隔的消除從而提升了液晶的工作效率，進(jìn)而提升了像素的透過率。
[0033]圖5圖示了根據(jù)本公開的另一實(shí)施例的陣列基板的橫截面視圖。圖5與圖3的不同之處在于，陣列基板還包括與像素電極3同層布置并且位于數(shù)據(jù)線5上方的屏蔽電極9。
[0034]位于數(shù)據(jù)線5上方的屏蔽電極9能夠屏蔽數(shù)據(jù)線5所產(chǎn)生的電場(chǎng)，從而防止該電場(chǎng)影響液晶分子的有效偏轉(zhuǎn)。在沒有屏蔽電極9的情況下，黑矩陣的寬度至少為18-28 μ m，而在存在屏蔽電極9的情況下，黑矩陣的寬度可以減小到6-8 μπι，因此極大地提高顯示裝置的開口率。
[0035]根據(jù)實(shí)施例，公共電極可以具有矩陣結(jié)構(gòu)，公共電極包括多個(gè)子公共電極，并且每一個(gè)像素單元對(duì)應(yīng)于一個(gè)子公共電極。圖6和圖7分別圖示了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的公共電極和屏蔽電極的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。如圖6所示，公共電極2的矩陣在垂直于數(shù)據(jù)線的方向上通過公共電極線4連接，公共電極2與公共電極線4直接接觸電連接，在平行于數(shù)據(jù)線的方向上通過連接電極10連接，該連接電極10與公共電極2設(shè)置于不同層，并且連接電極10分別與相鄰的子公共電極通過過孔6連接。具體地，連接電極10通過制作在柵極絕緣層和鈍化層中的過孔6與相鄰的子公共電極連接。
[0036]類似地，如圖7所示，屏蔽電極9在垂直于數(shù)據(jù)線的方向上通過屏蔽電極連接線相互連接，屏蔽電極9與屏蔽電極連接線由相同材料(例如氧化銦錫(ΙΤ0))形成。
[0037]在本公開所提出的陣列基板中，屏蔽電極和公共電極可以連接相同的公共電極線?？商鎿Q地，屏蔽電極和公共電極可以連接不同的公共電極線，并且不同公共電極線上的信號(hào)可以相同或者不同。在不同公共電極線上的信號(hào)不同時(shí)，可以通過添加小信號(hào)輸入來使屏蔽電極和公共電極中的信號(hào)略有不同。
[0038]根據(jù)實(shí)施例，屏蔽電極和公共電極可以相互電絕緣，并且連接不同的公共電極線，此時(shí)公共電極不受屏蔽電極和數(shù)據(jù)線之間的寄生電容的影響。
[0039]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，由于通常采用具有較大電阻率的ΙΤ0來制作像素電極，因此為防止像素電極中信號(hào)由于ΙΤ0的大電阻而產(chǎn)生不良，陣列基板還可以包括與像素電極對(duì)應(yīng)的像素金屬電極，在像素電極和像素金屬電極之間可以存在絕緣層，并且像素電極與像素金屬電極通過絕緣層中的過孔相互連接。
[0040]如圖3和圖5所示，像素電極3為狹縫電極，并且公共電極2為板狀電極。由此，在狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及在狹縫電極層與板狀電極層之間產(chǎn)生的電場(chǎng)能夠形成多維電場(chǎng)，使得在液晶盒內(nèi)的狹縫電極之間和電極正上方的所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高液晶工作效率并且增大透光效率。
[0041]在本公開所提出的陣列基板中，像素電極與屏蔽電極同層布置，并且二者連接到不同的信號(hào)線。為證明在像素電極與屏蔽電極的信號(hào)之間不存在串?dāng)_，因而不會(huì)引起漏光和混色，對(duì)圖5所示的陣列基板進(jìn)行了模擬。模擬結(jié)果如圖8所示。圖8為像素圖的縱截面視圖。從圖8可以看到，當(dāng)點(diǎn)亮方框左側(cè)的部分時(shí)，在方框部分中沒有出現(xiàn)混色和漏光的現(xiàn)象，因此將像素電極和屏蔽電極同層布置不會(huì)引起信號(hào)之間的串?dāng)_，也不會(huì)引起漏光和混色。
[0042]本公開還提供了一種包括如以上所描述的陣列基板的顯示裝置。通過將像素電極和公共電極的位置互換，像素電極與公共電極線不再同層布置，因此消除了在像素電極與公共電極線之間設(shè)置間隔以保證二者之間沒有串?dāng)_的需要。所述間隔的消除提升了液晶的工作效率，進(jìn)而提升了像素的透過率。
[0043]本公開所提供的顯示裝置可以為TN、ADS、IPS、LTPS等任何模式的液晶顯示裝置。該顯示裝置可以為液晶面板、液晶電視、顯示器、手機(jī)、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或其組件。
[0044]圖9圖示了根據(jù)本公開的實(shí)施例的制作如以上所描述的陣列基板的方法的流程圖。具體地，所述方法包括以下步驟:
[0045]在S100處，在襯底基板上形成包括薄膜晶體管的柵極、公共電極和公共電極線的圖形；在S102處，形成柵極絕緣層；在S104處，形成薄膜晶體管的有源層；在S106處，形成包括薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形；在S108處，形成鈍化層，其中薄膜晶體管的源極和漏極布置鈍化層與柵極絕緣層之間；以及在S110處，在鈍化層上形成像素電極。
[0046]具體地，步驟S100可以包括首先在襯底基板上形成金屬層，對(duì)所述金屬層進(jìn)行圖案化，從而形成包括柵極、公共電極和公共電極線的圖形。襯底基板為透明基板，例如玻璃基板、石英基板和有機(jī)樹脂基板等?？梢圆捎脼R射或熱蒸發(fā)的方法在襯底基板上沉積金屬層，其中柵極金屬層可以是Cu，Al，Ag，Mo, Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金屬以及這些金屬的合金，并且金屬層可以為單層結(jié)構(gòu)或者諸如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Μο\Α1\Μο等之類的多層結(jié)構(gòu)。圖案化的方法包括光刻、濕法刻蝕和干法刻蝕等。公共電極也可以通過沉積銦錫氧化物(IT0)材料來制作。
