相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2015年3月2日提交的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第14/635,973號(hào)的權(quán)益，該美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)要求2014年11月21日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第62/083,101號(hào)的權(quán)益，這些申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容在此以引用的方式并入本文中。

本發(fā)明的實(shí)施方式在于化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)的領(lǐng)域，且具體地說(shuō)，在于用于拋光墊層疊體的經(jīng)涂覆的壓縮性副墊以及制造用于拋光墊層疊體的經(jīng)涂覆的壓縮性副墊的方法。

背景技術(shù)：

化學(xué)機(jī)械平坦化或化學(xué)機(jī)械拋光(通常簡(jiǎn)稱(chēng)為cmp)是用在半導(dǎo)體制造中的用于使半導(dǎo)體晶片或其它基板平坦化的技術(shù)。

該方法使用與直徑典型地大于晶片的保持環(huán)及拋光墊結(jié)合的研磨和/或腐蝕性化學(xué)漿料(通常為膠體)。通過(guò)動(dòng)態(tài)拋光頭將拋光墊與晶片擠壓在一起且通過(guò)塑料保持環(huán)固定在原位。動(dòng)態(tài)拋光頭在拋光期間旋轉(zhuǎn)。該方法有助于材料的移除且傾向于使任何不規(guī)則的外形平整，使得晶片平坦或平面化。為了設(shè)置用于形成額外電路元件的晶片，這可為必需的。舉例而言，為了將整個(gè)表面納入到光刻法系統(tǒng)的景深(depthoffield)內(nèi)，或者，為了基于材料的位置來(lái)選擇性地移除材料，這可能是必需的。由于最新的亞50納米的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，典型的景深要求降至埃的水平。

該材料移除方法不是如在木材上使用砂紙那樣的簡(jiǎn)單的研磨刮擦。漿料中的化學(xué)物質(zhì)還與待移除的材料反應(yīng)和/或使之弱化。研磨加快了該弱化過(guò)程，而且，拋光墊有助于從表面擦除發(fā)生反應(yīng)的材料。除了在漿料技術(shù)中的進(jìn)步之外，拋光墊在日益復(fù)雜的cmp操作中發(fā)揮重要作用。

然而，在cmp墊技術(shù)的發(fā)展中需要額外的改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施方式包括用于拋光墊層疊體的經(jīng)涂覆的壓縮性副墊、以及制造用于拋光墊層疊體的經(jīng)涂覆的壓縮性副墊的方法。

在實(shí)施方式中，用于拋光基板的拋光墊層疊體包括具有拋光表面及后表面的拋光墊。該拋光墊層疊體還包括壓縮性副墊，該壓縮性副墊的第一表面具有涂覆于其上的第一壓敏粘著劑層。該壓縮性副墊的該第一表面通過(guò)該第一壓敏粘著劑層直接耦接(couple)至該拋光墊的該后表面。

在另一實(shí)施方式中，制造用于拋光基板的拋光墊層疊體的方法涉及將第一壓敏粘著劑層涂覆于壓縮性副墊材料的第一表面上。該方法還涉及將第二壓敏粘著劑層涂覆于該壓縮性副墊材料的相對(duì)的第二表面上。該方法還涉及通過(guò)該第一壓敏粘著劑層將該壓縮性副墊材料的該第一表面直接粘著至拋光墊的后表面。

在另一實(shí)施方式中，用于拋光墊層疊體的副墊包括壓縮性副墊材料，其具有第一表面及相對(duì)的第二表面。第一壓敏粘著劑層涂覆于該壓縮性副墊材料的該第一表面上。第一隔離襯墊設(shè)置于該第一壓敏粘著劑層上。第二壓敏粘著劑層涂覆于該壓縮性副墊材料的該第二表面上。

附圖說(shuō)明

圖1說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的拋光墊和副墊的配對(duì)的橫截面圖。

圖2說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的拋光墊和副墊的配對(duì)的橫截面圖。

圖3a為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的例示性壓縮性發(fā)泡體副墊的橫截面掃描電子顯微鏡(sem)圖像。

圖3b為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的另一例示性壓縮性發(fā)泡體副墊的橫截面掃描電子顯微鏡(sem)圖像。

圖4a說(shuō)明其上層壓有粘著劑膜的現(xiàn)有技術(shù)的副墊的橫截面圖。

圖4b說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的其上涂覆有壓敏粘著劑層的副墊的橫截面圖。

圖5說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的拋光墊和副墊的配對(duì)的橫截面圖，其中，拋光墊包括拋光層及基礎(chǔ)層。

圖6說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的四步層壓道次的墊/副墊制造過(guò)程。

圖7說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的涉及將壓敏粘著劑層涂覆至副墊材料上的副墊制造過(guò)程。

圖8說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使用meyer棒的在副墊材料上的壓敏粘著劑層涂覆。

圖9說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于在將粘著劑層涂覆于壓縮性發(fā)泡體副墊表面上之前實(shí)施對(duì)壓縮性發(fā)泡體副墊表面的電暈放電處理的裝置。

圖10說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的與拋光墊/副墊的拋光墊層疊體相適合的拋光裝置的等距側(cè)視圖。

具體實(shí)施方式

本文描述用于拋光墊層疊體的經(jīng)涂覆的壓縮性副墊以及制造用于拋光墊層疊體的經(jīng)涂覆的壓縮性副墊的方法。在以下說(shuō)明書(shū)中，闡述了大量的特定細(xì)節(jié)(例如特定的拋光墊和副墊的組成和設(shè)計(jì))，以便提供對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式的充分理解。本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚，本發(fā)明的實(shí)施方式可在沒(méi)有這些特定細(xì)節(jié)的情況下加以實(shí)踐。在其它情況下，不詳細(xì)描述公知的加工技術(shù)(例如關(guān)于用于實(shí)施半導(dǎo)體基板的cmp的漿料與拋光墊的組合的細(xì)節(jié))，以便不會(huì)不必要地模糊本發(fā)明的實(shí)施方式。此外，理解，圖中所示的各種實(shí)施方式為示例性的表示且不必按比例繪制。

