陣列基板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開一般涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。更具體地，本公開涉及一種陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示(TFT-1XD)技術(shù)的發(fā)展和工業(yè)技術(shù)的進(jìn)步，液晶顯示器的生產(chǎn)成本持續(xù)降低并且制造工藝日益完善，因而已經(jīng)取代陰極射線管顯示器而成為平板顯示領(lǐng)域中的主流技術(shù)。TFT-LCD顯示器因其本身所具有的體積小、功耗低、無輻射等優(yōu)點而成為理想的顯示裝置。
[0003]目前，TFT-1XD按照顯示模式可以分為:扭曲向列(TN，Twisted Nematic)類型、平面轉(zhuǎn)換(IPS，In Plane Switching)類型和高級超維場開關(guān)(ADS，Advanced SuperDimens1n Switch)類型。其中，ADS類型TFT-LCD通常通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場來形成多維電場，使得在液晶盒內(nèi)的狹縫電極之間和電極正上方的所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并且增大了透光效率。ADS技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，使得顯示裝置具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點。
[0004]圖1圖示了現(xiàn)有技術(shù)ADS型陣列基板的橫截面示意圖。如圖1所示，從下至上，陣列基板依次包括同層布置的像素電極3、薄膜晶體管的柵極和公共電極線圖形(未示出)、柵極絕緣層7、鈍化層8、薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線圖形5，以及公共電極2。相應(yīng)地，現(xiàn)有ADS型陣列基板的制作方法一般包括:在透明基板上形成同層布置的像素電極、薄膜晶體管的柵極和公共電極線圖形；形成柵極絕緣層；形成有源層圖形；形成薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線圖形；形成鈍化層；以及在鈍化層上方形成公共電極。
[0005]圖1中所示的陣列基板中所存在的問題在于，如圖2所示，與薄膜晶體管的柵極1同層布置的公共電極線4和像素電極3 二者連接不同的信號線，因此在二者之間需要存在一定間隔d以保證公共電極線4和像素電極3中的信號之間沒有串?dāng)_。公共電極線4和像素電極3之間的間隔降低了對應(yīng)部分的液晶的工作效率，進(jìn)而降低了像素的透過率。
【實用新型內(nèi)容】
[0006]本公開的一個目的是提供一種使用在ADS類型TFT-LED中的陣列基板及其制作方法，其能夠至少部分地緩解或消除現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題。
[0007]根據(jù)本公開的第一方面，提供了一種陣列基板，包括多條柵線、與多條柵線交叉的多條數(shù)據(jù)線以及由多條柵線和多條數(shù)據(jù)線交叉定義的多個像素單元，每一個像素單元包括薄膜晶體管、柵極絕緣層、布置在柵極絕緣層一側(cè)上的鈍化層、像素電極和公共電極，其中薄膜晶體管的源極和漏極布置鈍化層與柵極絕緣層之間，公共電極布置在與鈍化層相對的柵極絕緣層的另一側(cè)上，像素電極布置在鈍化層上。
[0008]相比于上述現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板，在本公開所提供的陣列基板中，通過將像素電極和公共電極的位置互換，像素電極與公共電極線不再同層布置，因此消除了在像素電極與公共電極線之間設(shè)置間隔以保證二者之間沒有串?dāng)_的需要。所述間隔的消除提升了液晶的工作效率，進(jìn)而提升了像素的透過率。
[0009]根據(jù)一個實施例，上述陣列基板還可以包括與像素電極同層布置并且位于數(shù)據(jù)線上方的屏蔽電極。
[0010]在向數(shù)據(jù)線施加電壓的情況下，由數(shù)據(jù)線產(chǎn)生的電場會導(dǎo)致數(shù)據(jù)線上方及兩側(cè)的液晶分子無法有效偏轉(zhuǎn)，從而造成漏光的問題。為了解決這一問題，可以在數(shù)據(jù)線上方形成屏蔽電極，用于屏蔽數(shù)據(jù)線所產(chǎn)生的電場，從而防止該電場影響液晶分子的有效偏轉(zhuǎn)。發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，相比于在沒有屏蔽電極的情況下的至少18-28 μπι寬的黑矩陣，在存在屏蔽電極的情況下，黑矩陣的寬度可以減小到6-8 μπι，從而極大地提高顯示裝置的開口率。
[0011 ] 根據(jù)另一實施例，公共電極可以具有矩陣結(jié)構(gòu)，所述公共電極包括多個子公共電極，并且每一個像素單元對應(yīng)于一個子公共電極?？蛇x地，公共電極的矩陣結(jié)構(gòu)在垂直于數(shù)據(jù)線的方向上通過公共電極線連接，公共電極與公共電極線直接接觸電連接。并且可選地，公共電極的矩陣結(jié)構(gòu)在平行于數(shù)據(jù)線的方向上通過連接電極連接，所述連接電極與公共電極設(shè)置于不同層，并且所述連接電極分別與相鄰的子公共電極通過過孔連接。具體地，所述過孔制作在柵極絕緣層和鈍化層中。
