本發(fā)明涉及真空蒸鍍領(lǐng)域，尤其涉及一種真空蒸鍍方法。
背景技術(shù)：
：真空蒸鍍是將蒸發(fā)源在真空中加熱，使蒸鍍材料氣化，并在待鍍基底表面沉積成膜的過(guò)程。為了形成均勻的薄膜，需要在待鍍基底周圍形成均勻的氣態(tài)蒸鍍材料。在現(xiàn)有技術(shù)中（如中國(guó)專利申請(qǐng)CN1970826A）通常需要設(shè)置復(fù)雜的導(dǎo)流裝置將氣態(tài)蒸鍍材料均勻傳送至待鍍基底表面。尤其當(dāng)蒸發(fā)源為兩種以上時(shí)，對(duì)每種蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率更加難以控制，難以形成預(yù)定比例的混合蒸鍍材料氣體。鍍膜尺寸越大，成膜的均勻性越難保證，并且，由于難以控制氣態(tài)蒸鍍材料原子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向，大部分蒸鍍材料都不能附著在待鍍基底表面，從而造成蒸鍍率低且蒸鍍速度慢等問(wèn)題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，確有必要提供一種能夠解決上述問(wèn)題的真空蒸鍍方法。一種真空蒸鍍方法，包括以下步驟：提供蒸發(fā)源及待鍍基底，該蒸發(fā)源包括蒸發(fā)材料及碳納米管膜結(jié)構(gòu)，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)為一載體，該蒸發(fā)材料設(shè)置在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面，通過(guò)該碳納米管膜結(jié)構(gòu)承載；將該蒸發(fā)源與待鍍基底相對(duì)且間隔設(shè)置在真空室中并抽真空；以及通過(guò)一電磁波信號(hào)輸入裝置向該碳納米管膜結(jié)構(gòu)中輸入電磁波信號(hào)，使該蒸發(fā)材料氣化，在該待鍍基底的待鍍表面形成蒸鍍層。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明將自支撐的碳納米管膜作為蒸鍍材料的載體，利用該碳納米管膜極大的比表面積及自身的均勻性，使承載在該碳納米管膜上的蒸鍍材料在蒸發(fā)前即實(shí)現(xiàn)較為均勻的大面積分布。在蒸發(fā)的過(guò)程中利用該自支撐碳納米管膜瞬時(shí)加熱的特性，在極短的時(shí)間將蒸鍍材料完全氣化，從而形成均勻且大面積分布的氣態(tài)蒸鍍材料。該待鍍基底與該碳納米管膜間隔距離短，使承載在該碳納米管膜上的蒸鍍材料基本上均能得到利用，有效節(jié)約了蒸鍍材料，提高了蒸鍍速度。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的真空蒸鍍裝置的側(cè)視示意圖。圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的蒸發(fā)源的俯視示意圖。圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的蒸發(fā)源的側(cè)視示意圖。圖4為本發(fā)明實(shí)施例從碳納米管陣列中拉取獲得的碳納米管膜的掃描電鏡照片。圖5為本發(fā)明一實(shí)施例碳納米管膜結(jié)構(gòu)的掃描電鏡照片。圖6及圖7為不同分辨率下本發(fā)明一實(shí)施例的蒸發(fā)源的掃描電鏡照片。圖8為本發(fā)明一實(shí)施例進(jìn)行真空蒸鍍后的蒸發(fā)源的掃描電鏡照片。圖9為本發(fā)明一實(shí)施例真空蒸鍍形成的薄膜的掃描電鏡照片。圖10為本發(fā)明一實(shí)施例真空蒸鍍形成的薄膜的XRD圖譜。圖11為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的真空蒸鍍裝置的側(cè)視示意圖。圖12為本發(fā)明又一實(shí)施例提供的真空蒸鍍裝置的側(cè)視示意圖。圖13為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的真空蒸鍍方法的流程圖。圖14為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的真空蒸鍍裝置的側(cè)視示意圖。圖15為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的真空蒸鍍裝置的側(cè)視示意圖。圖16為本發(fā)明又一實(shí)施例提供的真空蒸鍍裝置的側(cè)視示意圖。圖17為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的真空蒸鍍方法的流程圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明真空蒸鍍裝置10蒸發(fā)源100碳納米管膜結(jié)構(gòu)110碳納米管112支撐結(jié)構(gòu)120蒸發(fā)材料130待鍍基底200真空室300電磁波信號(hào)輸入裝置400柵網(wǎng)500如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。