用于cmp操作的拋光墊可具有在性能方面的折衷，例如，在跨越晶片的拋光均勻性與管芯內(nèi)的拋光均勻性之間的折衷。舉例而言，硬的拋光墊可展現(xiàn)出良好的管芯級(jí)平坦性，但跨越晶片的均勻性差。拋光墊或?qū)幽軌虬蓧嚎s性副墊，從而改善上覆的拋光墊或?qū)拥恼w非均勻性性能。

根據(jù)本文的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，描述了經(jīng)雙重涂覆的副墊，例如，經(jīng)雙重涂覆的發(fā)泡體副墊。舉例而言，涂覆有粘著劑的發(fā)泡體可用作cmp拋光墊的基礎(chǔ)(副墊)層?？墒褂靡韵绿卣髦械囊徽呋蚪M合制得涂覆有粘著劑的發(fā)泡體：(1)粘著劑可直接涂覆至副墊材料的一個(gè)表面上；(2)粘著劑可直接涂覆至副墊材料的兩個(gè)表面上；(3)一個(gè)粘著劑可為能夠移除的粘著劑以使得能夠?qū)⒏眽|/拋光層的配對(duì)施用至平臺(tái)；和/或(4)一個(gè)粘著劑可為永久性粘著劑以促進(jìn)副墊與拋光墊或?qū)拥谋硞?cè)的強(qiáng)的結(jié)合。

為了提供上下文，用于使副墊耦接至拋光墊或?qū)拥默F(xiàn)有技術(shù)涉及使用雙面膠帶(諸如壓敏粘著劑(psa)雙面膠帶)來(lái)將副墊結(jié)合至拋光墊。將第二雙面膠帶層壓至副墊的最終將耦接至cmp裝置的平臺(tái)的側(cè)面。舉例而言，拋光墊層疊體的制造可涉及將psa雙面膠帶層壓至兩個(gè)副墊面。

圖1說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的拋光墊和副墊的配對(duì)的橫截面圖。參考圖1，拋光墊100(頂部墊或拋光層)耦接至副墊102。副墊102的接近于頂部墊100的面通過(guò)第一psa雙面膠帶104耦接至頂部墊100。第一psa雙面膠帶104可包括其上具有第一永久性psa層104b及第二永久性psa層104c的載體膜104a(諸如，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜)。副墊102的遠(yuǎn)離頂部墊100的面上具有第二psa雙面膠帶106。第二psa雙面膠帶106可包括其上具有第一永久性psa層106b及第二永久性psa層106c的載體膜106a(諸如，pet膜)。第二psa雙面膠帶106可進(jìn)一步耦接至第三psa雙面膠帶108。第三psa雙面膠帶108可包括其上具有第一永久性psa層108b及第二能夠移除的psa層108c的載體膜108a(諸如，pet膜)。第三psa雙面膠帶108可適合于將頂部墊100/副墊102的拋光墊層疊體可移除地耦接至cmp拋光裝置的平臺(tái)110，如圖1中所描繪的?？纱嬖谂c圖1中所描繪的拋光墊層疊體類(lèi)型相關(guān)聯(lián)的缺點(diǎn)，如下文所描述的。

相比于圖1的拋光墊層疊體，圖2說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的拋光墊和副墊的配對(duì)的橫截面圖。參考圖2，用于拋光基板的拋光墊層疊體包括耦接至副墊202(其可為壓縮性副墊)的拋光墊200(頂部墊或拋光層)。拋光墊200具有遠(yuǎn)離副墊202的拋光表面、以及接近于副墊202的后表面。副墊202的第一(上部)表面具有涂覆于其上的第一壓敏粘著劑層204。副墊202的上部表面通過(guò)第一壓敏粘著劑層204直接耦接至拋光墊200的后表面。

再次參考圖2，在實(shí)施方式中，拋光墊層疊體進(jìn)一步包括涂覆于壓縮性副墊202的第二(下部)表面上的第二壓敏粘著劑層206。在一個(gè)這樣的實(shí)施方式中，第一壓敏粘著劑層204為用于強(qiáng)粘著至拋光墊200的永久性壓敏粘著劑層。第二壓敏粘著劑層206為能夠移除的壓敏粘著劑層，且用于將拋光墊層疊體可移除地耦接至化學(xué)機(jī)械拋光裝置的平臺(tái)210。盡管圖2中描繪為已經(jīng)耦接至平臺(tái)，但在實(shí)施方式中，圖2的拋光墊層疊體可包括在第二壓敏粘著劑層206上的隔離襯墊。這樣的隔離襯墊可用于拋光墊層疊體的輸送及儲(chǔ)存，且可在將拋光墊層疊體耦接至平臺(tái)之前被移除以露出第二壓敏粘著劑層206。

圖2的拋光墊層疊體優(yōu)于圖1的拋光墊層疊體的優(yōu)點(diǎn)可從采用圖2的拋光墊層疊體類(lèi)型所達(dá)成的未被中斷的副墊結(jié)構(gòu)而認(rèn)識(shí)到。具體地說(shuō)，界面的數(shù)目受限以防粘著失效。另外，可存在對(duì)圖2的拋光墊層疊體的粘著劑層的較少加工，如下文更詳細(xì)地描述的。在實(shí)施方式中，在壓縮性發(fā)泡體副墊的情況下，將粘著劑直接涂覆至壓縮性副墊表面上有助于密封發(fā)泡體孔隙。此外，由于不存在與壓敏粘著劑層相關(guān)聯(lián)的載體膜且復(fù)合材料中層的數(shù)目有限，因此可減小總體墊厚度。在實(shí)施方式中，直接的粘著劑涂覆提供對(duì)低表面能的發(fā)泡體的優(yōu)異的粘著劑錨固，這在將psa雙面膠帶層壓至副墊表面的時(shí)候原本是困難的。最后，可將制造操作的數(shù)目從四次層壓操作減少到低至一次層壓操作(將經(jīng)涂覆的副墊層壓至拋光墊)，如下文更詳細(xì)地描述的。層壓操作的這樣的減少以及所達(dá)成的拋光墊層疊體結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單性可導(dǎo)致拋光墊層疊體的制造成本的可能的降低。

