本發(fā)明涉及氣相沉積制造技術領域，尤其涉及一種具有自動清潔裝置和功能的金屬化學氣相沉積反應器。

背景技術：

如圖1所示，金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)反應器包括一個反應腔100，反應腔內(nèi)包括一個托盤14，多個待處理的基片15固定在托盤上，托盤14下方中心有一個旋轉軸24驅動托盤在反應過程中高速旋轉。托盤14下方還包括一個加熱器12加熱托盤14達到合適的高溫，這個高溫通常在1000度左右，以適應氮化鎵(GaN)晶體材料的結晶生長。反應腔100內(nèi)與托盤相對的是一個氣體噴淋頭21，氣體噴淋頭包括多個互相隔離的多組進氣通道，第一組進氣通道通過氣體管路43連接到第一反應氣源41，第二組進氣通道通過第二氣體管路44連接到第二反應氣源42，噴淋頭中還可以再設置第三組進氣通道位于第一和第二中間進氣通道之間以隔離不同反應氣體。噴淋頭下部還包括冷卻液管路，冷卻液管路通過冷卻液供應管道51連接到冷卻液源50，通過控制冷卻液源輸出冷卻液的溫度和流量可以控制噴淋頭具有合適的溫度，如50度。在噴淋頭和下方托盤之間的反應空間外圍還圍繞著一個反應腔內(nèi)襯62，該內(nèi)襯上方還包括一個升降驅動機構64用以驅動內(nèi)襯62上下移動，在內(nèi)襯處于較高位置時可以屏蔽反應腔100的側壁上的托盤進出口(未圖示)帶來的不均勻性影響，以改善氣流和溫度均勻性。當托盤上的工藝反應完成，需要移出托盤，使得該內(nèi)襯62可以向下移動，以使托盤14穿過側壁100上開設的 托盤進出口。托盤下方空間內(nèi)還包括一基座側壁16，基座側壁圍繞所述旋轉軸24和加熱器12，實現(xiàn)對內(nèi)部熱量和外部污染物的屏蔽。反應腔底部還包括排氣區(qū)域34，反應完成后的副生成物和廢氣通過管道連接到抽氣裝置36，使得副生成物和廢氣被排出反應腔，同時控制反應腔內(nèi)氣流和氣壓。排氣區(qū)域34和反應區(qū)域之間還包括一水平設置的環(huán)形擋氣板30，擋氣板30內(nèi)側固定到基座側壁外側，其另一側固定到反應腔100內(nèi)壁，環(huán)形擋氣板30上還開設有一個或多個沿豎直方向設置的氣流開口31，這些開口可以是環(huán)形的槽也可以是在整個環(huán)形擋氣板30圓周上均勻分布的氣孔。通過對這些開口大小的設計可以控制上方反應區(qū)域的氣流在不同位置的流量和分布。上述冷卻液供應系統(tǒng)51也可以同時向內(nèi)襯62和反應腔100側壁提供冷卻液，以控制這些部件的溫度。

現(xiàn)有技術中，在反應過程中，反應氣體反應后形成氮化鎵(GaN)或者其它氮化物，同時反應氣體三甲基鎵(TMG)會在高溫中分解形成大量有機物，這些固體產(chǎn)物在極高溫的托盤14和基片15上會形成所需要的致密的半導體晶體，但是在內(nèi)襯62、反應腔100內(nèi)壁或者氣體噴淋頭21等溫度較低的部件上這些產(chǎn)物會形成松散的沉積物堆積，這些沉積物堆積時間一長會形成片狀污染物，隨機剝落，沿豎直方向直接向下掉落到下方的擋氣板30上，一些大面積的片狀污染物會堵塞上述氣流開口31。一旦部分氣流開口31被堵塞，上方反應氣體的流動分布就會出現(xiàn)不均勻，基片上生長的晶體結構也就會出現(xiàn)不均勻，這會嚴重影響LED基片的產(chǎn)能和質量。