具體實(shí)施方式以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的真空蒸鍍裝置以及真空蒸鍍方法作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明第一實(shí)施例提供一真空蒸鍍裝置10，包括蒸發(fā)源100、待鍍基底200、真空室300及電磁波信號(hào)輸入裝置400，該蒸發(fā)源100及待鍍基底200設(shè)置在該真空室300中。該待鍍基底200與該蒸發(fā)源100相對(duì)且間隔設(shè)置，間距優(yōu)選為1微米~10毫米。該電磁波信號(hào)輸入裝置400向該蒸發(fā)源100輸入一電磁波信號(hào)。在本實(shí)施例中，該電磁波信號(hào)輸入裝置400也設(shè)置在該真空室300中。請(qǐng)參閱圖2及圖3，該蒸發(fā)源100包括碳納米管膜結(jié)構(gòu)110及蒸發(fā)材料130。該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110為一載體，該蒸發(fā)材料130設(shè)置在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面，通過(guò)該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110承載。優(yōu)選地，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110懸空設(shè)置，該蒸發(fā)材料130設(shè)置在懸空的碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面。具體地，該蒸發(fā)源100可包括兩個(gè)支撐結(jié)構(gòu)120，分別設(shè)置在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110相對(duì)的兩端，位于該兩個(gè)支撐結(jié)構(gòu)120之間的碳納米管膜結(jié)構(gòu)110懸空設(shè)置。該設(shè)置有蒸發(fā)材料130的碳納米管膜結(jié)構(gòu)110與該待鍍基底200的待鍍表面相對(duì)且間隔設(shè)置，間距優(yōu)選為1微米~10毫米。該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110為一電阻性元件，具有較小的單位面積熱容，且具有較大比表面積及較小厚度。優(yōu)選地，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110的單位面積熱容小于2×10-4焦耳每平方厘米開(kāi)爾文，更優(yōu)選為小于1.7×10-6焦耳每平方厘米開(kāi)爾文，比表面積大于200平方米每克，厚度小于100微米。該電磁波信號(hào)輸入裝置400向該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110輸入電磁波信號(hào)，由于具有較小的單位面積熱容，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110可以將輸入的電磁波信號(hào)快速轉(zhuǎn)換為熱能，使自身溫度快速升高，由于具有較大的比表面積及較小的厚度，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110可以與蒸發(fā)材料130進(jìn)行快速的熱交換，使蒸發(fā)材料130迅速被加熱至蒸發(fā)或升華溫度。該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110包括單層碳納米管膜，或多層疊加的碳納米管膜。每層碳納米管膜包括多個(gè)大致相互平行的碳納米管。該碳納米管的延伸方向大致平行于該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110的表面，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110具有較為均勻的厚度。具體地，該碳納米管膜包括首尾相連的碳納米管，是由多個(gè)碳納米管通過(guò)范德華力相互結(jié)合并首尾相連形成的宏觀膜狀結(jié)構(gòu)。該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110及碳納米管膜具有一宏觀面積和一微觀面積，該宏觀面積指該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110或碳納米管膜在宏觀上看作一膜狀結(jié)構(gòu)時(shí)所具有的膜面積，該微觀面積指該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110或碳納米管膜在微觀上看作由大量碳納米管首尾相連搭接形成的多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中所有能夠用于擔(dān)載蒸發(fā)材料130的碳納米管的表面積。該碳納米管膜優(yōu)選是從碳納米管陣列中拉取獲得。該碳納米管陣列為通過(guò)化學(xué)氣相沉積的方法生長(zhǎng)在該生長(zhǎng)基底的表面。該碳納米管陣列中的碳納米管基本彼此平行且垂直于生長(zhǎng)基底表面，相鄰的碳納米管之間相互接觸并通過(guò)范德華力相結(jié)合。