[0047]在步驟S102中，柵極絕緣層的材料可以選自氧化物、氮化物或者氮氧化物，并且可以為單層、雙層或多層結(jié)構(gòu)。具體地，柵極絕緣層的材料可以是SiNx，S1x或Si (ON)xo
[0048]步驟S104可以具體包括形成半導(dǎo)體層，對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化，以形成薄膜晶體管的有源層圖形。有源層的材料可以為硅半導(dǎo)體或金屬氧化物半導(dǎo)體。
[0049]步驟S106可以具體包括，在完成步驟S104的襯底基板上形成金屬層，對(duì)所述金屬層進(jìn)行圖案化，從而形成包括薄膜晶體管的源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形。
[0050]在步驟S108中，鈍化層的材料可以選自氧化物、氮化物或者氮氧化物，并且可以為單層、雙層或多層結(jié)構(gòu)。例如，鈍化層的材料可以是SiNx，S1x或Si (0Ν)χο
[0051 ] 在步驟SI 10中，像素電極可以通過沉積銦錫氧化物(ΙΤ0)材料來制作。
[0052]根據(jù)本公開的實(shí)施例，上述方法還可以包括在鈍化層上形成屏蔽電極，其中屏蔽電極位于數(shù)據(jù)線上方。屏蔽電極可以屏蔽數(shù)據(jù)線所產(chǎn)生的電場(chǎng)，從而防止該電場(chǎng)影響液晶分子的有效偏轉(zhuǎn)。
[0053]雖然已經(jīng)在附圖和前述描述中詳細(xì)圖示和描述了本公開，但是這樣的圖示和描述要被視為說明性或示例性而非限制性的；本公開不限于所公開的實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員在實(shí)踐所要求保護(hù)的發(fā)明時(shí)，通過研究附圖、公開內(nèi)容和隨附權(quán)利要求，能夠理解和實(shí)現(xiàn)對(duì)所公開的實(shí)施例的其它變型。例如，以上描述的方法不要求以所描述的特定次序或順序的次序來實(shí)現(xiàn)合期望的結(jié)果?？梢蕴峁┢渌襟E，或者可以從所描述的方法中除去步驟，并且其它組件可以添加到所描述的裝置或者從所描述的裝置移除。其它實(shí)施例可以在本公開的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，包括多條柵線、與多條柵線交叉的多條數(shù)據(jù)線、以及由多條柵線和多條數(shù)據(jù)線交叉定義的多個(gè)像素單元，每一個(gè)像素單元包括薄膜晶體管、柵極絕緣層、布置在柵極絕緣層一側(cè)上的鈍化層、像素電極和公共電極，其中薄膜晶體管的源極和漏極布置鈍化層與柵極絕緣層之間，公共電極布置在與鈍化層相對(duì)的柵極絕緣層的另一側(cè)上，像素電極布置在鈍化層上，其中所述陣列基板還包括與像素電極同層布置并且位于數(shù)據(jù)線上方的屏蔽電極。2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中公共電極具有矩陣結(jié)構(gòu)，所述公共電極包括多個(gè)子公共電極，并且每一個(gè)像素單元對(duì)應(yīng)于一個(gè)子公共電極。3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其中公共電極的矩陣結(jié)構(gòu)在垂直于數(shù)據(jù)線的方向上通過公共電極線連接，公共電極與公共電極線直接接觸電連接。4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中公共電極的矩陣結(jié)構(gòu)在平行于數(shù)據(jù)線的方向上通過連接電極連接，所述連接電極與所述公共電極設(shè)置于不同層，并且所述連接電極分別與相鄰的子公共電極通過過孔連接。5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中屏蔽電極在垂直于數(shù)據(jù)線的方向上，通過屏蔽電極連接線相互連接，其中屏蔽電極與屏蔽電極連接線由相同材料形成。6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中屏蔽電極和公共電極連接相同的公共電極線。7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中屏蔽電極與公共電極相互電絕緣，并且連接不同的公共電極線。8.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中陣列基板還包括與像素電極對(duì)應(yīng)的像素金屬電極，在像素電極和像素金屬電極之間存在絕緣層，并且像素電極與像素金屬電極通過絕緣層中的過孔相互連接。9.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中像素電極為狹縫電極，并且公共電極為板狀電極。10.一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【專利摘要】本公開提供了一種陣列基板，包括多條柵線、與多條柵線交叉的多條數(shù)據(jù)線，每?jī)蓷l柵線與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線定義一個(gè)像素單元，每一個(gè)像素單元包括薄膜晶體管、柵極絕緣層、布置在柵極絕緣層一側(cè)上的鈍化層、像素電極和公共電極，其中薄膜晶體管的源極和漏極布置鈍化層與柵極絕緣層之間，公共電極布置在與鈍化層相對(duì)的柵極絕緣層的另一側(cè)上，像素電極布置在鈍化層上。本公開還提供了一種顯示裝置。
【IPC分類】G02F1/1368, G02F1/1345, G02F1/1362, G02F1/1343
【公開號(hào)】CN204964957
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520756091
【發(fā)明人】田允允, 崔賢植, 嚴(yán)允晟
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2016年1月13日
【申請(qǐng)日】2015年9月28日