1.一種化學氣相沉積裝置，包括：
具有內(nèi)部處理空間的反應室；
與所述反應室的所述內(nèi)部處理空間連通的進氣裝置，用于允許處理氣體進入；
具有排氣通道的排氣裝置，所述排氣裝置包括一排氣板，所述排氣板上設置多個排氣口；
設置在所述排氣口內(nèi)、可轉(zhuǎn)動的清潔片。
2.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其中，所述清潔片的轉(zhuǎn)動使得所述清潔片可在至少兩個狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換：(1)、正常排氣狀態(tài)；(2)、清潔狀態(tài)；其中，所述排氣口的內(nèi)壁與所述清潔片之間的間隙在所述正常排氣狀態(tài)比在所述清潔狀態(tài)更大。
3.如權利要求2所述的化學氣相沉積裝置，其中，所述清潔片在所述清潔狀態(tài)能接觸到所述排氣口的內(nèi)壁。
4.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其中，所述清潔片與所述排氣口的形狀相同或不同。
5.如權利要求4所述的化學氣相沉積裝置，其中，所述清潔片與所述排氣口均為圓形。
6.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，還設置有連接桿，所述連接桿被所述清潔片所包裹，所述連接桿的兩端自所述清潔片內(nèi)伸出，并伸入至所述排氣口的內(nèi)壁；所述連接桿限定了所述清潔片轉(zhuǎn)動的軸線。
7.如權利要求6所述的化學氣相沉積裝置，其中，所述連接桿穿過所述清潔片的中心。
8.如權利要求6所述的化學氣相沉積裝置，其中，所述連接桿偏離所述清潔片的中心。
9.如權利要求6所述的化學氣相沉積裝置，其中，所述連接桿固定安裝或可轉(zhuǎn)動地安裝在所述排氣口的內(nèi)壁上。
10.如權利要求6所述的化學氣相沉積裝置，其中，所述連接桿固 定安裝在所述清潔片上，并可隨所述清潔片一起轉(zhuǎn)動。
11.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其中，所述清潔片與一電機相連接，所述清潔片轉(zhuǎn)動的動力來自于所述電機。
12.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，還設置有可上下移動的反應室內(nèi)襯，所述反應室內(nèi)襯具有位于上方的關閉位置和位于下方的打開位置；當反應室內(nèi)襯處于關閉位置時，用于基片出入的基片進出口被反應室內(nèi)襯遮蓋；當反應室內(nèi)襯處于打開位置時，基片進出口被露出。
13.如權利要求12所述的化學氣相沉積裝置，其中，所述反應室內(nèi)襯帶動所述清潔片轉(zhuǎn)動。
14.如權利要求13所述的化學氣相沉積裝置，其中，自關閉位置向打開位置移動時，所述反應室內(nèi)襯接觸并帶動所述清潔片轉(zhuǎn)動至清潔狀態(tài)以清潔排氣口。
15.如權利要求13所述的化學氣相沉積裝置，還設置有可直接與清潔片接觸的接觸部；所述反應室內(nèi)襯自關閉位置向打開位置移動時，驅(qū)動所述接觸部下移，從而帶動清潔片轉(zhuǎn)動。
16.如權利要求15所述的化學氣相沉積裝置，其中，所述接觸部一體成型或者可拆卸地安裝在所述反應室內(nèi)襯。
17.如權利要求15所述的化學氣相沉積裝置，其中，所述接觸部設置在清潔片上方；所述反應室內(nèi)襯自關閉位置向打開位置移動一段距離后方可接觸到所述接觸部。
18.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其中，所述清潔片轉(zhuǎn)動的動力來自于所述內(nèi)部處理空間內(nèi)外的氣壓差。
19.如權利要求18所述的化學氣相沉積裝置，還包括泵，所述泵與排氣通道連通，用于將內(nèi)部處理空間的氣體自排氣通道抽出；所述內(nèi)部處理空間內(nèi)外的所述氣壓差由所述泵產(chǎn)生。
20.化學氣相沉積裝置的排氣口的清潔方法，其中，所述化學氣相沉積裝置如權利要求1至19任一項所述；所述清潔方法，包括：
轉(zhuǎn)動設置在排氣口內(nèi)的清潔片，以清潔所述排氣口內(nèi)的累積物。
21.如權利要求20所述的清潔方法，其中，清潔排氣口的步驟發(fā)生在于基片表面進行沉積操作的過程中。
22.如權利要求20所述的清潔方法，其中，清潔排氣口的步驟發(fā)生在于基片表面進行沉積的工藝完成后或者于基片表面進行沉積的工藝開始前。