通過(guò)控制生長(zhǎng)條件，該碳納米管陣列中基本不含有雜質(zhì)，如無(wú)定型碳或殘留的催化劑金屬顆粒等。由于基本不含雜質(zhì)且碳納米管相互間緊密接觸，相鄰的碳納米管之間具有較大的范德華力，足以使在拉取一些碳納米管（碳納米管片段）時(shí)，能夠使相鄰的碳納米管通過(guò)范德華力的作用被首尾相連，連續(xù)不斷的拉出，由此形成連續(xù)且自支撐的宏觀碳納米管膜。這種能夠使碳納米管首尾相連的從其中拉出的碳納米管陣列也稱為超順排碳納米管陣列。該生長(zhǎng)基底的材料可以為P型硅、N型硅或氧化硅等適合生長(zhǎng)超順排碳納米管陣列的基底。所述能夠從中拉取碳納米管膜的碳納米管陣列的制備方法可參閱馮辰等人在2008年8月13日公開(kāi)的中國(guó)專利申請(qǐng)CN101239712A。從碳納米管陣列中連續(xù)地拉出的該碳納米管膜可以實(shí)現(xiàn)自支撐，該碳納米管膜包括多個(gè)基本沿相同方向排列并首尾相連的碳納米管。請(qǐng)參閱圖4，在該碳納米管膜中碳納米管為沿同一方向擇優(yōu)取向排列。所述擇優(yōu)取向是指在碳納米管膜中大多數(shù)碳納米管的整體延伸方向基本朝同一方向。而且，所述大多數(shù)碳納米管的整體延伸方向基本平行于該碳納米管膜的表面。進(jìn)一步地，所述碳納米管膜中多數(shù)碳納米管是通過(guò)范德華力首尾相連。具體地，所述碳納米管膜中基本朝同一方向延伸的大多數(shù)碳納米管中每一碳納米管與在延伸方向上相鄰的碳納米管通過(guò)范德華力首尾相連，從而使該碳納米管膜能夠?qū)崿F(xiàn)自支撐。當(dāng)然，所述碳納米管膜中存在少數(shù)隨機(jī)排列的碳納米管，這些碳納米管不會(huì)對(duì)碳納米管膜中大多數(shù)碳納米管的整體取向排列構(gòu)成明顯影響。在本說(shuō)明書(shū)中凡提及碳納米管的延伸方向，均是指碳納米管膜中大多數(shù)碳納米管的整體延伸方向，即碳納米管膜中碳納米管的擇優(yōu)取向的方向。進(jìn)一步地，所述碳納米管膜可包括多個(gè)連續(xù)且定向排列的碳納米管片段，該多個(gè)碳納米管片段通過(guò)范德華力首尾相連，每一碳納米管片段包括多個(gè)相互平行的碳納米管，該多個(gè)相互平行的碳納米管通過(guò)范德華力緊密結(jié)合?？梢岳斫?，所述碳納米管膜中基本朝同一方向延伸的多數(shù)碳納米管并非絕對(duì)的直線狀，可以適當(dāng)?shù)膹澢?；或者并非完全按照延伸方向上排列，可以適當(dāng)?shù)钠x延伸方向。因此，不能排除碳納米管膜的基本朝同一方向延伸的多數(shù)碳納米管中并列的碳納米管之間可能存在部分接觸而部分分離的情況。實(shí)際上，該碳納米管膜具有較多間隙，即相鄰的碳納米管之間具有間隙，使該碳納米管膜可以具有較好的透明度及較大的比表面積。然而，相鄰碳納米管之間接觸的部分以及首尾相連的碳納米管之間連接的部分的范德華力已經(jīng)足夠維持該碳納米管膜整體的自支持性。所述自支撐是該碳納米管膜不需要大面積的載體支撐，而只要一邊或相對(duì)兩邊提供支撐力即能整體上懸空而保持自身膜狀或線狀狀態(tài)，即將該碳納米管膜置于（或固定于）間隔一定距離設(shè)置的兩個(gè)支撐體上時(shí)，位于兩個(gè)支撐體之間的碳納米管膜能夠懸空保持自身膜狀狀態(tài)。所述自支撐主要通過(guò)碳納米管膜中存在連續(xù)的通過(guò)范德華力首尾相連延伸排列的碳納米管而實(shí)現(xiàn)。該碳納米管膜具有較小且均勻的厚度，約為0.5納米至10微米。由于該從碳納米管陣列中拉取獲得的碳納米管膜僅靠碳納米管間的范德華力即可實(shí)現(xiàn)自支撐并形成膜狀結(jié)構(gòu)，因此該碳納米管膜具有較大的比表面積，優(yōu)選地，該碳納米管膜的比表面積為200平方米每克~2600平方米每克（采用BET法測(cè)得）。該直接拉取獲得的碳納米管膜的單位面積質(zhì)量約為0.01克每平方米~0.1克每平方米，優(yōu)選為0.05克每平方米（此處的面積指碳納米管膜的宏觀面積）。由于該碳納米管膜具有較小的厚度，且碳納米管自身的熱容小，因此該碳納米管膜具有較小的單位面積熱容（如小于2×10-4焦耳每平方厘米開(kāi)爾文）。該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110可包括多層碳納米管膜相互疊加，層數(shù)優(yōu)選為小于或等于50層，更優(yōu)選為小于或等于10層。在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110中，不同的碳納米管膜中的碳納米管的延伸方向可以相互平行或交叉設(shè)置。請(qǐng)參閱圖5，在一實(shí)施例中，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110包括至少兩層相互層疊的碳納米管膜，該至少兩層碳納米管膜中的碳納米管分別沿兩個(gè)相互垂直方向沿伸，從而形成垂直交叉。該蒸發(fā)材料130附著在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面。在宏觀上該蒸發(fā)材料130可以看作一層狀結(jié)構(gòu)形成在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110的至少一個(gè)表面，優(yōu)選為設(shè)置在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110的兩個(gè)表面。