1.一種化學(xué)氣相沉積裝置，包括：
反應(yīng)腔，包括一反應(yīng)腔側(cè)壁；
基座，位于所述反應(yīng)腔內(nèi)，所述基座包括基座側(cè)壁，所述基座側(cè)壁和反應(yīng)腔側(cè)壁之間包括一排氣區(qū)域；
隔離裝置，將所述排氣區(qū)域分隔為圍繞所述基座側(cè)壁呈內(nèi)外排布的一排氣腔和一存儲腔，所述存儲腔與基座上方的反應(yīng)區(qū)域聯(lián)通；
所述隔離裝置包括一隔離裝置側(cè)壁，所述隔離裝置側(cè)壁上開設(shè)有若干個排氣口，通過所述排氣口使排氣腔和存儲腔之間聯(lián)通；
其中，所述排氣口用于允許反應(yīng)腔工藝處理過程中的反應(yīng)氣體和副產(chǎn)物進入所述排氣腔，所述排氣腔用于將反應(yīng)氣體和副產(chǎn)物排出至反應(yīng)腔外；所述存儲腔用于容納收集工藝處理過程中的顆粒狀或片狀沉積物。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述排氣腔位于所述隔離裝置側(cè)壁的內(nèi)側(cè)，并圍繞所述基座側(cè)壁的外側(cè)而設(shè)置；所述存儲腔位于所述隔離裝置側(cè)壁的外側(cè)，并圍繞所述排氣腔的外側(cè)而設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述若干個排氣口的開口朝向為非豎直方向，以避免在工藝處理過程中所述顆粒狀或片狀沉積物沿豎直方向直接落入并堵塞所述排氣口。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述若干個排氣口的開口朝向為水平方向或為與水平方向呈一小于90度角的傾斜方向。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述隔離裝置還包括位于頂部的頂蓋，所述頂蓋位于所述排氣腔上方，用以防止沉積物落入排氣腔。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述若干個排氣口位于所述頂蓋的下方，所述頂蓋在上方為所述若干個排氣口提供遮擋，以防止所述顆粒狀或片狀沉積物沿豎直方向直接落入所述若干個排氣口。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述反應(yīng)腔內(nèi)還包括一可升降內(nèi)襯，其圍繞所述基座上方的反應(yīng)區(qū)域而設(shè)置，并可沿所述反應(yīng)腔側(cè)壁上下 移動，所述可升降內(nèi)襯包括一底端面。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述排氣口具有位于上方的開口起始線與位于下方的開口結(jié)束線，當所述可升降內(nèi)襯移動至其下方位置時，所述可升降內(nèi)襯的底端面越過所述開口起始線，并停止于所述開口起始線下方的一位置。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，當所述可升降內(nèi)襯移動至其下方位置時，所述可升降內(nèi)襯的底端面越過所述開口結(jié)束線，并停止于所述開口結(jié)束線下方的一位置，在此位置下，所述底端面下壓存儲于所述存儲腔內(nèi)的沉積物。
10.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述隔離裝置還包括位于所述排氣腔上方的頂蓋，所述頂蓋具有傾斜的上表面，且形狀與所述可升降內(nèi)襯的內(nèi)表面相匹配，當所述可升降內(nèi)襯上下行動時，所述內(nèi)表面不與所述上表面碰撞。
11.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述存儲腔包括至少一個防沉積物反流裝置，所述防沉積物反流裝置包括向下傾斜的板。
12.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述可升降內(nèi)襯上連接有至少一個刮擦部件，其可以在所述排氣口附近移動。
13.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，圍繞所述隔離裝置外側(cè)壁設(shè)置有一旋轉(zhuǎn)環(huán)，所述旋轉(zhuǎn)環(huán)上設(shè)置有多個向上延伸部，所述延伸部上端設(shè)置有刮擦部，所述旋轉(zhuǎn)環(huán)可圍繞所述隔離裝置外側(cè)壁旋轉(zhuǎn)，以帶動所述刮擦部在不同的開口之間刮擦。
