技術(shù)總結(jié)
一種SACVD腔室的清潔方法，包括：提供SACVD腔室，所述SACVD腔室具有腔蓋和位于所述腔蓋下方的加熱基座；對(duì)所述SACVD腔室進(jìn)行第一清潔，在所述第一清潔中，所述腔蓋和所述加熱基座的間距為第一間距；進(jìn)行第一清潔后，對(duì)所述SACVD腔室進(jìn)行第二清潔，在所述第二清潔中，所述加熱基座靠近SACVD腔室底部，所述腔蓋和所述加熱基座的間距為第二間距，所述第一間距小于所述第二間距。采用所述SACVD腔室的清潔方法，將所述SACVD腔室底部和腔壁的膜層清潔干凈的同時(shí)降低了對(duì)腔壁的刻蝕損傷。

技術(shù)研發(fā)人員：徐建華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
文檔號(hào)碼：201510881898
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.03
技術(shù)公布日：2017.06.13