該蒸發(fā)材料130與該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110形成的復(fù)合膜的宏觀厚度優(yōu)選為小于或等于100微米，更優(yōu)選為小于或等于5微米。由于承載在單位面積碳納米管膜結(jié)構(gòu)110上的蒸發(fā)材料130的量可以非常少，在微觀上該蒸發(fā)材料130可以為納米級(jí)尺寸的顆粒狀或納米級(jí)厚度的層狀，附著在單根或少數(shù)幾根碳納米管表面。例如該蒸發(fā)材料130為顆粒狀，粒徑尺寸約為1納米~500納米，附著在首尾相連的碳納米管中的單根碳納米管112表面?；蛘咴撜舭l(fā)材料130為層狀，厚度尺寸約為1納米~500納米，附著在首尾相連的碳納米管中的單根碳納米管112表面。該層狀的蒸發(fā)材料130可以完全包覆該單根碳納米管112。該蒸發(fā)材料130在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110不但與蒸發(fā)材料130的量有關(guān)，也與蒸發(fā)材料130的種類，以及與碳納米管的浸潤(rùn)性能等多種因素相關(guān)。例如，當(dāng)該蒸發(fā)材料130在該碳納米管表面不浸潤(rùn)時(shí)，易于形成顆粒狀，當(dāng)該蒸發(fā)材料130在該碳納米管表面浸潤(rùn)時(shí)，則易于形成層狀。另外，當(dāng)該蒸發(fā)材料130是粘度較大的有機(jī)物時(shí)，也可能在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面形成一完整連續(xù)的薄膜。無(wú)論該蒸發(fā)材料130在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面的形貌如何，單位面積的碳納米管膜結(jié)構(gòu)110擔(dān)載的蒸發(fā)材料130的量應(yīng)較少，使通過(guò)電磁波信號(hào)能夠在瞬間（優(yōu)選為1秒以內(nèi)，更優(yōu)選為10微秒以內(nèi)）將照射到的該蒸發(fā)材料130完全氣化。該蒸發(fā)材料130均勻的設(shè)置在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面，使該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110不同位置的蒸發(fā)材料130擔(dān)載量基本相等。該蒸發(fā)材料130為相同條件下氣化溫度低于碳納米管的氣化溫度，且在真空蒸鍍過(guò)程中不與碳反應(yīng)的物質(zhì)，優(yōu)選是氣化溫度小于或等于300℃的有機(jī)物。該蒸發(fā)材料130可以是單一種類的材料，也可以是多種材料的混合。該蒸發(fā)材料130可以通過(guò)各種方法，如溶液法、沉積法、蒸鍍、電鍍或化學(xué)鍍等方法均勻的設(shè)置在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面。在優(yōu)選的實(shí)施例中，該蒸發(fā)材料130預(yù)先溶于或均勻分散于一溶劑中，形成一溶液或分散液，通過(guò)將該溶液或分散液均勻的附著于該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110，再將溶劑蒸干，可以在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面均勻的形成該蒸發(fā)材料130。當(dāng)該蒸發(fā)材料130包括多種材料時(shí)，可以使該多種材料在液相溶劑中按預(yù)定比例預(yù)先混合均勻，從而使擔(dān)載在碳納米管膜結(jié)構(gòu)110不同位置上的該多種材料均具有該預(yù)定比例。請(qǐng)參閱圖6及圖7，在一實(shí)施例中，在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面形成的蒸發(fā)材料130為甲基碘化銨及碘化鉛均勻混合的混合物。該電磁波信號(hào)輸入裝置400發(fā)出一電磁波信號(hào)，該電磁波信號(hào)傳遞至該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面。本實(shí)施例中，該電磁波信號(hào)輸入裝置400設(shè)置在該真空室300中并與該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110相對(duì)且間隔設(shè)置，即該電磁波信號(hào)是在該真空室300中產(chǎn)生。該電磁波信號(hào)的頻率范圍包括無(wú)線電波、紅外線、可見(jiàn)光、紫外線、微波、X射線及γ射線等，優(yōu)選為光信號(hào)，該光信號(hào)的波長(zhǎng)可選擇為從紫外至遠(yuǎn)紅外波長(zhǎng)的光波。該電磁波信號(hào)的平均功率密度在100mW/mm2~20W/mm2范圍內(nèi)。優(yōu)選地，該電磁波信號(hào)輸入裝置400為一脈沖激光發(fā)生器。