本發(fā)明涉及一種超細(xì)硅環(huán)的拋光方法，屬于機(jī)械加工技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

一般在制造半導(dǎo)體集成電路的時候，需要對硅晶片上形成的層間絕緣層(SiO₂)進(jìn)行刻蝕工藝。為了對帶有絕緣層的硅片進(jìn)行刻蝕，要使用等離子刻蝕裝置，如圖1所示。在該等離子刻蝕裝置中，刻蝕氣體1通過設(shè)置于硅電極板2的貫穿細(xì)孔朝向硅片5并同時施加高頻電壓，從而在等離子體刻蝕用硅電極板2和硅片5之間產(chǎn)生了等離子體2，該等離子體2作用于硅片5，從而實(shí)現(xiàn)對硅片5表面絕緣層的刻蝕。在該過程中，硅片5被置于載片臺4上。由于工藝或硅片的不同，載片臺4的結(jié)構(gòu)也各不相同，統(tǒng)稱為硅環(huán)。

在等離子體刻蝕硅片5時，承載硅片5的硅環(huán)4也會受到等離子體的刻蝕作用，若硅環(huán)4的表面存在損傷的話，在刻蝕過程中會產(chǎn)生各種雜質(zhì)，對待刻蝕的硅片5造成沾污，影響最終產(chǎn)品的良率，因此一般需要硅環(huán)的表面為拋光表面。硅環(huán)整體結(jié)構(gòu)一般使用加工中心完成，之后采用腐蝕和化學(xué)機(jī)械拋光方法獲得拋光表面。但通常會存在部分特殊結(jié)構(gòu)的硅環(huán)，該種硅環(huán)極細(xì)，在受力情況下極易破碎，因此使用正常的拋光方法難以對其進(jìn)行加工。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種超細(xì)硅環(huán)的拋光方法，以有效的降低超細(xì)硅環(huán)在拋光加工過程中的碎片幾率，提高超細(xì)硅環(huán)拋光加工的穩(wěn)定性。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種超細(xì)硅環(huán)的拋光方法，該方法包括以下步驟：(1)在拋光頭上制作略大于超細(xì)硅環(huán)尺寸的凹槽，使得在凹槽內(nèi)外徑表面及凹槽底面貼附拋光布后，硅環(huán)恰好卡在凹槽內(nèi)，且硅環(huán)露出拋光頭表面；(2)將拋光頭安裝在拋光機(jī)上，對硅環(huán)進(jìn)行拋光，一面拋光完成后，將硅環(huán)翻面，對硅環(huán)另一面進(jìn)行拋光，從而完成對硅環(huán)的雙面拋光加工。

其中，所述凹槽在底部貼附拋光布后，其深度大于硅環(huán)厚度的1/2，小于硅環(huán)厚度減去拋光去除量所得到的數(shù)值。

在所述步驟(2)中，拋光過程包括拋光液拋光與水拋光過程。。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：

在本發(fā)明中，將硅環(huán)卡在略大于其尺寸的凹槽內(nèi)，大大減小了硅環(huán)在拋光過程中受到的剪切力，從而降低其破碎的幾率，提高拋光加工的穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1為等離子刻蝕裝置示意圖。

圖2為本發(fā)明加工后的拋光頭的結(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步說明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

如圖2所示，在拋光頭6上制作略大于超細(xì)硅環(huán)7尺寸的凹槽8，使得在凹槽內(nèi)外徑表面及凹槽底面貼附拋光布后，硅環(huán)恰好卡在凹槽內(nèi)，且硅環(huán)露出拋光頭表面。在對硅環(huán)進(jìn)行拋光時，將拋光頭安裝在搖臂拋光機(jī)或其他拋光機(jī)上，對硅環(huán)進(jìn)行拋光，一面拋光完成后，將硅環(huán)翻面，對硅環(huán)另一面進(jìn)行拋光，從而完成對硅環(huán)的雙面拋光加工。

實(shí)施例1

本實(shí)施例中加工的超細(xì)硅環(huán)內(nèi)徑為296mm，外徑為308mm，厚度為3.6mm。該硅環(huán)的寬度僅為6mm，在正常的拋光過程中碎片幾率極高。

通過本發(fā)明的方法，在拋光頭上制作略大于硅環(huán)尺寸的凹槽，外徑為309.3mm，內(nèi)徑為294.7mm，深度為3mm。在凹槽內(nèi)貼附的拋光布為SUBA800，其厚度約為1.3mm。使用該方法對超細(xì)硅環(huán)進(jìn)行加工，連續(xù)加工10片無碎片發(fā)生，且拋光后硅環(huán)表面完好。

可見本發(fā)明可有效降低超細(xì)硅環(huán)在拋光過程中的碎片概率，提高拋光過程的穩(wěn)定性。