1.一種真空蒸鍍方法，包括以下步驟：
提供蒸發(fā)源及待鍍基底，該蒸發(fā)源包括蒸發(fā)材料及碳納米管膜結(jié)構(gòu)，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)為一載體，該蒸發(fā)材料設置在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面，通過該碳納米管膜結(jié)構(gòu)承載；
將該蒸發(fā)源與待鍍基底相對且間隔設置在真空室中并抽真空；以及
通過一電磁波信號輸入裝置向該碳納米管膜結(jié)構(gòu)中輸入電磁波信號，使該蒸發(fā)材料氣化，在該待鍍基底的待鍍表面形成蒸鍍層。
2.如權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，該蒸發(fā)源的制備方法包括以下步驟：
提供碳納米管膜結(jié)構(gòu)；以及
在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面通過溶液法、沉積法、蒸鍍、電鍍或化學鍍的方法擔載該蒸發(fā)材料。
3.如權(quán)利要求2所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，該蒸發(fā)材料通過溶液法擔載在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面，具體包括以下步驟：
將該蒸發(fā)材料溶于或均勻分散于一溶劑中，形成一溶液或分散液；
將該溶液或分散液均勻附著于該碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面；以及
將附著在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面的溶液或分散液中的溶劑蒸干，從而將該蒸發(fā)材料均勻的附著在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面。
4.如權(quán)利要求3所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，該蒸發(fā)材料包括多種材料，該多種材料在溶劑中按預定比例預先混合均勻，形成該溶液或分散液。
5.如權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，該電磁波信號的平均功率密度在100mW/mm2~20W/mm2范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)在支撐結(jié)構(gòu)之間懸空設置，該蒸發(fā)材料設置在懸空的碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面。
7.如權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)的單位面積熱容小于2×10-4焦耳每平方厘米開爾文，比表面積大于200平方米每克。
8.如權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)包括一個或相互層疊的多個碳納米管膜，該碳納米管膜包括多個通過范德華力首尾相連的碳納米管。
9.如權(quán)利要求8所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，該碳納米管膜中的碳納米管基本平行于該碳納米管膜表面，并沿同一方向延伸。
10.如權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，該蒸發(fā)源的厚度小于或等于100微米。
11.如權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，該待鍍基底與該蒸發(fā)源的碳納米管膜結(jié)構(gòu)等間隔設置，間距為1微米~10毫米。
12.如權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，該電磁波信號輸入裝置設置在該真空室中，并與該碳納米管膜結(jié)構(gòu)相對且間隔設置。
13.如權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，該電磁波信號輸入裝置設置在該真空室外，與該碳納米管膜結(jié)構(gòu)相對設置，該電磁波信號能夠穿過該真空室的墻壁，到達該碳納米管膜結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求1所述的真空蒸鍍方法，其特征在于，進一步提供一柵網(wǎng)，并將該柵網(wǎng)設置在該蒸發(fā)源與待鍍基底之間。