該電磁波信號(hào)輸入裝置400發(fā)出的電磁波信號(hào)在碳納米管膜結(jié)構(gòu)110上的入射角度與位置不限，優(yōu)選地，該電磁波信號(hào)均勻的同時(shí)照射至該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110各局部位置。該電磁波信號(hào)輸入裝置400與該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110之間的距離不限，只要從該電磁波信號(hào)輸入裝置400發(fā)出的電磁波能夠傳遞至該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面即可。當(dāng)電磁波信號(hào)輸入裝置400將電磁波信號(hào)照射至該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110時(shí)，由于該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110具有較小的單位面積熱容，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110溫度快速響應(yīng)而升高，使蒸發(fā)材料130迅速被加熱至蒸發(fā)或升華溫度。由于單位面積碳納米管膜結(jié)構(gòu)110擔(dān)載的蒸發(fā)材料130較少，所有蒸發(fā)材料130可以在一瞬間全部氣化為蒸汽。該待鍍基底200與該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110相對(duì)且等間隔設(shè)置，優(yōu)選間隔距離為1微米~10毫米，由于該間隔距離較近，從該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110蒸發(fā)出的蒸發(fā)材料130氣體迅速附著在該待鍍基底200表面，形成蒸鍍層。該待鍍基底200的待鍍表面的面積優(yōu)選為小于或等于該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110的宏觀面積，即該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110可以完全覆蓋該待鍍基底200的待鍍表面。因此，在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110局部位置所擔(dān)載的蒸發(fā)材料130在蒸發(fā)后將在該待鍍基底200與該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110局部位置對(duì)應(yīng)的表面形成蒸鍍層。由于蒸發(fā)材料130在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110擔(dān)載時(shí)即已實(shí)現(xiàn)均勻擔(dān)載，形成的蒸鍍層也為均勻?qū)訝罱Y(jié)構(gòu)。請(qǐng)參閱圖8及圖9，在一實(shí)施例中，對(duì)該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110進(jìn)行激光輻照，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110溫度迅速升高，使表面的甲基碘化銨及碘化鉛的混合物瞬間氣化，在該待鍍基底200表面形成一鈣鈦礦結(jié)構(gòu)CH3NH3PbI3薄膜。該蒸發(fā)源100激光照射后的結(jié)構(gòu)如圖8所示，可以看到該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面的蒸發(fā)材料130蒸發(fā)后該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110仍維持原有的首尾相連的碳納米管形成的網(wǎng)絡(luò)狀結(jié)構(gòu)。該甲基碘化銨和碘化鉛在氣化后發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在待鍍基底200表面生成厚度均勻的薄膜形貌如圖9所示。請(qǐng)參閱圖10，對(duì)蒸鍍生成的薄膜進(jìn)行XRD測(cè)試，可以從XRD圖譜中判斷得到的薄膜材料為鈣鈦礦結(jié)構(gòu)CH3NH3PbI3。請(qǐng)參閱圖11，在另一實(shí)施例中，該電磁波信號(hào)輸入裝置400設(shè)置在該真空室300外，與該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110相對(duì)設(shè)置，該電磁波信號(hào)可以穿過(guò)該真空室300的墻壁，到達(dá)該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110。請(qǐng)參閱圖12，在另一實(shí)施例中，該真空蒸鍍裝置10可進(jìn)一步包括一電磁波傳導(dǎo)裝置420，如光纖。該電磁波信號(hào)輸入裝置400設(shè)置在該真空室300外，且與該真空室300相聚較遠(yuǎn)。該電磁波傳導(dǎo)裝置420一端與該電磁波信號(hào)輸入裝置400相連，一端設(shè)置在該真空室300內(nèi)，與該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110相對(duì)且間隔設(shè)置。