再次參考圖2，壓敏粘著劑層(諸如，永久性壓敏粘著劑層204或能夠移除的粘著劑層206)僅需要輕度至中度壓力來(lái)粘著至工件(諸如，需要輕度至中度壓力來(lái)將其上涂覆有壓敏粘著劑層的副墊202粘著至拋光墊200)。壓敏粘著劑層不是原本需要某種固化程度的膠層。此外，壓敏粘著劑層不是原本需要熱量以粘著至工件的熱熔層。此外，如本文中所定義的，壓敏粘著劑層不需要添加水以活化與工件的粘著性。

再次參考圖2，在實(shí)施方式中，永久性壓敏粘著劑層204在25℃下具有大于約4.5磅/英寸的剝離強(qiáng)度。能夠移除的壓敏粘著劑層206在25℃下具有小于約4磅/英寸的剝離強(qiáng)度。在特定的實(shí)施方式中，能夠移除的壓敏粘著劑層206在25℃下具有小于約2.5磅/英寸的剝離強(qiáng)度。如本文中所使用的，剝離強(qiáng)度被定義為壓敏層在最大粘著時(shí)的強(qiáng)度，其中，所用的測(cè)試方法定義在astmd3330中。在實(shí)施方式中，永久性壓敏粘著劑層204或能夠移除的壓敏粘著劑層206或這兩者為以下材料的層：例如(但不限于)丙烯酸類(lèi)材料、橡膠、乙烯乙酸乙烯酯、硅樹(shù)脂材料或嵌段共聚物。該層通常包括配制物中的增粘性樹(shù)脂。在實(shí)施方式中，永久性壓敏粘著劑層204或能夠移除的壓敏粘著劑層206或這兩者具有約2密耳的厚度。

如上文簡(jiǎn)要地提及的，在實(shí)施方式中，壓縮性副墊202為壓縮性發(fā)泡體副墊。在一個(gè)這樣的實(shí)施方式中，壓縮性發(fā)泡體副墊為提供改善的厚度均勻性或改善的表面能或這兩者的經(jīng)后加工的發(fā)泡體材料(例如，使用電暈處理進(jìn)行加工，如下文更詳細(xì)地描述的)。在實(shí)施方式中，壓縮性發(fā)泡體副墊由以下材料組成：例如(但不限于)乙烯乙酸乙烯酯閉孔發(fā)泡體材料、聚乙烯閉孔發(fā)泡體材料、或者主要為閉孔的聚氨酯發(fā)泡體材料。在實(shí)施方式中，壓縮性副墊的表面中的一者或兩者(即，耦接至拋光墊的表面或用于耦接至平臺(tái)的表面)具有約在30至40達(dá)因/平方厘米的范圍內(nèi)的表面能(如在任何后加工(諸如電暈處理)之前所量測(cè)的)。在實(shí)施方式中，壓縮性副墊具有約在10密耳至40密耳范圍內(nèi)的厚度。

圖3a及3b為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的例示性壓縮性發(fā)泡體副墊的橫截面掃描電子顯微鏡(sem)圖像。參考圖3a的sem圖像300a，展示了放大100x放大率的閉孔乙烯乙酸乙烯酯(eva)發(fā)泡體副墊。參考圖3b的sem圖像300b，展示了放大100x放大率的閉孔聚乙烯(pe)發(fā)泡體副墊。

再次參考圖3a及3b，在實(shí)施方式中，副墊發(fā)泡體層為具有低表面能(典型地為30至35達(dá)因/平方厘米)的eva發(fā)泡體或聚乙烯發(fā)泡體。典型地，采用astm標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法d2578，使用施加簡(jiǎn)單溶液的accudyne筆來(lái)量測(cè)表面能。最通常使用的溶液包括乙基溶纖劑、甲酰胺及染料(為了更容易用肉眼進(jìn)行檢測(cè))。乙基溶纖劑％對(duì)比甲酰胺％的濃度變化導(dǎo)致采用每種筆的不同達(dá)因水平的溶液。

再次參考圖2，永久性壓敏粘著劑層204涂覆在副墊202的接近于拋光墊200的表面上。能夠移除的壓敏粘著劑層206涂覆在副墊202的遠(yuǎn)離拋光墊200的表面上。術(shù)語(yǔ)“涂覆”的使用用于將本發(fā)明的實(shí)施方式與其中將psa(諸如，psa雙面膠帶)層壓在副墊的表面上以用于將副墊最終耦接至拋光墊或平臺(tái)(取決于其上層壓有psa的副墊的側(cè)面)的情形區(qū)分開(kāi)。術(shù)語(yǔ)“涂覆”還用于將本發(fā)明的實(shí)施方式與其中將psa(諸如，psa雙面膠帶)首先層壓在拋光墊的后表面上并隨后用于經(jīng)由另一層壓制程將拋光墊粘著至副墊的情形區(qū)分開(kāi)。相比之下，根據(jù)本文中所描述的實(shí)施方式，粘著劑層通過(guò)制程(例如(但不限于)浸漬制程、滾涂制程或鋪展制程)而作為“濕”層涂覆在副墊的表面上。然后，使經(jīng)涂覆的層干燥，以移除用于將粘著材料施用在副墊的表面上的任何載體溶劑。涂覆在副墊表面上的經(jīng)干燥層為壓敏粘著劑層(永久性或能夠移除的，取決于涉及副墊的哪一個(gè)側(cè)面)。

作為經(jīng)涂覆的粘著劑層相對(duì)于副墊的表面上的經(jīng)層壓的粘著劑膜的例示性?xún)?yōu)點(diǎn)，本發(fā)明的實(shí)施方式在副墊的表面上提供壓敏粘著劑層，其中，壓敏粘著劑層與副墊表面之間的表面積接觸大于約90％，且在一些實(shí)施方式中大于約95％。圖4a說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的副墊(其上層壓有粘著劑膜)的橫截面圖。圖4b說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的其上涂覆有壓敏粘著劑層的副墊的橫截面圖。

參考圖4a，常規(guī)的經(jīng)層壓的粘著片材400可不具有在經(jīng)層壓的片材400與閉孔副墊404的形貌表面402之間的實(shí)質(zhì)性表面積接觸。如圖4a中所示的，經(jīng)層壓的粘著片材400并不基本上填充副墊404的表面的表面空隙/形貌402。應(yīng)理解，對(duì)于副墊404的另一(底部)表面，可出現(xiàn)相同情境。