為了解決上述問題，需要頻繁的關機，打開反應腔，再清理氣體擋板30上大塊的堆積物，但是這也會影響化學氣相沉積裝置的產(chǎn)能。部分現(xiàn)有技術也揭露了利用內(nèi)襯62向下移動時帶動一個清潔裝置穿過上述開口，頂碎沉積 物確保開口31暢通。但是這樣的設計仍然存在弊端，內(nèi)襯62只有在完成整個反應流程后才會升降一次，而整個反應流程可以長達數(shù)小時甚至數(shù)十小時，期間很有可能發(fā)生堵塞開口31的問題，該設計無法解決這一問題，所以需要一種更佳的清潔裝置或方法實現(xiàn)對化學氣相沉積裝置排氣口長期有效的清潔。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是實現(xiàn)對化學氣相沉積裝置中排氣區(qū)域的清潔，以防止大量沉積的污染物堵塞排氣口，造成氣流分布不均。

根據(jù)本發(fā)明的目的，本發(fā)明提供一種化學氣相沉積裝置，包括：

反應腔，包括一反應腔側壁；

基座，位于所述反應腔內(nèi)，所述基座包括基座側壁，所述基座側壁和反應腔側壁之間包括一排氣區(qū)域；

隔離裝置，將所述排氣區(qū)域分隔為圍繞所述基座側壁呈內(nèi)外排布的一排氣腔和一存儲腔，所述存儲腔與基座上方的反應區(qū)域聯(lián)通；

所述隔離裝置包括一隔離裝置側壁，所述隔離裝置側壁上開設有若干個排氣口，通過所述排氣口使排氣腔和存儲腔之間聯(lián)通；

其中，所述排氣口用于允許反應腔工藝處理過程中的反應氣體和副產(chǎn)物進入所述排氣腔，所述排氣腔用于將反應氣體和副產(chǎn)物排出至反應腔外；所述存儲腔用于容納收集工藝處理過程中的顆粒狀或片狀沉積物。

本發(fā)明還提供一種前述所述的化學氣相沉積裝置的工藝處理方法，包括：

向反應腔輸入反應氣體，以在所述基座上進行化學氣相沉積，在所述工藝處理的過程中，從所述反應區(qū)域的反應氣體和副反應產(chǎn)物經(jīng)由所述排氣口沿著非豎直路徑進入至所述排氣腔，再被排出至反應腔外，顆粒狀或片狀沉積物沿豎直方向直接落入并被收集于所述存儲腔內(nèi)。

本發(fā)明還提供一種化學氣相沉積裝置，包括：

反應腔，包括一反應腔側壁；

基座，位于所述反應腔內(nèi)，所述基座包括基座側壁，所述基座側壁和反應腔側壁之間包括一排氣區(qū)域；

隔離裝置，將所述排氣區(qū)域分隔為圍繞所述基座側壁呈內(nèi)外排布的一排氣腔和一存儲腔，所述存儲腔與基座上方的反應區(qū)域聯(lián)通；

所述隔離裝置包括一隔離裝置側壁，所述隔離裝置側壁上開設有若干個排氣口，通過所述排氣口使排氣腔和存儲腔之間聯(lián)通；

所述排氣區(qū)域還包括至少一個可移動的刮擦部件，其可以在所述排氣口附近移動。

本發(fā)明提供一種化學氣相沉積裝置，包括：反應腔，反應腔內(nèi)包括設置在反應腔頂部的進氣裝置，一個基座位于反應腔內(nèi)與進氣裝置相對的下方，所述基座包括一個基座側壁，基座側壁和反應腔側壁之間包括一排氣區(qū)域；一個隔離裝置，將所述排氣區(qū)域分隔為圍繞所述基座側壁呈內(nèi)外排布的一個排氣腔和一個存儲腔，所述存儲腔與基座上方的反應區(qū)域聯(lián)通；所述隔離裝置包括一個側壁，側壁上開設有排氣口，通過所述排氣口使排氣腔和存儲腔之間聯(lián)通，所述排氣區(qū)域還包括至少一個可移動的刮擦部件可以在所述排氣口的兩端之間移動。其中排氣腔可以位于內(nèi)側，所述存儲腔圍繞排氣腔位于外側。所述隔離裝置包括位于頂部的頂蓋，所述頂蓋位于所述排氣口上方，用以防止沉積物從排氣腔頂部落入排氣腔。頂蓋具有傾斜上表面，且形狀與所述可升降內(nèi)襯的內(nèi)表面向匹配，使得內(nèi)側下降時與頂蓋上表面靠近并壓碎兩者表面的大塊沉積物。

