[0086]請參考圖9，其示出的是本實用新型實施例提供的另一種TFT基板的制造方法的方法流程圖，其中，該TFT基板包括:襯底基板，襯底基板可以為透明基板，其具體可以是采用玻璃或透明樹脂等具有一定堅固性的透明材料制成的基板。參見圖9，該方法流程具體包括:
[0087]步驟901、在襯底基板上形成ITO層。
[0088]如圖10所示，其示出的是在襯底基板020上形成ITO層024后的結(jié)構(gòu)示意圖，可以采用涂覆、沉積、濺射等的方法在襯底基板020上形成一層具有一定厚度的ITO層024 ;示例地，采用磁控濺射或者熱蒸發(fā)的方法在基板020上沉積一層ITO層024 ;其中，ITO層024的厚度可以根據(jù)實際需要設(shè)置。
[0089]步驟902、在形成有ITO層的基板上形成公共電極金屬。
[0090]在本實用新型實施例中，在形成有ITO層的基板上形成公共電極金屬可以包括:在形成有ITO層的基板上形成具有凹槽的公共電極金屬，以便于阻流凹槽的形成。
[0091]如圖11所示，其示出的是在形成有ITO層024的基板上形成公共電極金屬021后的結(jié)構(gòu)示意圖，可以采用涂覆、沉積、濺射等的方法在ITO層024上形成表面平坦的公共電極金屬，之后采用具有特定圖案的掩膜板進行曝光工藝、顯影工藝、刻蝕工藝、光刻膠剝離工藝形成具有凹槽的公共電極金屬021。其中，公共電極金屬021的制作材料可以使用鎢、鈦、鉬、鋁、釹、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻或銅等金屬，也可使用上述幾種材料組合。
[0092]步驟903、在形成有公共電極金屬的基板上形成柵絕緣層。
[0093]如圖12所示，其示出的是在形成有公共電極金屬021的基板上形成柵絕緣層022后的結(jié)構(gòu)示意圖，可以采用涂覆、沉積、濺射等的方法在公共電極金屬021的表面形成柵絕緣層022，示例地，在公共電極金屬021表面涂覆一層具有一定厚度的有機樹脂材料，形成柵絕緣層022。
[0094]其中，柵絕緣層022還可以選用氧化物、氮化物或氧氮化合物生成，對應的反應氣體可以為SiH4、NH3、隊的混合氣體或SiH 2C12、NH3、隊的混合氣體。
[0095]需要說明的是，在本實用新型實施例中，由于公共電極金屬021上形成有凹槽，在形成柵絕緣層022后，柵絕緣層022上公共電極金屬021的凹槽對應區(qū)域也形成有凹槽，且為了增加阻流凹槽的深度，提高阻流效果，本實用新型實施例在形成柵絕緣層022時，可以在柵絕緣層022上公共電極金屬021的凹槽對應區(qū)域進行過刻，以增加柵絕緣層022上的凹槽的深度。
[0096]步驟904、在形成有柵絕緣層的基板上形成鈍化層。
[0097]如圖13所示，其示出的是在形成有柵絕緣層022的基板上形成鈍化層023后的結(jié)構(gòu)示意圖，可以采用涂覆、沉積、濺射等的方法在柵絕緣層022上形成鈍化層023，示例地，采用等離子體加強化學氣相沉積的方法在柵絕緣層022上沉積一定厚度的硅化物作為鈍化層023。由于柵絕緣層022上公共電極金屬021的凹槽對應的區(qū)域形成有凹槽，因此可以在鈍化層023上形成阻流凹槽0231。
[0098]其中，鈍化層023可以選用氧化物、氮化物或氧氮化合物生成，對應的反應氣體可以為SiH4、NH3、隊的混合氣體或SiH 2C12、NH3、隊的混合氣體。
[0099]步驟905、在公共電極金屬區(qū)形成阻流凹槽，公共電極金屬區(qū)為公共電極金屬對應的鈍化層區(qū)域。
[0100]由于公共電極金屬021為設(shè)置有凹槽的公共電極金屬，因此，柵絕緣層022上公共電極金屬021的凹槽對應區(qū)域形成有凹槽，且在形成柵絕緣層022時，在柵絕緣層022上公共電極金屬021的凹槽對應區(qū)域進行了過刻，因此，在柵絕緣層022上形成鈍化層023時，即可以實現(xiàn)在公共電極金屬區(qū)形成阻流凹槽0231，其中，公共電極金屬區(qū)為公共電極金屬021在鈍化層023上的對應區(qū)域。
[0101]其中，阻流凹槽的開口的形狀可以包括:長條形、U字形和V字形中的至少一種。且阻流凹槽的個數(shù)為n，n為大于或等于I的正整數(shù)。阻流凹槽的開口的形狀和個數(shù)都可以根據(jù)實際情況設(shè)置。
[0102]需要說明的是，本實用新型實施例是以在襯底基板上形成具有凹槽的公共電極金屬為例進行說明的，事實上，還可以在襯底基板上形成表面平坦的公共電極金屬，進而在公共電極金屬上形成柵絕緣層，在柵絕緣層上形成鈍化層，在鈍化層上刻蝕形成阻流凹槽，其具體實現(xiàn)過程與上述相同或類似，本實施例在此不再贅述。在實用新型實施例中，ITO層、柵絕緣層以及鈍化層的厚度可以根據(jù)實際需要設(shè)置，本實用新型不對ITO層、柵絕緣層以及鈍化層的厚度進行限定。
[0103]還需要說明的是，本實用新型實施例提供的TFT基板的制造方法可以適用于ADS型、IPS型、扭曲向列(英文:Twist Nematic，簡稱:TN)型等類型的液晶顯示裝置的生產(chǎn)。ADS技術(shù)通過同一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極層與公共電極層間產(chǎn)生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。