相比之下，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，參考圖4b，經(jīng)涂覆的壓敏性粘著層450基本上填充副墊454的表面的表面空隙/形貌452。結(jié)果可為壓敏性粘著層450與副墊454之間的粘著強(qiáng)度的最終提高。應(yīng)理解，對(duì)于副墊454的另一(底部)表面，可出現(xiàn)相同情境。在例示性的實(shí)施方式中，壓縮性副墊454的表面452具有至少3微米的表面粗糙度且具有總表面積。經(jīng)涂覆的壓敏粘著劑層450與壓縮性副墊454的表面452的總表面積的至少90％直接接觸。在一些實(shí)施方式中，經(jīng)涂覆的壓敏粘著劑層450與壓縮性副墊454的表面452的總表面積的大于約95％直接接觸。

再次參考圖2，在實(shí)施方式中，耦接至副墊202的拋光墊200為均質(zhì)或單層的拋光墊，如圖2中所描繪的。在一個(gè)這樣的實(shí)施方式中，拋光墊200由熱固性聚氨酯材料組成，如下文更詳細(xì)地描述的。然而，在另一實(shí)施方式中，拋光墊200為復(fù)合拋光墊。在一個(gè)這樣的實(shí)施方式中，拋光墊200包括拋光層及基礎(chǔ)層(它們一起界定了拋光墊200)。

作為后一種情境的實(shí)例，圖5說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的拋光墊和副墊的配對(duì)的橫截面圖，其中，拋光墊包括拋光層及基礎(chǔ)層。參考圖5，拋光墊層疊體包括拋光墊500。拋光墊包括耦接至基礎(chǔ)層502的拋光層508。因此，拋光墊500的后表面為基礎(chǔ)層502的表面?；A(chǔ)層502的前表面504結(jié)合至表面拋光層508。在實(shí)施方式中，拋光表面層508包括連續(xù)層部分508a，多個(gè)拋光特征508b自連續(xù)層部分508a突出，如圖5中所描繪的。連續(xù)層部分508a與基礎(chǔ)層502結(jié)合。

在實(shí)施方式中，基礎(chǔ)層502由聚碳酸酯材料組成，且拋光表面層508為聚氨酯材料。在這樣的特定實(shí)施方式中，拋光表面層508共價(jià)結(jié)合至基礎(chǔ)層502。術(shù)語(yǔ)“共價(jià)結(jié)合”是指其中來(lái)自第一材料(例如，拋光表面層的材料)的原子與來(lái)自第二材料(例如，基礎(chǔ)層的材料)的原子交聯(lián)或共用電子以實(shí)現(xiàn)實(shí)際化學(xué)鍵結(jié)的配置。共價(jià)結(jié)合區(qū)別于機(jī)械結(jié)合(諸如，經(jīng)由螺桿、釘、膠或其它粘著劑的結(jié)合)。在另一特定實(shí)施方式中，拋光表面層508并非共價(jià)結(jié)合，而是僅靜電結(jié)合(然而仍直接結(jié)合)至基礎(chǔ)層502。這樣的靜電結(jié)合可涉及基礎(chǔ)層502與拋光表面層508之間的范德瓦爾斯(vanderwaals)類(lèi)型的相互作用。

再次參考圖5，拋光墊層疊體包括副墊550，其可為壓縮性閉孔發(fā)泡體副墊。副墊550的第一(上部)表面具有涂覆于其上的第一壓敏粘著劑層552。副墊550的上部表面通過(guò)第一壓敏粘著劑層552直接耦接至拋光墊500的基礎(chǔ)層502的后表面。在實(shí)施方式中，第二壓敏粘著劑層554涂覆在壓縮性副墊550的第二(下部)表面上。在一個(gè)這樣的實(shí)施方式中，第一壓敏粘著劑層552為用于強(qiáng)粘著至拋光墊500的永久性壓敏粘著劑層。第二壓敏粘著劑層554為能夠移除的壓敏粘著劑層且用于將拋光墊層疊體可移除地耦接至化學(xué)機(jī)械拋光裝置的平臺(tái)556。盡管圖5中描繪為已經(jīng)耦接至平臺(tái)，但在實(shí)施方式中，圖5的拋光墊層疊體可包括在第二壓敏粘著劑層554上的隔離襯墊。這樣的隔離襯墊可用于拋光墊層疊體的輸送及儲(chǔ)存，且可在將拋光墊層疊體耦接至平臺(tái)之前被移除以露出第二壓敏粘著劑層554。

如上文簡(jiǎn)要地提及的，包括副墊(諸如，本文中所描述的那些)的拋光墊層疊體可使用相較于原本用于現(xiàn)有技術(shù)的墊層疊體制造的層壓制程數(shù)目減少的層壓制程來(lái)制造。作為對(duì)比實(shí)例，圖6說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的四步層壓道次的墊/副墊制造過(guò)程。參考圖6，第一層壓道次(層壓道次1)涉及將永久性psa雙面膠帶602層壓于拋光墊(頂部墊)600的背面上。然后，修剪掉多余的永久性psa雙面膠帶。第二層壓道次(層壓道次2)涉及將副墊發(fā)泡體材料604層壓至拋光墊600的背面上的永久性psa雙面膠帶602上。然后，修剪掉多余的發(fā)泡體材料。第三層壓道次(層壓道次3)涉及將第二永久性psa雙面膠帶606層壓至副墊發(fā)泡體材料604上。然后，修剪掉多余的第二永久性psa雙面膠帶。第四層壓道次(層壓道次4)涉及將能夠移除的psa雙面膠帶608層壓至第二永久性psa雙面膠帶606上。然后，修剪掉多余的能夠移除的psa雙面膠帶?？墒褂脤訅簷C(jī)650，其中，取決于正在實(shí)施哪一個(gè)層壓道次，使用永久性psa雙面膠帶602、副墊發(fā)泡體材料604、第二永久性psa雙面膠帶606或能夠移除的psa雙面膠帶608的卷654來(lái)層壓拋光墊652。所得的墊層疊體可為諸如與圖1相關(guān)聯(lián)地描述的墊層疊體。