從該電磁波信號(hào)輸入裝置400發(fā)出的電磁波信號(hào)，如激光信號(hào)，通過(guò)該電磁波傳導(dǎo)裝置420傳輸至該真空室300內(nèi)，并照射至該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110。請(qǐng)參閱圖13，本發(fā)明第一實(shí)施例進(jìn)一步提供一種真空蒸鍍方法，包括以下步驟：S1，提供所述蒸發(fā)源100及待鍍基底200，該蒸發(fā)源100包括碳納米管膜結(jié)構(gòu)110及蒸發(fā)材料130，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110為一載體，該蒸發(fā)材料130設(shè)置在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面，通過(guò)該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110承載；S2，將該蒸發(fā)源100與待鍍基底200相對(duì)且間隔設(shè)置在真空室300中并抽真空；以及S3，通過(guò)一電磁波信號(hào)輸入裝置400向該蒸發(fā)源100中輸入電磁波信號(hào)，使蒸發(fā)源100中的蒸發(fā)材料130氣化，在該待鍍基底200的待鍍表面形成蒸鍍層。在該步驟S1中，該蒸發(fā)源100的制備方法包括以下步驟：S11，提供一碳納米管膜結(jié)構(gòu)110；以及S12，在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面擔(dān)載該蒸發(fā)材料130。在該步驟S11中，優(yōu)選地，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110優(yōu)選為通過(guò)支撐結(jié)構(gòu)120懸空設(shè)置。在該步驟S12中，具體可通過(guò)溶液法、沉積法、蒸鍍、電鍍或化學(xué)鍍等方法進(jìn)行在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面擔(dān)載該蒸發(fā)材料130。該沉積法可以為化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積。在優(yōu)選的實(shí)施例中通過(guò)溶液法在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面擔(dān)載該蒸發(fā)材料130，具體包括以下步驟：S121，將該蒸發(fā)材料130溶于或均勻分散于一溶劑中，形成一溶液或分散液；S122，將該溶液或分散液均勻附著于該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面；以及S123，將附著在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面的溶液或分散液中的溶劑蒸干，從而將該蒸發(fā)材料130均勻的附著在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面。該附著的方法可以為噴涂法、旋轉(zhuǎn)涂覆法或浸漬法。當(dāng)該蒸發(fā)材料130包括多種材料時(shí)，可以使該多種材料在液相溶劑中按預(yù)定比例預(yù)先混合均勻，從而使擔(dān)載在碳納米管膜結(jié)構(gòu)110不同位置上的該多種材料均具有該預(yù)定比例。在該步驟S2中，該蒸發(fā)源100與待鍍基底200相對(duì)設(shè)置，優(yōu)選使待鍍基底200的待鍍表面各處均與該蒸發(fā)源100的碳納米管膜結(jié)構(gòu)110保持基本相等的間隔，即該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110基本平行于該待鍍基底200的待鍍表面，且該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110的宏觀面積大于或等于該待鍍基底200的待鍍表面的面積，從而使蒸鍍時(shí)，蒸發(fā)材料130的氣體可以在基本相同的時(shí)間內(nèi)到達(dá)該待鍍表面。該電磁波信號(hào)輸入裝置400可以設(shè)置在該真空室300中或設(shè)置在該真空室300之外，只要能夠使電磁波信號(hào)傳遞至該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110即可。在該步驟S3中，由于碳納米管對(duì)電磁波的吸收接近絕對(duì)黑體，從而使發(fā)聲裝置對(duì)于各種波長(zhǎng)的電磁波具有均一的吸收特性。該電磁波信號(hào)的平均功率密度在100mW/mm2~20W/mm2范圍內(nèi)。該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110由于具有較小的單位面積熱容，從而迅速根據(jù)該電磁波信號(hào)產(chǎn)生熱響應(yīng)而升溫，由于該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110具有較大的比表面積，可以迅速的與周圍介質(zhì)進(jìn)行熱交換，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110產(chǎn)生的熱信號(hào)可以迅速加熱該蒸發(fā)材料130。