技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種超細硅環(huán)的拋光方法，該方法包括以下步驟：(1)在拋光頭上制作略大于超細硅環(huán)尺寸的凹槽，使得在凹槽內(nèi)外徑表面及凹槽底面貼附拋光布后，硅環(huán)恰好卡在凹槽內(nèi)，且硅環(huán)露出拋光頭表面；(2)將拋光頭安裝在拋光機上，對硅環(huán)進行拋光，一面拋光完成后，將硅環(huán)翻面，對硅環(huán)另一面進行拋光，從而完成對硅環(huán)的雙面拋光加工。該方法將可以有效的降低超細硅環(huán)在拋光加工過程中的碎片幾率，提高超細硅環(huán)拋光加工的穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：王永濤;葛鐘;庫黎明;朱秦發(fā);閆志瑞;李磊
受保護的技術(shù)使用者：有研半導體材料有限公司
文檔號碼：201510761529
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.10
技術(shù)公布日：2017.05.17