相比于上述多重層壓制程，圖7說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的涉及將壓敏粘著劑層涂覆至副墊材料上的副墊制造過(guò)程。

參考圖7，使用副墊發(fā)泡體材料702作為涂覆制程的載體膜。將副墊發(fā)泡體材料702供給至涂布輥704及706中，其將第一壓敏粘著劑材料708施用至副墊發(fā)泡體材料702的第一側(cè)面710上。使用涂布器棒或meyer棒712來(lái)移除多余的第一壓敏粘著劑材料708且使其均勻地分布于副墊發(fā)泡體材料702的第一側(cè)面710上。

再次參考圖7，副墊發(fā)泡體材料702然后被供給至涂布輥724及726中，其將第二壓敏粘著劑材料728施用至副墊發(fā)泡體材料702的第二側(cè)面730上。使用涂布器棒或meyer棒732來(lái)移除多余的第二壓敏粘著劑材料728且使其均勻地分布于副墊發(fā)泡體材料702的第二側(cè)面730上。

再次參考圖7，經(jīng)雙重涂覆的副墊發(fā)泡體材料702然后被引導(dǎo)至干燥器740。干燥提供發(fā)泡體材料702，該發(fā)泡體材料702具有其上涂覆有第一壓敏粘著劑層746的第一表面710且具有其上涂覆有第二壓敏粘著劑層748的第二表面730。一旦被傳輸經(jīng)過(guò)干燥器740，可實(shí)施發(fā)泡體材料702(其上具有第一壓敏粘著劑層746及第二壓敏粘著劑層748)的進(jìn)一步加工，如下文更詳細(xì)地描述的。

總體上參考圖7，在實(shí)施方式中，制造用于拋光基板的拋光墊層疊體的方法涉及在壓縮性副墊材料702的第一表面710上涂覆第一壓敏粘著劑層708。該方法還涉及將第二壓敏粘著劑層728涂覆于壓縮性副墊材料702的相對(duì)的第二表面730上。在實(shí)施方式中，第一壓敏粘著劑層708為永久性壓敏粘著劑層，且第二壓敏粘著劑層728為能夠移除的壓敏粘著劑層。在另一實(shí)施方式中，第一壓敏粘著劑層708為能夠移除的壓敏粘著劑層，且第二壓敏粘著劑層728為永久性壓敏粘著劑層。在任一情況下，在實(shí)施方式中，對(duì)于能夠移除的壓敏粘著劑層，將底涂劑(primer)施用至副墊材料的相關(guān)聯(lián)的側(cè)面以提高能夠移除的壓敏粘著劑層對(duì)副墊材料的粘著性，但保持對(duì)于能夠移除的壓敏粘著劑層的平臺(tái)側(cè)面的可移除性。

在實(shí)施方式中，涂覆第一壓敏粘著劑層或第二壓敏粘著劑層涉及在壓縮性副墊材料的表面上分配并然后鋪展基于溶劑的粘著劑配制物。在一個(gè)這樣的實(shí)施方式中，在壓縮性副墊材料的第一表面上分配并然后鋪展基于溶劑的第一粘著劑配制物且在壓縮性副墊材料的第二表面上的分配并然后鋪展基于溶劑的第二粘著劑配制物后，干燥所述基于溶劑的第一和第二粘著劑配制物(例如，經(jīng)由干燥器740)，以便從所述基于溶劑的第一和第二粘著劑配制物移除基本上所有溶劑。在實(shí)施方式中，壓敏粘著劑層是在小于約50℃的溫度下作為基于溶劑的粘著劑配制物施用在壓縮性副墊材料的表面上。隨后，在小于約50℃的溫度下在空氣干燥器中干燥基于溶劑的粘著劑配制物。

因此，總體上參考圖7，在副墊材料上提供psa層涉及將粘著劑/溶劑溶液涂覆至在制造過(guò)程中起載體膜或支撐層作用的副墊材料上。粘著劑配制物的粘度決定了涂覆的方法。粘著劑配制物可作為溶劑中所攜帶的粘著材料進(jìn)行施用。例示性的涂覆方法為meyer棒涂覆法。圖8說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使用meyer棒將壓敏粘著劑層涂覆至副墊材料上。

參考圖8，涂布器輥802將粘著劑配制物804遞送至正被涂覆的副墊材料806的表面。在實(shí)施方式中，在小于約50℃的溫度下，且優(yōu)選地在小于約40℃的溫度下，且最優(yōu)選地在室溫下或約20至25℃的溫度下施用粘著劑配制物804。在實(shí)施方式中，在施用時(shí)的粘著劑配制物804的溫度小于約50℃，且優(yōu)選地小于約40℃，且最優(yōu)選地在室溫下或約20至25℃。涂布器輥802遞送過(guò)量的材料804。通過(guò)meyer桿或棒808(其展開(kāi)圖描繪于圖8的方框810中，展示了被線(wire)纏繞的棒)移除過(guò)量物。所移除的粘著劑的量取決于線的纏繞?？纱嬖诖?lián)的多個(gè)棒以產(chǎn)生平穩(wěn)且精確的涂層厚度(其中公差為+/-0.001英寸)。經(jīng)涂覆的副墊材料膜然后被引導(dǎo)812至空氣干燥器以用于溶劑蒸發(fā)。在實(shí)施方式中，在粘著劑涂覆在副墊上之后約2至4分鐘時(shí)，其上涂覆有粘著劑的副墊進(jìn)入干燥器。在實(shí)施方式中，在空氣干燥器中干燥副墊約20分鐘。

再次參考圖7，接著在涂覆制程結(jié)束時(shí)將隔離襯墊790施用于經(jīng)涂覆的粘著劑層中的一者。在一個(gè)實(shí)施方式中，在能夠移除的壓敏粘著劑層已涂覆在副墊材料上之后，將隔離襯墊790添加至能夠移除的壓敏粘著劑層。然而，在其它實(shí)施方式中，通過(guò)首先將能夠移除的壓敏粘著劑材料施用至隔離襯墊且然后將能夠移除的壓敏粘著劑材料遞送至副墊材料而將能夠移除的壓敏粘著劑層涂覆在副墊材料上。在任一情況下，可在將能夠移除的壓敏粘著劑層耦接至平臺(tái)之前移除這樣的隔離襯墊。

