1.一種晶片托盤，用于MOCVD系統(tǒng)中，所述MOCVD系統(tǒng)包括支撐軸和加熱元件，其特征在于，所述晶片托盤包括托盤本體、設(shè)置于托盤本體下表面中心的凸臺和連接于所述凸臺下表面的旋轉(zhuǎn)連接件；所述支撐軸的上端面設(shè)置有凹坑，所述旋轉(zhuǎn)連接件插入所述凹坑并與所述凹坑相配合；所述托盤本體置于所述加熱元件上方，且所述凸臺被其鄰近加熱元件所環(huán)繞。
2.如權(quán)利要求1所述的一種晶片托盤，其特征在于，在外延反應(yīng)時，所述凸臺的側(cè)面接收鄰近所述凸臺的加熱元件散發(fā)的熱量。
3.如權(quán)利要求2所述的一種晶片托盤，其特征在于，所述凸臺的厚度大于或等于一層加熱元件的厚度。
4.如權(quán)利要求3所述的一種晶片托盤，其特征在于，所述凸臺的下表面和托盤本體的下表面平行，且至少有一層加熱元件的下表面高于該凸臺的下表面。
5.如權(quán)利要求1中任意一項所述的一種晶片托盤，其特征在于，所述托盤本體上表面中心設(shè)置有用于放置外延片的凹盤，或者所述托盤本體上表面中心位于用于放置外延片的凹盤內(nèi)。
6.一種MOCVD系統(tǒng)，包括晶片托盤、支撐軸和加熱元件，其特征在于，所述晶片托盤包括托盤本體、設(shè)置于托盤本體下表面中心的凸臺和連接于所述凸臺下表面的旋轉(zhuǎn)連接件；所述支撐軸的上端面設(shè)置有凹坑，所述旋轉(zhuǎn)連接件插入所述凹坑并與所述凹坑相配合；所述托盤本體置于所述加熱元件上方，且所述凸臺被其鄰近加熱元件所環(huán)繞。
7.如權(quán)利要求6所述的MOCVD系統(tǒng)，其特征在于，在外延反應(yīng)時，所述凸臺的側(cè)面接收鄰近所述凸臺的加熱元件散發(fā)的熱量。
8.如權(quán)利要求7所述的MOCVD系統(tǒng)，其特征在于，所述鄰近所述凸臺的加熱元件用于對所述托盤本體進行加熱。
9.如權(quán)利要求6所述的MOCVD系統(tǒng)，其特征在于，所述凸臺的厚度大于或等于一層加熱元件的厚度。
10.如權(quán)利要求9所述的MOCVD系統(tǒng)，其特征在于，所述凸臺的下表面和托盤本體的下表面平行，且至少有一層加熱元件的下表面高于該凸臺的下表面。
11.如權(quán)利要求10所述的MOCVD系統(tǒng)，其特征在于，所述凸臺和支撐軸被兩層以上加熱元件所環(huán)繞。
12.如權(quán)利要求6所述的MOCVD系統(tǒng)，其特征在于，所述托盤本體上表面中心設(shè)置有用于放置外延片的凹盤，或者所述托盤本體上表面中心位于用于放置外延片的凹盤內(nèi)。
13.如權(quán)利要求6所述的MOCVD系統(tǒng)，其特征在于，所述支撐軸的材料為金屬，支撐軸側(cè)面設(shè)有溝槽和/或支撐軸內(nèi)部設(shè)有空槽。