所述基座側壁圍繞一個加熱裝置和一個旋轉軸，旋轉軸上方設置有托盤；一個可升降的內(nèi)襯圍繞所述基座上方的反應區(qū)域，所述可升降內(nèi)襯驅動刮擦部件在開口上端和下端之間移動。其中刮擦部件可以是通過一個連桿連接到所述內(nèi)襯。排氣區(qū)域還可以包括一個杠桿，刮擦部件連接到所述杠桿的第一端，所述杠桿的第二端通過一個連桿連接到所述內(nèi)襯。排氣區(qū)域進一步包括一個頂舉桿，所述杠桿的第一端通過頂舉桿抬升所述刮擦部件，且所述杠桿支點低于所述排氣口下端，這樣可以避免對流過排氣口的氣體的干擾。所述 存儲區(qū)域底部還可以進一步包括一個分隔板，所述杠桿位于所述分隔板下方。

可選地，頂舉桿位于所述基座側壁內(nèi)側的排氣腔中上下移動，所述刮擦部件沿隔離裝置的側壁內(nèi)側在開口上下端之間移動。或者刮擦部件可以位于所述存儲腔內(nèi)，沿所述隔離裝置的側壁外側在開口上下端之間移動。

可選地，本發(fā)明可以采用多個刮擦部件位于多個排氣口之間，驅動多個刮擦部件圍繞所述隔離裝置側壁作圓周運動，使每個刮擦部件至少掃過一個排氣口區(qū)域。

其中所述存儲腔包括至少一個防沉積物反流裝置，所述防沉積物反流裝置包括向下傾斜的板。

進一步的，本發(fā)明刮擦部件具有一橫向延伸的延伸部，在刮擦部件經(jīng)過所述排氣口時所述延伸部伸入排氣口。

本發(fā)明還提供一種清潔前述化學氣相沉積裝置的清潔方法，包括：

移動所述刮擦部件，使其在所述排氣口附近移動，以刮擦沉積于所述排氣口的沉積物。

可選地，上下移動所述反應腔內(nèi)的可升降內(nèi)襯，以帶動所述刮擦部件上下移動。

可選地，所述可升降內(nèi)襯與所述所述刮擦部件通過連接桿或杠桿實現(xiàn)二者聯(lián)動。

可選地，驅動所述刮擦部件圍繞所述隔離裝置側壁作圓周運動，使每個刮擦部件至少掃過部分排氣口區(qū)域。

可選地，所述第一位置和第二位置位于排氣口的上端和下端，或者所述第一位置和第二位置位于不同的排氣口之間。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術化學氣相沉積裝置整體結構示意圖；