14.一種如權(quán)利要求1至13中任一項所述的化學(xué)氣相沉積裝置的工藝處理方法，包括：
向反應(yīng)腔輸入反應(yīng)氣體，以在所述基座上進行化學(xué)氣相沉積，在所述工藝處理的過程中，從所述反應(yīng)區(qū)域的反應(yīng)氣體和副反應(yīng)產(chǎn)物經(jīng)由所述排氣口沿著非豎直路徑進入至所述排氣腔，再被排出至反應(yīng)腔外，顆粒狀或片狀沉積物沿豎直方向直接落入并被收集于所述存儲腔內(nèi)。
15.一種化學(xué)氣相沉積裝置，包括：
反應(yīng)腔，包括一反應(yīng)腔側(cè)壁；
基座，位于所述反應(yīng)腔內(nèi)，所述基座包括基座側(cè)壁，所述基座側(cè)壁和反應(yīng)腔側(cè)壁之間包括一排氣區(qū)域；
隔離裝置，將所述排氣區(qū)域分隔為圍繞所述基座側(cè)壁呈內(nèi)外排布的一排氣腔和一存儲腔，所述存儲腔與基座上方的反應(yīng)區(qū)域聯(lián)通；
所述隔離裝置包括一隔離裝置側(cè)壁，所述隔離裝置側(cè)壁上開設(shè)有若干個排氣口，通過所述排氣口使排氣腔和存儲腔之間聯(lián)通；
所述排氣區(qū)域還包括至少一個可移動的刮擦部件，其可以在所述排氣口附近移動。
16.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述排氣腔位于靠近隔離裝置側(cè)壁的內(nèi)側(cè)，所述存儲腔圍繞排氣腔位于外側(cè)。
17.如權(quán)利要求17所述的裝置，其特征在于，所述隔離裝置包括位于頂部的頂蓋，所述頂蓋位于所述排氣腔上方，用以防止沉積物落入排氣腔。
18.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述反應(yīng)腔內(nèi)還包括一可升降內(nèi)襯，其圍繞所述基座上方的反應(yīng)區(qū)域而設(shè)置，并可沿所述反應(yīng)腔側(cè)壁上下移動。
19.如權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于，所述頂蓋具有傾斜的上表面，且形狀與位于所述反應(yīng)腔內(nèi)的一可升降內(nèi)襯的內(nèi)表面相匹配。
20.如權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于，所述刮擦部件通過一個連桿連接到所述可升降內(nèi)襯，所述可升降內(nèi)襯在上下移動時驅(qū)動所述刮擦部件在所述排氣口的上端和下端之間移動。
21.如權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于，所述排氣區(qū)域還包括一個杠桿，所述刮擦部件連接到所述杠桿的第一端，所述杠桿的第二端通過一個連桿連接到所述內(nèi)襯。
22.如權(quán)利要求21所述的裝置，其特征在于，所述杠桿的第一端通過一根頂舉桿抬升所述刮擦部件，且所述杠桿支點低于所述排氣口下端。
23.如權(quán)利要求22所述的裝置，其特征在于，所述存儲區(qū)域底部還包括一個分隔板，所述杠桿位于所述分隔板下方。
24.如權(quán)利要求23所述的裝置，其特征在于，所述頂舉桿位于所述基座側(cè)壁內(nèi)側(cè)的排氣腔中上下移動，所述刮擦部件沿隔離裝置的側(cè)壁內(nèi)側(cè)在開口上下端之間移動。
25.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述刮擦部件位于所述存儲腔內(nèi)，沿所述隔離裝置的側(cè)壁外側(cè)在開口上下端之間移動。
26.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述存儲腔包括至少一個防沉積物反流裝置，所述防沉積物反流裝置包括向下傾斜的板。
27.如權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述刮擦部件還包括一延伸部，所述延伸部至少部分地延伸進入所述排氣口內(nèi)。
28.一種清潔如權(quán)利要求15-27所述的化學(xué)氣相沉積裝置的清潔方法，其特征在于，包括：
移動所述刮擦部件，使其在所述排氣口附近移動，以刮擦沉積于所述排氣口的沉積物。
29.如權(quán)利要求28所述的清潔方法，其特征在于，上下移動所述反應(yīng)腔內(nèi)的可升降內(nèi)襯，以帶動所述刮擦部件上下移動。
30.如權(quán)利要求29所述的清潔方法，其特征在于，所述可升降內(nèi)襯與所述所述刮擦部件通過連接桿或杠桿實現(xiàn)二者聯(lián)動。