在實(shí)施方式中，盡管未描繪，但將第二隔離襯墊添加至永久性壓敏粘著劑層?？砂ㄟ@樣的第二隔離襯墊以用于經(jīng)涂覆的副墊的輸送或儲(chǔ)存，但在通過(guò)經(jīng)涂覆的副墊的永久性壓敏粘著劑層將經(jīng)涂覆的副墊粘著至拋光墊之前移除這樣的第二隔離襯墊。然而，在其它實(shí)施方式中，形成副墊材料的卷，且不在副墊材料的具有永久性壓敏粘著劑層的側(cè)面上包括隔離襯墊。不管是否包括第二隔離襯墊，皆可通過(guò)層壓制程將拋光墊粘著至副墊材料的經(jīng)涂覆的永久性壓敏粘著劑層(因此保留單個(gè)層壓制程而非與圖6相關(guān)聯(lián)地描述的四個(gè)層壓制程)。然后，可環(huán)繞拋光墊材料的形狀切割副墊材料。

如本文中所描述的，隔離襯墊為基于紙或塑料的載體網(wǎng)狀材料，在隔離襯墊的一面或兩面上具有隔離劑。隔離劑提供相對(duì)于任何類(lèi)型的粘性材料(諸如，粘著劑)的隔離作用。隔離襯墊的剝離涉及使隔離襯墊與壓敏粘著劑層分離。

再次參考圖7的制程，在實(shí)施方式中，在粘著劑涂覆之前，對(duì)副墊的發(fā)泡體材料(諸如，eva或pe發(fā)泡體材料)進(jìn)行后加工，以在整個(gè)網(wǎng)狀物中達(dá)成+/-1密耳的嚴(yán)格的量規(guī)(gage)公差。典型地，在一面或兩面上磨光材料。這樣的發(fā)泡體的厚度可自15密耳直至60密耳且可制造成在幾磅直至60磅發(fā)泡體的廣泛密度范圍中。典型的量規(guī)公差為總厚度的+/-10％，其在整個(gè)網(wǎng)狀物中可多達(dá)+/-6密耳或總共12密耳。應(yīng)理解，由于半導(dǎo)體市場(chǎng)的技術(shù)在減小線寬方面的要求變得越來(lái)越苛刻，因此用于制造這些技術(shù)的消耗性設(shè)備(consumableset)也必須符合更嚴(yán)格的材料性質(zhì)公差。在實(shí)施方式中，對(duì)發(fā)泡體的后加工及隨后的直接粘著劑涂覆可降低厚度公差且提供改善的粘著劑錨固。這樣的因素又影響副墊材料的發(fā)泡體可壓縮性?？蓧嚎s性被定義為(承重時(shí)的厚度減去初始厚度)/初始厚度。在一些實(shí)施方式中，所需的可壓縮性低，例如，典型地低于10％。

如關(guān)聯(lián)圖7簡(jiǎn)要地描述的，電暈792a及792b或類(lèi)似處理可在粘著劑層涂覆之前應(yīng)用至副墊材料的一面或兩面。應(yīng)理解，表面能性質(zhì)為工業(yè)涂層的重要考慮因素。表面能指示了所施用的涂層是否將被表面接受(這被稱(chēng)為濕潤(rùn))。濕潤(rùn)的定義為液體與固體表面維持接觸的能力，其由當(dāng)液體與固體表面彼此靠近時(shí)的分子間相互作用導(dǎo)致。濕潤(rùn)的程度(可潤(rùn)濕性)由粘著力與內(nèi)聚力之間的力平衡決定。對(duì)于粘著劑涂層，粘著劑的表面張力必須低于施用粘著劑的表面的表面能。在諸如eva發(fā)泡體的材料的情況下，必須提高基板的表面能，以保證所施用的液體(壓敏粘著劑涂層)的足夠浸濕。存在用于這樣的表面處理的許多方法，例如(但不限于)電暈放電、火焰處理或等離子體處理?？蓪?shí)施這樣的處理以將eva或pe發(fā)泡體的表面能自30達(dá)因/cm提高直至(例如)40至42達(dá)因/cm。在一個(gè)這樣的實(shí)施方式中，恰在粘著劑涂覆制程之前將電暈放電處理應(yīng)用至壓縮性發(fā)泡體副墊材料，如圖7中所展示的。

圖9說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于在將粘著劑層涂覆于壓縮性發(fā)泡體副墊表面上之前實(shí)施對(duì)壓縮性發(fā)泡體副墊表面的電暈放電處理的裝置。參考圖9，將副墊材料層902(例如，壓縮性發(fā)泡體材料層)卷繞在其上具有電介質(zhì)906的夯輥(tamperroll)904上。該配置提供了在副墊材料層902上方的電極908，其中，空氣間隙910位于電極908與副墊材料層902之間。電暈發(fā)生器的電源912耦接至電極908。電暈處理為使用低溫電暈放電等離子體以賦予副墊材料層902的表面性質(zhì)改變的表面改性技術(shù)。

在實(shí)施方式中，再次參考圖2及圖5，拋光墊200或拋光表面層508為均質(zhì)的拋光墊或拋光表面層。在一個(gè)這樣的實(shí)施方式中，均質(zhì)的拋光墊或拋光表面層由熱固性聚氨酯材料組成。舉例而言，在特定的實(shí)施方式中，均質(zhì)的拋光墊或拋光表面層由熱固性的閉孔聚氨酯材料組成。在實(shí)施方式中，術(shù)語(yǔ)“均質(zhì)”用于指示熱固性的閉孔聚氨酯材料的組成在本體的整個(gè)組成中是一致的。舉例而言，在實(shí)施方式中，術(shù)語(yǔ)“均質(zhì)”不包括由(例如)不同材料的多個(gè)層的組合物(復(fù)合物)或浸染氈組成的拋光墊本體。在實(shí)施方式中，術(shù)語(yǔ)“熱固性”用于指示不可逆固化的聚合物材料，例如，通過(guò)固化將材料不可逆地變化成難熔、不溶性聚合物網(wǎng)絡(luò)的前體。舉例而言，在實(shí)施方式中，術(shù)語(yǔ)“熱固性”不包括由例如“熱塑性”材料或“熱塑性塑料”組成的拋光墊——那些材料由在加熱時(shí)變成液態(tài)且在充分冷卻時(shí)返回至非常玻璃態(tài)(veryglassystate)的聚合物組成。注意到，由熱固性材料制成的拋光墊典型地由在化學(xué)反應(yīng)中反應(yīng)形成聚合物的低分子量前體制造，而由熱塑性材料制成的墊典型地通過(guò)加熱預(yù)先存在的聚合物以導(dǎo)致相變而制造，使得拋光墊在物理過(guò)程中形成。基于本文中所描述的拋光墊的穩(wěn)定的熱和機(jī)械性質(zhì)、對(duì)化學(xué)環(huán)境的耐受性以及耐磨性?xún)A向，可選擇聚氨酯熱固性聚合物來(lái)制造本文中所描述的拋光墊。