圖2是本發(fā)明化學氣相沉積裝置的實施例結構示意圖；

圖3是圖2化學氣相沉積裝置的另一狀態(tài)示意圖；

圖4是本發(fā)明另一化學氣相沉積裝置的實施例結構示意圖；

圖5a、5b是本發(fā)明一實施例排氣區(qū)域放大示意圖；

圖6a、6b是本發(fā)明一實施例排氣區(qū)域放大示意圖；

圖7a、7b是本發(fā)明一實施例排氣區(qū)域放大示意圖；

圖8是本發(fā)明另一實施例的排氣區(qū)域放大示意圖；

圖9a、9b是本發(fā)明另一實施例的排氣區(qū)域放大示意圖；

圖10是本發(fā)明另一實施例隔離裝置的側視圖；

圖11a、11b是本發(fā)明所示的排氣裝置或隔離裝置的示意圖。

具體實施方式

本發(fā)明要解決化學氣相沉積裝置在運行過程中產(chǎn)生的污染物堵塞排氣區(qū)域的排氣口造成反應氣體氣流分布不均的問題。

為了解決如圖1所示的化學氣相沉積裝置中，大的片狀沉積物從上方剝落，沿豎直方向直接向下掉落到位于下方的擋氣板30上，堵塞氣流開口31，從而導致工藝結果不均一的問題，本發(fā)明提供了一種完全不同思路的、更簡單有效的解決方案。與現(xiàn)有技術不同，本發(fā)明提供了一種側向排氣裝置，使其排氣口的開口朝向為非豎直方向(例如，沿水平方向)，這樣，可以有效地避免在工藝處理過程中來自上方的顆粒狀或片狀沉積物沿豎直方向直接落入并堵塞排氣口；同時，本發(fā)明還巧妙地在排氣區(qū)域內(nèi)設置了一與排氣腔相隔離的沉積物存儲區(qū)，使顆粒狀或片狀沉積物被有效收集并被壓實，而不會在反應腔內(nèi)隨氣流亂竄，從而影響排氣和工藝處理的均一性。

以下結合圖2、圖3所示的實施例來說明本發(fā)明。圖2所示為本發(fā)明提出的一種化學氣相沉積裝置的實施例，該圖示狀態(tài)為反應器在進行化學氣相沉積時的狀態(tài)，此時，可升降內(nèi)襯62位于一較上方的位置。其反應器的基本結構與圖1所示的現(xiàn)有技術基本相同，主要改進在于位于基座側壁和反應腔側 壁之間的排氣區(qū)域(圖中虛線框A所示)。本發(fā)明中，位于下方的排氣區(qū)域中包括一個隔離裝置139，用于將排氣區(qū)域分隔成位于內(nèi)部的排氣腔134和環(huán)繞排氣腔外圍設置的用于存儲沉積物的存儲區(qū)域或存儲腔138。作為一種實施例，隔離裝置139為一包含頂蓋(容后詳述)的圓桶型隔離板139。隔離裝置139包括一隔離裝置側壁139a，在隔離裝置側壁139a上開設有若干個排氣口137。排氣腔134位于隔離裝置側壁139a的內(nèi)側，并圍繞基座側壁16的外側而設置；存儲腔138位于隔離裝置側壁139a的外側，并圍繞排氣腔134的外側而設置。

隔離裝置139還包括一個頂蓋135，其設置在排氣腔134的上方，頂蓋135內(nèi)側固定到基座側壁16的外側表面，頂蓋135下表面與隔離裝置139之間存在一個或多個開口朝向為非豎直方向的開口137作為排氣口，以使反應氣體沿圖2中18所示的排氣路徑進入排氣腔134，并被抽氣裝置136抽走，同時反應中形成的小顆粒狀污染物也隨著氣流被抽走。而從上方內(nèi)襯62或氣體噴淋頭脫落的大片的沉積物或更大顆粒狀的沉積物，在向下掉落的過程中，由于重力的作用會豎直或垂直地掉落到位于下方的存儲區(qū)域或存儲腔138，而不會橫向穿過開口137，進入排氣腔或直接堵塞開口137。只要存儲腔138的空間容積夠大，就能將多個(如大于100個)晶體生長周期中產(chǎn)生的沉積污染物存儲在存儲區(qū)內(nèi)的空間中，無需開反應腔作清潔處理，也無需如前述現(xiàn)有技術所述的，采用機械結構頻繁運動刮擦或者穿過水平開口31(圖1)來保證開口不會被堵塞。

