高度小于或等于AA區(qū)的高度，且Com金屬區(qū)較為平坦，涂敷在AA區(qū)的PI溶液容易從AA區(qū)通過每兩個Pad區(qū)之間的縫隙(如圖1中m處)流向Com金屬區(qū)，并沿Com金屬區(qū)擴散，導致涂覆在AA區(qū)的PI溶液減少且溶液分布不均勻，形成的配向膜厚度均勻性較差，IXD在顯示時容易產生云紋不良。
【實用新型內容】
[0006]為了解決現有技術中配向膜厚度均勻性較差，LCD在顯示時容易產生云紋不良的問題，本實用新型實施例提供一種TFT基板和顯示裝置。所述技術方案如下:
[0007]第一方面，提供一種TFT基板，所述TFT基板包括:
[0008]襯底基板；
[0009]所述襯底基板上形成有公共電極金屬；
[0010]形成有所述公共電極金屬的基板上形成有柵絕緣層；
[0011]形成有所述柵絕緣層的基板上形成有鈍化層；
[0012]其中，所述公共電極金屬對應的鈍化層區(qū)域為公共電極金屬區(qū)，所述公共電極金屬區(qū)上形成有阻流凹槽。
[0013]可選地，所述公共電極金屬上形成有凹槽，以使得所述公共電極金屬區(qū)上形成所述阻流凹槽。
[0014]可選地，所述阻流凹槽的開口的形狀包括:長條形、U字形和V字形中的至少一種。
[0015]可選地，所述阻流凹槽的個數為n，所述η為大于或等于I的正整數。
[0016]可選地，所述TFT基板為高級超維轉換ADS面板或平面轉換IPS面板中的TFT基板，
[0017]所述襯底基板上形成有氧化銅錫ITO層；
[0018]形成有所述ITO層的基板上形成有所述公共電極金屬。
[0019]第二方面，提供一種TFT基板的制造方法，所述TFT基板包括襯底基板，所述方法包括:
[0020]在所述襯底基板上形成公共電極金屬；
[0021]在形成有所述公共電極金屬的基板上形成柵絕緣層；
[0022]在形成有所述柵絕緣層的基板上形成鈍化層；
[0023]在公共電極金屬區(qū)形成阻流凹槽，所述公共電極金屬區(qū)為所述公共電極金屬對應的鈍化層區(qū)域。
[0024]可選地，所述在所述襯底基板上形成公共電極金屬，包括:
[0025]在所述襯底基板上形成具有凹槽的公共電極金屬，以使得所述公共電極金屬區(qū)上形成所述阻流凹槽。
[0026]可選地，所述阻流凹槽的開口的形狀包括:長條形、U字形和V字形中的至少一種。
[0027]可選地，所述阻流凹槽的個數為η，所述η為大于或等于I的正整數。
[0028]可選地，所述在形成有所述公共電極金屬的基板上形成柵絕緣層，包括:
[0029]在形成有所述公共電極金屬的基板上形成柵絕緣層，且對所述柵絕緣層上，所述公共電極金屬的凹槽對應區(qū)域進行過刻。
[0030]可選地，所述TFT基板為高級超維轉換ADS面板或平面轉換IPS面板中的TFT基板，所述在所述襯底基板上形成公共電極金屬之前，所述方法還包括:
[0031 ] 在所述襯底基板上形成ITO層；
[0032]所述在所述襯底基板上形成公共電極金屬，包括:
[0033]在形成有所述ITO層的基板上形成具有凹槽的公共電極金屬，以使得所述公共電極金屬區(qū)上形成所述阻流凹槽。
[0034]第三方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括:第一方面的任意一種可選方式所述的TFT基板。
[0035]本實用新型提供的技術方案帶來的有益效果是:
[0036]本實用新型提供的TFT基板和顯示裝置，TFT基板包括:襯底基板；襯底基板上形成有公共電極金屬；形成有公共電極金屬的基板上形成有柵絕緣層；形成有柵絕緣層的基板上形成有鈍化層；其中，公共電極金屬對應的鈍化層區(qū)域為公共電極金屬區(qū)，公共電極金屬區(qū)上形成有阻流凹槽。本實用新型通過在公共電極金屬區(qū)上設置阻流凹槽來阻擋PI溶液，解決了 AA區(qū)的PI溶液減少且溶液分布不均勻，形成的配向膜厚度均勻性較差，LCD在顯示時容易產生云紋不良的問題，達到了減小AA區(qū)PI溶液的流失速度，使AA區(qū)的PI溶液能夠均勻分布，形成均勻性較好的配向膜，避免云紋不良，提高LCD的顯示性能的效果。
[0037]應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本實用新型。
【附圖說明】
[0038]為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0039]圖1是現有技術提供的一種TFT基板的俯視圖；
[0040]圖2是本實用新型實施例提供的一種TFT基板的結構不意圖；
[0041]圖3是本實用新型實施例提供的另一種TFT基板的結構不意圖；
[0042]圖4是本實用新型實施例提供的再一種TFT基板的結構不意圖；
[0043]圖5是本實用新型實施例提供的一種TFT基板的俯視圖；
[0044]圖6是本實用新型實施例提供的另一種TFT基板的俯視圖；
[0045]圖7是本實用新型實施例提供的再一種TFT基板的俯視圖；
[0046]圖8是本實用新型實施例提供的一種TFT基板的制造方法的方法流程圖；
[0047]圖9是本實用新型實施例提供的另一種TFT基板的制造方法的方法流程圖；
[0048]圖10是本實用新型實施例提供的在襯底基板上形成ITO層后的結構不意圖；
[0049]圖11是本實用新型實施例提供的在ITO層上形成公共電極金屬后的結構示意圖；
[0050]圖12是本實用新型實施例提供的在公共電極金屬上形成柵絕緣層后的結構示意圖；
[0051]圖13是本實用新型實施例提供的在柵絕緣層上形成鈍化層后的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0052]為使本實用新型的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本實用新型實施方式作進一步地詳細描述。
[0053]請參考圖2，其示出的是本實用新型實施例提供的一種TFT基板02的結構示意圖。參見圖2，該TFT基板02包括:襯底基板020，襯底基板020可以為透明基板，其具體可以是采用玻璃或透明樹脂等具有一定堅固性的透明材料制成的基板。
[0054]襯底基板020上形成有公共電極金屬021 ;形成有公共電極金屬021的基板上形成有柵絕緣層022 ;形成有柵絕緣層022的基板上形成有鈍化層023 ;其中，公共電極金屬021對應的鈍化層023區(qū)域為公共電極金屬區(qū)，公共電極金屬區(qū)上形成有阻流凹槽0231。
[0055]綜上所述，本實用新型實施例提供的TFT基板，通過在公共電極金屬區(qū)上設置阻流凹槽，阻流凹槽能夠阻擋PI溶液的流動，減小PI溶液的流動速度，解決了 AA區(qū)的PI溶液減少且溶液分布不均勻，形成的配向膜厚度均勻性較差，LCD在顯示時容易產生云紋不良的問題，達到了減小AA區(qū)PI溶液的流失速度，使AA區(qū)的PI溶液能夠均勻分布，形成均勻性較好的配向膜，避免云紋不良，提高LCD的顯示性能的效果。
[0056]其中，阻流凹槽0231可以通過在公共電極金屬021對應的鈍化層023上刻蝕形成；也可以是先在公共電極金屬021上形成凹槽，使得形成在公共電極金屬021上的柵絕緣層022也具有凹槽，