可模制拋光墊200或拋光表面層508的材料。術(shù)語(yǔ)“模制”可用于指示拋光表面層形成于成形模具中。在實(shí)施方式中，經(jīng)模制的拋光墊200或拋光表面層508在修整和/或拋光時(shí)具有約在1至5微米范圍內(nèi)的拋光表面粗糙度(均方根)。在一個(gè)實(shí)施方式中，經(jīng)模制的拋光墊200或拋光表面層508在修整和/或拋光時(shí)具有約2.35微米的拋光表面粗糙度(均方根)。在實(shí)施方式中，經(jīng)模制的拋光墊200或拋光表面層508在25℃下具有約在30至500兆帕斯卡(mpa)范圍內(nèi)的儲(chǔ)能模量。在另一實(shí)施方式中，經(jīng)模制的拋光墊200或拋光表面層508在25℃下具有約小于30兆帕斯卡(mpa)的儲(chǔ)能模量。

拋光墊200或拋光表面層508的材料可包括孔隙形成特征。在實(shí)施方式中，拋光表面層108或208具有約在6％至50％總空隙體積范圍內(nèi)的閉孔孔隙的孔隙密度。在一個(gè)實(shí)施方式中，多個(gè)閉孔孔隙為多個(gè)致孔劑。舉例而言，術(shù)語(yǔ)“致孔劑”可用于指示具有“中空”中心的微米或納米級(jí)的球形或略微球形的顆粒。所述中空中心不被固體材料填充，而是可包括氣體或液體核心。在一個(gè)實(shí)施方式中，多個(gè)閉孔孔隙由分布在拋光墊的整個(gè)拋光表面層中(例如，作為其中的額外組分)的經(jīng)預(yù)膨脹及充氣的expancel^tm組成。在特定的實(shí)施方式中，expancel^tm用戊烷填充。在實(shí)施方式中，多個(gè)閉孔孔隙中的每一者具有約在10至100微米范圍內(nèi)的直徑。在實(shí)施方式中，多個(gè)閉孔孔隙包括彼此離散的孔隙。這與可經(jīng)由通道彼此連接的開(kāi)孔孔隙(例如，在常見(jiàn)的海綿中的孔隙的情況)形成對(duì)比。在一個(gè)實(shí)施方式中，閉孔孔隙中的每一者包括有形(physical)的殼，例如致孔劑的殼，如上文所描述的。然而，在另一實(shí)施方式中，閉孔孔隙中的每一者不包括有形的殼。在實(shí)施方式中，多個(gè)閉孔孔隙基本上均勻地分布在均質(zhì)的拋光墊或拋光表面層的整個(gè)熱固性聚氨酯材料中。

在實(shí)施方式中，拋光墊200或拋光表面層508為不透明的。在一個(gè)實(shí)施方式中，術(shù)語(yǔ)“不透明”用于指示允許約10％或更低的可見(jiàn)光穿過(guò)的材料。在一個(gè)實(shí)施方式中，拋光墊200或拋光表面層508在大部分中是不透明的，或者，完全歸因于在整個(gè)拋光墊200或拋光表面層508中(例如，作為其中的額外組分)包括乳濁化(opacifying)的顆粒填料(諸如，潤(rùn)滑劑)。在特定的實(shí)施方式中，乳濁化的顆粒填料為例如(但不限于)氮化硼、氟化鈰、石墨、氟化石墨、硫化鉬、硫化鈮、滑石、硫化鉭、二硫化鎢或的材料。

在另一方面中，拋光墊200或拋光表面層508可具有適合于在cmp操作期間拋光的圖案。在第一總括(通用)實(shí)例中，本發(fā)明的一些實(shí)施方式包括具有線性特征的圖案的多個(gè)突起。在第二總括實(shí)例中，本發(fā)明的一些實(shí)施方式包括具有離散曲線特征的圖案的多個(gè)突起。在這樣的特定實(shí)例中，包括離散的弧形突起。其它的這樣的特定實(shí)施方式包括(但不限于)設(shè)置于基本上圓形的拋光墊上的多個(gè)局部圓周突起。在第三個(gè)總括實(shí)例中，本發(fā)明的一些實(shí)施方式包括具有離散的塊(tile)的圖案的多個(gè)突起。在這樣的特定實(shí)施方式中，包括離散的六角形塊突起。其它的這樣的特定實(shí)施方式包括(但不限于)多個(gè)圓形塊、多個(gè)橢圓形塊、多個(gè)正方形塊、多個(gè)矩形塊、或其組合。

盡管上述三個(gè)總括實(shí)例是依據(jù)突起(例如，經(jīng)圖案化的拋光表面層的最高點(diǎn))而定義的，但拋光表面層也可或替代地依據(jù)凹槽(例如，經(jīng)圖案化的拋光表面層的最低點(diǎn))而定義。單獨(dú)的凹槽可在各凹槽上的任何給定點(diǎn)處具有約4至約100密耳的深度。在一些實(shí)施方式中，在各凹槽上的任何給定點(diǎn)處，凹槽具有約10密耳至約50密耳的深度。凹槽可具有均一深度、可變深度或其任何組合。在一些實(shí)施方式中，所有凹槽均具有均一深度。舉例而言，凹槽圖案的凹槽可皆具有相同深度。在一些實(shí)施方式中，凹槽圖案的一些凹槽可具有一定的均一深度，而相同圖案的其它凹槽可具有不同的均一深度。舉例而言，凹槽深度可隨著距拋光墊中心的距離的增大而增大。然而，在一些實(shí)施方式中，凹槽深度隨著距拋光墊中心的距離的增大而減小。在一些實(shí)施方式中，具有均一深度的凹槽與具有可變深度的凹槽相互交替。