由上述描述可知，本發(fā)明在化學氣相沉積裝置的反應腔內(nèi)，在位于基座側壁和反應腔側壁之間的排氣區(qū)域內(nèi)，設置一具有側向排氣功能的隔離裝置或排氣裝置，將排氣區(qū)域分隔為圍繞所述基座側壁呈內(nèi)外排布的一排氣腔和一存儲腔。存儲腔與基座上方的反應區(qū)域聯(lián)通，隔離裝置包括一隔離裝置側壁，在隔離裝置側壁上開設有若干個排氣口，通過排氣口使排氣腔和存儲腔之間聯(lián)通；在反應腔工藝處理的過程中，從反應區(qū)域的反應氣體和副反應產(chǎn)物經(jīng)由排氣口和排氣腔被排出至反應腔外，顆粒狀或片狀沉積物落入并被收集于存儲腔內(nèi)。排氣口用于允許反應腔工藝處理過程中的反應氣體和副產(chǎn)物進入排氣腔，排氣腔用于將反應氣體和副產(chǎn)物排出至反應腔外；存儲腔用于 容納收集工藝處理過程中的顆粒狀或片狀沉積物。

優(yōu)選地，若干個排氣口的開口朝向為非豎直方向(為水平方向或為與水平方向呈一小于90度角的傾斜方向)，以避免在工藝處理過程中顆粒狀或片狀沉積物沿豎直方向直接落入并堵塞排氣口。

優(yōu)選地，若干個排氣口位于頂蓋的下方，頂蓋在上方為若干個排氣口提供遮擋，以防止顆粒狀或片狀沉積物沿豎直方向直接落入若干個排氣口。

圖3所示為圖2所示的反應腔中可升降內(nèi)襯位于一較下方的位置，在此位置下，反應腔停止工藝處理，托盤14穿過側壁100上開設的托盤進出口被傳送。可升降內(nèi)襯62圍繞基座上方的反應區(qū)域而設置，并可沿反應腔側壁上下移動，可升降內(nèi)襯包括一底端面62a。圖3中，排氣口137具有位于上方的開口起始線L1與位于下方的開口結束線L2，當可升降內(nèi)襯62移動至其下方位置時，可升降內(nèi)襯的底端面62a越過開口起始線L1，其可以進一步刮擦位于排氣口137附近的大的沉積物顆粒或片狀沉積物，并可以停止于開口起始線L1下方的某一位置。更優(yōu)選地，當可升降內(nèi)襯移動至其下方位置時，其底端面62a越過開口結束線L2，并停止于開口結束線L2下方的一位置，在此位置下，底端面62a不僅可以全面刮擦位于排氣口137附近的大的沉積物顆?；蚱瑺畛练e物，而且還可以下壓、壓實存儲于所述存儲腔138內(nèi)的沉積物。

隔離裝置的頂蓋135具有傾斜的上表面，且形狀與可升降內(nèi)襯62的內(nèi)表面相匹配或相適配，只要當可升降內(nèi)襯62上下移動時，可升降內(nèi)襯62的內(nèi)表面不與頂蓋135的上表面碰撞。

進一步地，存儲腔138內(nèi)還可以設置至少一個防沉積物反流裝置，作為一種實施方式，防沉積物反流裝置包括向下傾斜的板。

進一步地，如圖10所示，圍繞隔離裝置外側壁還可以設置有一旋轉環(huán)566，所述旋轉環(huán)566上設置有多個向上延伸部567，所述延伸部上端設置有刮擦部568，所述旋轉環(huán)566可圍繞所述隔離裝置外側壁旋轉，以帶動所述刮擦部568在不同的開口137之間刮擦。