[0104]綜上所述，本實用新型實施例提供的TFT基板的制造方法，通過在公共電極金屬區(qū)上設(shè)置阻流凹槽，阻流凹槽能夠阻擋PI溶液的流動，減小PI溶液的流動速度，解決了 AA區(qū)的PI溶液減少且溶液分布不均勻，形成的配向膜厚度均勻性較差，LCD在顯示時容易產(chǎn)生云紋不良的問題，達到了減小AA區(qū)PI溶液的流失速度，使AA區(qū)的PI溶液能夠均勻分布，形成均勻性較好的配向膜，避免云紋不良，提高LCD的顯示性能的效果。
[0105]本實用新型實施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置可以包括圖1至圖7任一所示的TFT基板。該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、有機發(fā)光二極管(英文=OrganicLight-Emitting D1de，簡稱:0LED)面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0106]綜上所述，本實用新型實施例提供的顯示裝置，通過在公共電極金屬區(qū)上設(shè)置阻流凹槽，阻流凹槽能夠阻擋PI溶液的流動，減小PI溶液的流動速度，解決了 AA區(qū)的PI溶液減少且溶液分布不均勻，形成的配向膜厚度均勻性較差，LCD在顯示時容易產(chǎn)生云紋不良的問題，達到了減小AA區(qū)PI溶液的流失速度，使AA區(qū)的PI溶液能夠均勻分布，形成均勻性較好的配向膜，避免云紋不良，提高LCD的顯示性能的效果。
[0107]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分步驟可以通過硬件來完成，也可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機可讀存儲介質(zhì)中，上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。
[0108]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括: 襯底基板； 所述襯底基板上形成有公共電極金屬； 形成有所述公共電極金屬的基板上形成有柵絕緣層； 形成有所述柵絕緣層的基板上形成有鈍化層； 其中，所述公共電極金屬對應的鈍化層區(qū)域為公共電極金屬區(qū)，所述公共電極金屬區(qū)上形成有阻流凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述公共電極金屬上形成有凹槽，以使得所述公共電極金屬區(qū)上形成所述阻流凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板，其特征在于， 所述阻流凹槽的開口的形狀包括:長條形、U字形和V字形中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板，其特征在于， 所述阻流凹槽的個數(shù)為n，所述η為大于或等于I的正整數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項權(quán)利要求所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板為ADS面板或IPS面板中的TFT基板， 所述襯底基板上形成有ITO層； 形成有所述ITO層的基板上形成有所述公共電極金屬。
6.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括:權(quán)利要求1至5任意一項權(quán)利要求所述的TFT基板。
【專利摘要】本實用新型公開一種TFT基板和顯示裝置，屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域。TFT基板包括：襯底基板；襯底基板上形成有公共電極金屬；形成有公共電極金屬的基板上形成有柵絕緣層；形成有柵絕緣層的基板上形成有鈍化層；其中，公共電極金屬對應的鈍化層區(qū)域為公共電極金屬區(qū)，公共電極金屬區(qū)上形成有阻流凹槽。本實用新型通過在公共電極金屬區(qū)上設(shè)置阻流凹槽來阻擋PI溶液，解決了AA區(qū)的PI溶液減少且溶液分布不均勻，形成的配向膜厚度均勻性較差，LCD在顯示時容易產(chǎn)生云紋不良的問題，達到了減小PI溶液的流失速度，使AA區(qū)的PI溶液能夠均勻分布，形成均勻性較好的配向膜，避免云紋不良，提高LCD的顯示性能的效果。
【IPC分類】H01L27-02, H01L29-786, G02F1-1362
【公開號】CN204515310
【申請?zhí)枴緾N201520177410
【發(fā)明人】梁魁
【申請人】北京京東方顯示技術(shù)有限公司, 京東方科技集團股份有限公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2015年3月26日