由于該蒸發(fā)材料130在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110的單位宏觀面積的擔(dān)載量較小，該熱信號(hào)可以在一瞬間使該蒸發(fā)材料130完全氣化。因此，達(dá)到該待鍍基底200的待鍍表面任意局部位置的蒸發(fā)材料130就是與該待鍍表面局部位置對(duì)應(yīng)設(shè)置的碳納米管膜結(jié)構(gòu)110的局部位置的全部蒸發(fā)材料130。由于該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110各處擔(dān)載的蒸發(fā)材料130的量相同，即均勻擔(dān)載，在該待鍍基底200的待鍍表面形成的蒸鍍層各處具有均勻的厚度，也就是形成的蒸鍍層的厚度和均勻性由該蒸發(fā)材料130在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110擔(dān)載的量和均勻性決定。當(dāng)該蒸發(fā)材料130包括多種材料時(shí)，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110各處擔(dān)載的各種材料的比例相同，則在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110與該待鍍基底200的待鍍表面之間各局部位置的蒸發(fā)材料130氣體中各種材料的比例相同，使各局部位置能夠發(fā)生均勻的反應(yīng)，從而在該待鍍基底200的待鍍表面形成均勻的蒸鍍層。請(qǐng)參閱圖14，本發(fā)明第二提供一真空蒸鍍裝置10，包括蒸發(fā)源100、待鍍基底200、真空室300、電磁波信號(hào)輸入裝置400及柵網(wǎng)500，該蒸發(fā)源100、待鍍基底200及柵網(wǎng)500設(shè)置在該真空室300中。該待鍍基底200與該蒸發(fā)源100相對(duì)且間隔設(shè)置，間距優(yōu)選為1微米~10毫米。該電磁波信號(hào)輸入裝置400向該蒸發(fā)源100輸入一電磁波信號(hào)。該柵網(wǎng)500設(shè)置在該待鍍基底200與該蒸發(fā)源100之間。在本實(shí)施例中，該電磁波信號(hào)輸入裝置400也設(shè)置在該真空室300中。該第二實(shí)施例與第一實(shí)施例基本相同，區(qū)別僅在于進(jìn)一步具有該柵網(wǎng)500。該柵網(wǎng)500具有至少一個(gè)通孔，該蒸發(fā)材料130氣化后通過(guò)該通孔傳遞至該待鍍基底200的待鍍表面。該柵網(wǎng)500可以具有較小的厚度，優(yōu)選為1微米~5毫米。該通孔具有預(yù)定的形狀及尺寸，該氣化的蒸發(fā)材料130通過(guò)通孔后即刻附著在該待鍍基底200的待鍍表面，從而形成形狀與尺寸與該通孔對(duì)應(yīng)的蒸鍍層，從而在蒸鍍的同時(shí)實(shí)現(xiàn)蒸鍍層的圖案化。該通孔的數(shù)量、形狀及尺寸不限，可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)計(jì)。該柵網(wǎng)500的通孔的位置與需要形成預(yù)定的圖案化蒸鍍層的待鍍基底200的待鍍表面對(duì)應(yīng)，從而該待鍍表面的在預(yù)定位置形成具有預(yù)定數(shù)量、形狀及尺寸的蒸鍍層。該柵網(wǎng)500可以與分別與該待鍍基底200的待鍍表面及該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110接觸設(shè)置，即待鍍基底200、柵網(wǎng)500及碳納米管膜結(jié)構(gòu)110相互疊加貼合設(shè)置。在優(yōu)選的實(shí)施例中，該柵網(wǎng)500分別與該待鍍基底200的待鍍表面及該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110相互間隔設(shè)置。請(qǐng)參閱圖15，在另一實(shí)施例中，該電磁波信號(hào)輸入裝置400設(shè)置在該真空室300外，與該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110相對(duì)設(shè)置，該電磁波信號(hào)可以穿過(guò)該真空室300的墻壁，到達(dá)該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110。請(qǐng)參閱圖16，在另一實(shí)施例中，該真空蒸鍍裝置10可進(jìn)一步包括一電磁波傳導(dǎo)裝置420，如光纖。該電磁波信號(hào)輸入裝置400設(shè)置在該真空室300外，且與該真空室300相聚較遠(yuǎn)。該電磁波傳導(dǎo)裝置420一端與該電磁波信號(hào)輸入裝置400相連，一端設(shè)置在該真空室300內(nèi)，與該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110相對(duì)且間隔設(shè)置。