為了更有效地防止或清除可能堵塞住開口137附近的大的沉積物，本發(fā)明以下多種實施例可以有效實現(xiàn)此目的。

如圖4所示，本發(fā)明提出了一種化學氣相沉積裝置，反應器基本結構與圖1所示的現(xiàn)有技術基本相同，主要改進在于位于基座側壁和反應腔側壁之間的排氣區(qū)域(圖中虛線框A)。本發(fā)明中下方的排氣區(qū)域中包括一個圓桶型隔離板139將排氣區(qū)域分隔成內(nèi)部的排氣腔134和環(huán)繞排氣腔外圍設置的存儲區(qū)域138，用于存儲沉積物。所述排氣腔上方還包括一個環(huán)形頂蓋135，頂蓋135內(nèi)側固定到所述基座側壁16的外側表面，頂蓋135下表面與隔離板139之間存在一個或多個開口137作為排氣口，以使反應氣體沿圖中18所示的排氣路徑進入排氣腔134并被抽氣裝置136抽走，同時反應中形成的小顆粒狀污染物也隨著氣流被抽走。從上方內(nèi)襯62脫落的大片的沉積物在向下掉落的過程中由于重力的作用會垂直掉落到下方的存儲區(qū)域138，而不會橫向穿過開口137進入排氣腔或直接堵塞開口137。只要存儲區(qū)138的空間容積夠大，就能將多個(如大于100個)晶體生長周期中產(chǎn)生的污染物存儲在存儲區(qū)內(nèi)的空間中，無需開反應腔作清潔處理，也無需如前述現(xiàn)有技術所示的，采用機械結構頻繁運動刮擦或者穿過水平開口31(圖1)來保證開口不會被堵塞。

本發(fā)明化學氣相沉積裝置結構中只有頂蓋135上表面和隔離板139外側表面會逐漸積累沉積物，長期運行過程中，這些沉積物大量積累仍會向開口137部分擴展，影響氣流分布，所以仍需要間隔一段時間后清潔一次。但是由于主要的大塊的沉積物都會掉落存儲腔，所以這個清潔頻率可以很低就能保證氣流穩(wěn)定均勻，比如完成一個生長周期，在將基片傳輸出反應腔時進行一次。

圖4中內(nèi)襯62下端包括一個向下延伸的連桿166，連桿一端固定到內(nèi)襯62另一端連接到一個刮擦部件168。連桿166的形狀和結構設計使得刮擦部件緊貼在開口137上端的頂蓋135外側壁。

如圖5a和5b為圖4中A處虛線框內(nèi)排氣區(qū)域結構的局部放大圖，其中圖5a所示為在晶體生長過程中內(nèi)襯62處于較高位置時的狀態(tài)；圖5b所示為完成一次晶體生長過程開啟反應腔側壁上的門，將托盤傳輸出反應腔時，內(nèi)襯被降下一定高度，此時刮擦部件隨內(nèi)襯向下運動，移動到了開口下端的隔離板139的外側壁。在每個晶體生長過程周期中，刮擦部件在開口137上下兩端往復運動一次以保證開口137的暢通。

如圖5a、5b所述的實施例由于在晶體生長過程中連桿166和刮擦結構位于排氣路徑18上，所以會對氣流造成影響，本發(fā)明提出圖6a和6b所示的另一實施例的排氣區(qū)域結構放大圖。其中4a為晶體生長過程中的圖示，其中內(nèi)襯62下端固定有一個連桿266，連桿向下延伸的下端連接到一個杠桿的第一端265，杠桿包括支點267和第二端269連接到刮擦部件268。同樣地，在完成一次晶體生長周期后，內(nèi)襯62被降下，連桿266向下運動驅動杠桿第一端265向下，同時杠桿第二端帶動刮擦部件268向上到達開口137的上端。這樣采用杠桿結構也能實現(xiàn)對開口137的清潔，刮除表面附著的污染物。其中杠桿支點267可以固定到反應腔側壁100或者隔離板139或者反應腔內(nèi)任何其它固定的部件上。杠桿位置不低于開口137的位置時，可以保證杠桿向下運動過程中不會與下方存儲腔138內(nèi)積累的大量沉積物觸碰甚至被頂住，影響刮擦部件268的運動軌跡。

