1.一種SACVD腔室的清潔方法，其特征在于，包括：
提供SACVD腔室，所述SACVD腔室具有腔蓋和位于所述腔蓋下方的加熱基座；
對所述SACVD腔室進(jìn)行第一清潔，在所述第一清潔中，所述腔蓋和所述加熱基座的間距為第一間距；
進(jìn)行第一清潔后，對所述SACVD腔室進(jìn)行第二清潔，在所述第二清潔中，所述加熱基座靠近SACVD腔室底部，所述腔蓋和所述加熱基座的間距為第二間距，所述第一間距小于所述第二間距。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SACVD腔室的清潔方法，其特征在于，所述第一間距比第二間距至少小1/3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SACVD腔室的清潔方法，其特征在于，所述加熱基座與SACVD腔室底部的間距大于0且小于等于400mil。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的SACVD腔室的清潔方法，其特征在于，在第一清潔和第二清潔中，所述加熱基座的溫度為500攝氏度～560攝氏度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的SACVD腔室的清潔方法，其特征在于，在第一清潔和第二清潔中，所述SACVD腔室的壓強(qiáng)范圍為3torr～40torr。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的SACVD腔室的清潔方法，其特征在于，所述第一清潔和第二清潔采用的清潔氣體為氟等離子體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的SACVD腔室的清潔方法，其特征在于，所述氟等離子體的流量為4000sccm～6000sccm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的SACVD腔室的清潔方法，其特征在于，產(chǎn)生所述氟等離子體采用的氣體為NF3，等離子體化功率為600瓦～1500瓦。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SACVD腔室的清潔方法，其特征在于，所述腔蓋中具有孔狀結(jié)構(gòu)，在所述第二清潔中，對所述腔蓋進(jìn)行降溫處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的SACVD腔室的清潔方法，其特征在于，采用冷卻循環(huán)水對所述腔蓋進(jìn)行降溫處理。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的SACVD腔室的清潔方法，其特征在于，降溫處理后，所述腔蓋的溫度為200攝氏度～300攝氏度。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的SACVD腔室的清潔方法，其特征在于，所述第一清潔采用的腔室壓強(qiáng)為第一壓強(qiáng)，所述第二清潔采用的腔室壓強(qiáng)為第二壓強(qiáng)，所述第一壓強(qiáng)大于或等于第二壓強(qiáng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的SACVD腔室的清潔方法，其特征在于，所述第一壓強(qiáng)為20torr～40torr；所述第二壓強(qiáng)為3torr～10torr。