從該電磁波信號(hào)輸入裝置400發(fā)出的電磁波信號(hào)，如激光信號(hào)，通過(guò)該電磁波傳導(dǎo)裝置420傳輸至該真空室300內(nèi)，并照射至該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110。請(qǐng)參閱圖17，本發(fā)明第二實(shí)施例進(jìn)一步提供一種真空蒸鍍方法，包括以下步驟：S1’，提供所述蒸發(fā)源100、待鍍基底200及柵網(wǎng)500，該蒸發(fā)源100包括碳納米管膜結(jié)構(gòu)110及蒸發(fā)材料130，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110為一載體，該蒸發(fā)材料130設(shè)置在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110表面，通過(guò)該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110承載；S2’，將該蒸發(fā)源100、柵網(wǎng)500與待鍍基底200設(shè)置在真空室300中，將該蒸發(fā)源100與待鍍基底200相對(duì)且間隔，將該柵網(wǎng)500設(shè)置在該蒸發(fā)源100與待鍍基底200之間，并將該真空室300抽真空；以及S3’，通過(guò)一電磁波信號(hào)輸入裝置400向該蒸發(fā)源100中輸入電磁波信號(hào)，使蒸發(fā)源100中的蒸發(fā)材料130氣化，在該待鍍基底200的待鍍表面形成圖案化的蒸鍍層。在該步驟S1’中，該蒸發(fā)源100的制備方法與第一實(shí)施例的步驟S1相同。在該步驟S2’中，該蒸發(fā)源100與待鍍基底200相對(duì)設(shè)置，優(yōu)選使待鍍基底200的待鍍表面各處均與該蒸發(fā)源100的碳納米管膜結(jié)構(gòu)110保持基本相等的間隔，即該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110基本平行于該待鍍基底200的待鍍表面，且該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110的宏觀面積大于或等于該待鍍基底200的待鍍表面的面積，從而使蒸鍍時(shí)，蒸發(fā)材料130的氣體可以在基本相同的時(shí)間內(nèi)到達(dá)該待鍍表面。該柵網(wǎng)500設(shè)置在該蒸發(fā)源100與待鍍基底200之間，使柵網(wǎng)500的通孔與需要形成圖案化蒸鍍層的待鍍基底200的待鍍表面的預(yù)定位置相對(duì)設(shè)置。該柵網(wǎng)500可以與分別與該待鍍基底200的待鍍表面及該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110接觸設(shè)置，即待鍍基底200、柵網(wǎng)500及碳納米管膜結(jié)構(gòu)110相互疊加貼合設(shè)置。在優(yōu)選的實(shí)施例中，該柵網(wǎng)500分別與該待鍍基底200的待鍍表面及該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110相互間隔設(shè)置。該柵網(wǎng)400可分別與該待鍍基底200的待鍍表面及該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110相互平行。該電磁波信號(hào)輸入裝置400可以設(shè)置在該真空室300中或設(shè)置在該真空室300之外，只要能夠使電磁波信號(hào)傳遞至該碳納米管膜結(jié)構(gòu)110即可。該第二實(shí)施例的步驟S3’與第一實(shí)施例的步驟S3基本相同。由于具有該柵網(wǎng)500，氣化的蒸發(fā)材料130只能從柵網(wǎng)500的通孔通過(guò)并到達(dá)該待鍍基底200，從而在該待鍍基底200的待鍍表面與該柵網(wǎng)500的通孔對(duì)應(yīng)的局部位置形成蒸鍍層，從而使該蒸鍍層圖案化。該圖案化的蒸鍍層的形狀與該柵網(wǎng)500的通孔的形狀對(duì)應(yīng)。對(duì)于某些蒸鍍層材料，如有機(jī)材料，傳統(tǒng)的掩膜刻蝕，如光刻等方法難以應(yīng)用。并且，傳統(tǒng)的光刻方法難以達(dá)到較高精度。本發(fā)明第二實(shí)施例通過(guò)使用具有預(yù)定圖案的柵網(wǎng)500，可以在待鍍基底200表面一次性形成預(yù)定形狀的圖案化的蒸鍍層，從而省去了進(jìn)一步刻蝕蒸鍍層的步驟，得到精細(xì)度較高的圖案。本發(fā)明將自支撐的碳納米管膜作為蒸鍍材料的載體，利用該碳納米管膜極大的比表面積及自身的均勻性，使承載在該碳納米管膜上的蒸鍍材料在蒸發(fā)前即實(shí)現(xiàn)較為均勻的大面積分布。在蒸發(fā)的過(guò)程中利用該自支撐碳納米管膜瞬時(shí)加熱的特性，在極短的時(shí)間將蒸鍍材料完全氣化，從而形成均勻且大面積分布的氣態(tài)蒸鍍材料。該待鍍基底與該碳納米管膜間隔距離短，使承載在該碳納米管膜上的蒸鍍材料基本上均能得到利用，有效節(jié)約了蒸鍍材料，提高了蒸鍍速度。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其他變化，當(dāng)然，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3