在如圖6a、6b所述的實施例中，由于在晶體生長過程中連桿266和杠桿位于排氣路徑18上，所以也會對氣流造成影響，本發(fā)明提出圖7a和7b所示的另一實施例的排氣區(qū)域結構放大圖。其中圖7a為晶體生長過程中的圖示，其中內(nèi)襯62下端固定有一個連桿366，連桿向下延伸的下端連接到一個杠桿的第一端365，杠桿包括支點367和第二端361連接到一個頂舉桿369，頂舉桿369頂部固定有刮擦部件368，其底部連接到一個下拉部件360，下拉部件360可以是重錘或者彈簧、氣體彈簧等提供向下的拉力的物件。同樣地，在完成一次晶體生長周期后，內(nèi)襯62被降下，連桿366向下運動驅動杠桿第一端365向下，同時杠桿第二端帶動頂舉桿369和固定在頂舉桿369上端的刮擦部件368到達開口137的上端。這樣采用杠桿結構也能實現(xiàn)對開口137的清潔，刮除表面附著的污染物。其中杠桿的高度在第一開口137的下端以下，所以在晶體生長過程中不會對氣流造成影響。

為了防止杠桿和頂舉桿等機械裝置被埋入沉積的污染物中，本發(fā)明還可以進一步的修改為如圖8所示的另一實施例。圖8所示可知，存儲腔中設置水平的分隔板470，將存儲腔分隔為上下兩個子腔138和140，上方的子腔138仍然用于存儲污染物，下方的子腔140用于放置杠桿，只有連桿466垂直地穿過分隔板470上對應位置的小孔，在兩個子腔之間上下運動。其它杠桿部 件中的460、461、467、465與實施例中的對應編號360、361、367、365的部件/部位具有相同的屬性。由于連桿466是垂直運動的，每完成一次晶體生長周期都會往復運動一次，所以能夠保證這兩個桿不會被長期積累的沉積物卡住。橫向設置的杠桿由于被放置在了下方子腔140中，所以不會有大量的沉積物穿過分隔板470上的小孔進入下方子腔形成堆積，也就不會使得杠桿運動受到堆積物高度的影響。這樣的結構能夠使得刮擦部件468可以清潔隔離板139位于排氣腔134內(nèi)側的表面。本發(fā)明的杠桿可以包括多根頂舉桿，同時頂舉多個刮擦部件上下運動，同時清潔開口137位于隔離板139兩側的沉積物。

進一步地，當隔離板139厚度足夠，板中包括容納刮擦部或者頂舉桿上下運動的空間時，頂舉桿369還可以設置于隔離板139內(nèi)，并作上下運動帶動開口137內(nèi)的刮擦部件在開口上下兩端之間運動。

本發(fā)明的刮擦部件除了可以是上下方向運動以通過刮擦將積累在開口137上的沉積物去除外，刮擦部件也可以通過其它方向的動作方式實現(xiàn)本發(fā)明清潔目的。如圖10所示為本發(fā)明另一實施例，圖中所示為隔離板139的側視圖，圖中與前述實施例的主要區(qū)別在于一個旋轉環(huán)566設置在隔離板139的外壁，旋轉環(huán)上包括多個向上延伸部567，延伸部上端為刮擦部568,多個刮擦部568位于不同的開口137之間。當驅動裝置驅動旋轉環(huán)566圍繞隔離板139作圓周方向運動時，多個刮擦部件568會分別掃過一個或多個開口137，最終停止在開口137之間的位置以免影響氣流。前述實施例中的刮擦和驅動裝置設置在氣流通道以下，這樣可以避免影響晶體沉積過程中的氣流分布。

本發(fā)明中的存儲區(qū)域138也可以是設置在靠近基座側壁16，排氣腔134設置在靠近反應腔側壁100位置，形成排氣腔圍繞存儲區(qū)域的結構。此時排氣腔的頂蓋135的形狀需要作相應的修正，其傾斜方向與前述實施例的方向相反，呈從外側向內(nèi)側基座方向傾斜向下的形狀。這樣的結構仍能實現(xiàn)本發(fā)明目的，也是屬于同一發(fā)明構思。