[0012]根據(jù)一個實施例，屏蔽電極在垂直于數(shù)據(jù)線的方向上通過屏蔽電極連接線相互連接，其中屏蔽電極與屏蔽電極連接線由相同材料形成。
[0013]根據(jù)又一實施例，屏蔽電極和公共電極可以連接相同的公共電極線?？商鎿Q地，屏蔽電極和公共電極可以連接不同的公共電極線，并且不同公共電極線上的信號可以相同或者不同。在不同公共電極線上的信號不同時，可以通過添加小信號輸入來使屏蔽電極和公共電極中的信號略有不同。
[0014]根據(jù)實施例，屏蔽電極和公共電極可以相互電絕緣，并且連接不同的公共電極線，此時公共電極不受屏蔽電極和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容的影響。
[0015]根據(jù)再一實施例，由于通常采用具有較大電阻率的ΙΤ0來制作像素電極，因此為防止像素電極中信號由于ΙΤ0的大電阻而產(chǎn)生不良，陣列基板還可以包括與像素電極對應(yīng)的像素金屬電極，在像素電極和像素金屬電極之間可以存在絕緣層，并且二者通過絕緣層中的過孔相互連接。
[0016]根據(jù)另外的實施例，像素電極為狹縫電極，而公共電極為板狀電極。由此，在狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及在狹縫電極層與板狀電極層之間產(chǎn)生的電場能夠形成多維電場，使得在液晶盒內(nèi)的狹縫電極之間和電極正上方的所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高液晶工作效率并且增大透光效率。
[0017]根據(jù)本公開的第二方面，提供了一種包括如以上所描述的陣列基板的顯示裝置。通過將像素電極和公共電極的位置互換，像素電極與公共電極線不再同層布置，因此消除了在像素電極與公共電極線之間設(shè)置間隔以保證二者之間沒有串?dāng)_的需要。所述間隔的消除提升了液晶的工作效率，進(jìn)而提升了像素的透過率。
[0018]根據(jù)本公開的第三方面，提供了一種制作如以上所描述的陣列基板的方法，包括以下步驟:在襯底基板上形成包括薄膜晶體管的柵極、公共電極和公共電極線的圖形；形成柵極絕緣層；形成薄膜晶體管的有源層；形成包括薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形；形成鈍化層，其中薄膜晶體管的源極和漏極布置鈍化層與柵極絕緣層之間；以及在鈍化層上形成像素電極。
[0019]根據(jù)本公開的實施例，上述方法還可以包括在鈍化層上形成屏蔽電極，其中屏蔽電極與像素電極同層布置，并且位于數(shù)據(jù)線上方。屏蔽電極可以屏蔽數(shù)據(jù)線所產(chǎn)生的電場，從而防止該電場影響液晶分子的有效偏轉(zhuǎn)。
[0020]根據(jù)本公開的另一實施例，上述方法還可以包括在像素電極上方形成像素金屬電極，像素電極與像素金屬電極之間存在絕緣層，并且像素電極與像素金屬電極通過絕緣層中的過孔相連。由于通常采用具有較大電阻率的ΙΤ0來制作像素電極，因此添加像素金屬電極可以防止像素電極中信號由于ΙΤ0的大電阻而產(chǎn)生不良。
【附圖說明】
[0021]本公開的這些以及其它方面從以下描述的實施例顯而易見，并將參照以下描述的實施例來闡述本公開的這些以及其它方面。在附圖中，
[0022]圖1示意性地圖示了現(xiàn)有技術(shù)陣列基板的橫截面視圖；
[0023]圖2示意性地圖示了現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板的頂視圖；
[0024]圖3示意性地圖示了根據(jù)本公開的實施例的陣列基板的橫截面視圖；
[0025]圖4示意性地圖示了根據(jù)本公開的實施例的陣列基板的頂視圖；
[0026]圖5示意性地圖示了根據(jù)本公開的另一實施例的陣列基板的橫截面視圖；
[0027]圖6示意性地圖示了根據(jù)本公開的實施例的公共電極的矩陣結(jié)構(gòu)設(shè)計；
[0028]圖7示意性地圖示了根據(jù)本公開的實施例的屏蔽電極的結(jié)構(gòu)設(shè)計；
[0029]圖8圖示了像素電極與屏蔽電極之間的串?dāng)_分析的模擬結(jié)果；以及
[0030]圖9為根據(jù)本公開的實施例的用于制作陣列基板的方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0031]圖3和圖4分別圖示了根據(jù)本公開的實施例的陣列基板的橫截面視圖和頂視圖。根據(jù)本公開的實施例的陣列基板包括多條柵線、與多條柵線交叉的多條數(shù)據(jù)線以及由多條柵線和多條數(shù)據(jù)線交叉定義的多個像素單元，每一個像素單元包括薄膜晶體管、柵極絕緣層7、布置在柵極絕緣層7 —側(cè)上的鈍化層8、像素電極3和公共電極2，其中薄膜晶體管的源極和漏極5布置鈍化層8與柵極絕緣層7之間，公共電極2布置在與鈍化層8相對的柵極絕緣層7的另一側(cè)上，像素電極3布置在鈍化層8上。
[0032]相比于圖1中所示的現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板，在上述陣列基板中，通過將像素電極3和公共電極2的位置互換，即如圖3所示，將像素電極3布置在鈍化層8上方而將公共電極2布置在柵極絕緣層7下方(這與圖1中的將像素電極3布置在柵極絕緣層7下方而將公共電極2布置在鈍化層8上方的布置相反)，像素電極3與公共電極線4不再同層布置，因此消除了在像素電極3與公共電極線4之間設(shè)置間隔以保證二者之間沒有串?dāng)_的需要。如圖4所示，在公共電極2與公共電極線4之間可以不存在間隔，甚至二者可以相互重疊。所述間