在各凹槽上的任何給定點(diǎn)處，單獨(dú)的凹槽的寬度可為約2密耳至約100密耳。在一些實(shí)施方式中，在各凹槽上的任何給定點(diǎn)處，凹槽的寬度為約15密耳至約50密耳。凹槽可具有均一寬度、可變寬度或其任何組合。在一些實(shí)施方式中，凹槽圖案的凹槽均具有均一寬度。然而，在一些實(shí)施方式中，凹槽圖案的一些凹槽具有一定的均一寬度，而相同圖案的其它凹槽具有不同的均一寬度。在一些實(shí)施方式中，凹槽寬度隨著距拋光墊中心的距離的增大而增大。在一些實(shí)施方式中，凹槽寬度隨著距拋光墊中心的距離的增大而減小。在一些實(shí)施方式中，具有均一寬度的凹槽與具有可變寬度的凹槽相互交替。

根據(jù)先前所描述的深度及寬度尺寸，單獨(dú)的凹槽可具有均一體積、可變體積或其任何組合。在一些實(shí)施方式中，凹槽均具有均一體積。然而，在一些實(shí)施方式中，凹槽體積隨著距拋光墊中心的距離的增大而增大。在一些其它實(shí)施方式中，凹槽體積隨著距拋光墊中心的距離的增大而減小。在一些實(shí)施方式中，具有均一體積的凹槽與具有可變體積的凹槽相互交替。

本文中所描述的凹槽圖案的凹槽可具有自約30密耳至約1000密耳的間距。在一些實(shí)施方式中，凹槽具有約125密耳的間距。對(duì)于圓形拋光墊，沿著圓形拋光墊的半徑量測(cè)凹槽間距。凹槽可具有均一間距、可變間距或其任何組合。在一些實(shí)施方式中，凹槽均具有均一間距。然而，在一些實(shí)施方式中，凹槽間距隨著距拋光墊中心的距離的增大而增大。在一些其它實(shí)施方式中，凹槽間距隨著距拋光墊中心的距離的增大而減小。在一些實(shí)施方式中，在一個(gè)區(qū)段中的凹槽間距隨著距拋光墊中心的距離的增大而變化，而在相鄰區(qū)段中的凹槽的間距保持均一。在一些實(shí)施方式中，在一個(gè)區(qū)段中的凹槽間距隨著距拋光墊中心的距離的增大而增大，而在相鄰區(qū)段中的凹槽的間距以不同的速率增大。在一些實(shí)施方式中，一個(gè)區(qū)段中的凹槽間距隨著距拋光墊中心的距離的增大而增大，而相鄰區(qū)段中的凹槽的間距隨著距拋光墊中心的距離的增大而減小。在一些實(shí)施方式中，具有均一間距的凹槽與具有可變間距的凹槽相互交替。在一些實(shí)施方式中，具有均一間距的凹槽的區(qū)段與具有可變間距的凹槽的區(qū)段相互交替。

在實(shí)施方式中，本文中所描述的拋光墊層疊體(諸如，圖2及圖5的拋光墊層疊體)適合于拋光基板?；蹇蔀橛糜诎雽?dǎo)體制造行業(yè)中的基板，諸如其上設(shè)置有裝置或其它層的硅基板。然而，基板可為以下基板：例如(但不限于)用于mems裝置、掩模板或太陽(yáng)能模塊的基板。因此，如本文中所使用的，所提及的“用于拋光基板的拋光墊”旨在涵蓋這些以及相關(guān)的可能性。在實(shí)施方式中，拋光墊層疊體具有約在20英寸至30.3英寸范圍內(nèi)的直徑，例如約在50至77厘米范圍內(nèi)；且可能約在10英寸至42英寸范圍內(nèi)，例如約在25至107厘米范圍內(nèi)。

本文中所描述的副墊可與拋光墊包括在一起，如上文所描述的。這樣的經(jīng)組合的拋光墊/副墊的拋光墊層疊體可適合于與各種化學(xué)機(jī)械拋光裝置一起使用。作為實(shí)例，圖10說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的與拋光墊/副墊的拋光墊層疊體相適合的拋光裝置的等距側(cè)視圖。

參考圖10，拋光裝置1000包括平臺(tái)1004。平臺(tái)1004的頂部表面1002可用于支撐拋光墊/副墊的拋光墊層疊體1099。平臺(tái)1004可配置成提供軸旋轉(zhuǎn)1006。樣品載體1010用于在采用拋光墊/副墊的拋光墊層疊體1099拋光半導(dǎo)體晶片的期間將例如半導(dǎo)體晶片1011固持在原位且提供滑件振蕩(slideroscillation)1008。樣品載體1010進(jìn)一步由懸掛機(jī)構(gòu)(suspensionmechanism)1012支撐。漿料進(jìn)料1014被包括以用于在半導(dǎo)體晶片的拋光之前及在半導(dǎo)體晶片的拋光期間將漿料提供至拋光墊/副墊的拋光墊層疊體1099的表面。還可包括修整單元1090，且在一個(gè)實(shí)施方式中，修整單元1090包括用于修整拋光墊/副墊的拋光墊層疊體1099組合的拋光墊的金剛石刀頭(tip)。在實(shí)施方式中，在副墊上的相對(duì)較弱的粘著劑的經(jīng)涂覆的粘著劑層用于在平臺(tái)1004上安裝拋光墊/副墊的拋光墊層疊體1099。在實(shí)施方式中，相對(duì)較強(qiáng)的粘著劑的經(jīng)涂覆的粘著劑層將副墊固定至拋光墊。

因此，已經(jīng)公開(kāi)了用于拋光墊層疊體的經(jīng)涂覆的壓縮性副墊以及制造用于拋光墊層疊體的經(jīng)涂覆的壓縮性副墊的方法。