本發(fā)明所述的刮擦部件除了如圖所示的可以是垂直延伸整塊的鋼片以外，也可以包括橫向延展部，在刮擦部件經(jīng)過開口137時橫向性延展部可以伸入開口137中，這樣可以同時清潔開口137內(nèi)部和開口外側表面。如圖9a、9b 所示為本發(fā)明另一實施例，其結構與內(nèi)部元件編號與圖7a、7b所示的實施例基本相同，主要的區(qū)別在于刮擦部件包括刮擦板668與橫向延伸的延伸部669。圖9a所示為刮擦部件位于開口下方與隔離板139接觸時，延展部669位于開口底部；圖9b所示為刮擦部件經(jīng)過開口位置時延展部669向內(nèi)延伸穿入開口內(nèi)部，實現(xiàn)對開口內(nèi)的清潔。延展部669可以是任何形狀的機械結構，不限于圖9a,9b所示的形狀，只要能在經(jīng)過開口時能伸入開口空間即能實現(xiàn)本發(fā)明目的。

本發(fā)明多個實施例中的存儲區(qū)域138內(nèi)進一步可以設置一個防止污染物小顆粒向上反流的防沉積物反流裝置。如圖5a、5b所示，圖中141即是防沉積物反流裝置。該防沉積物反流裝置141可以是一塊或多塊一端固定到隔離板或者反應腔內(nèi)壁，另一端向下傾斜一定角度的板。在化學氣相沉積裝置運行過程中，從上方掉落的大塊沉積物的部分會掉落到防沉積物反流裝置上，并向下滑落到下方的存儲空間中，同時防沉積物反流裝置下方的大部分飛起的顆粒會被防沉積物反流裝置擋住，無法向上擴散，避免造成二次污染。防沉積物反流裝置141可以焊接固定在存儲區(qū)域138內(nèi)，也可以可拆卸地固定于存儲區(qū)域138內(nèi)。

本發(fā)明中，刮擦部件168/268/368除了可以由內(nèi)襯帶動上下運動，也可以是由其它機械驅動裝置如氣缸或電機來驅動，這些驅動機構都能實現(xiàn)本發(fā)明目的。采用其它機械驅動裝置時，可以不用等待晶體生長階段結束后使內(nèi)襯下降，一旦發(fā)現(xiàn)開口137發(fā)生堵塞，就可以直接驅動刮擦部件清除沉積物，具有更好的靈活性。

本發(fā)明隔離排氣空間的隔離板或隔離裝置139除了如圖5-6所示垂直分隔排氣腔和存儲區(qū)域外，也可以是傾斜的，傾斜可以是向內(nèi)傾斜，也可以是向外側傾斜，只要能保證隔離板139上的開口不會落入或者積累大片沉積物造成堵塞，就能實現(xiàn)本發(fā)明目的。

作為一種實施方式，圖11a、11b分別顯示了本發(fā)明的排氣裝置或隔離裝置的前視圖及剖面圖。排氣裝置或隔離裝置大體呈一圓筒形結構，其包括頂蓋735、隔離裝置側壁739、排氣腔734及排氣口737。排氣腔734與排氣泵(未圖示)相連接。排氣口737位于頂蓋735下方，其開口朝向為非豎直方向(例 如，沿水平方向)。

本發(fā)明通過隔離裝置實現(xiàn)對排氣區(qū)域的垂直分隔為排氣腔和存儲區(qū)域，大量沉積物落直接落入存儲區(qū)域，氣體通過隔離裝置的側壁開口橫向流入排氣腔，這樣的設計可以確保開口不會被大片沉積物堵塞，這樣可以在很長的沉積反應時間內(nèi)不會發(fā)生堵塞，而且經(jīng)過優(yōu)化的清潔裝置設計可以在晶體生長過程中不會影響反應氣體分布。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應當以權利要求所限定的范圍為準。