1.一種高溫壓電傳感器中石墨烯電極的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
(1)將預(yù)處理過的高溫壓電晶片放入等離子體化學(xué)氣相沉積腔室中,關(guān)閉腔室,啟動(dòng)真空泵;至腔室中的氣壓降至10-5Torr以下,通入保護(hù)氣和碳?xì)浠衔餁怏w調(diào)節(jié)腔室中的壓強(qiáng);
(2)啟動(dòng)真空反應(yīng)爐加熱升溫,打開等離子體源,恒溫沉積,得到石墨烯電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫壓電傳感器中石墨烯電極的制備方法,其特征在于:步驟(1)中,所述高溫壓電晶片的預(yù)處理方法為:將高溫壓電晶片研磨、拋光,超聲清洗,N2氣體吹干,即得;優(yōu)選地,超聲清洗步驟為:分別用去離子水、丙酮和乙醇超聲清洗10—15min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫壓電傳感器中石墨烯電極的制備方法,其特征在于:步驟(1)中,所述高溫壓電晶片包括Ba2TiSi2O7(BTS)、La3Ga5SiO14(LGS)、La3Ga5.5Ta0.5O14(LGT)、Ca3TaGa3Si2O14(CTGS)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫壓電傳感器中石墨烯電極的制備方法,其特征在于:步驟(1)中,通入保護(hù)氣和碳?xì)浠衔餁怏w后,腔室中的壓強(qiáng)為0.05—1Torr。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫壓電傳感器中石墨烯電極的制備方法,其特征在于:步驟(1)中,所述保護(hù)氣為Ar氣體;所述碳?xì)浠衔餁怏w為CH4、C2H6、C3H8、C2H4或C3H6;所述保護(hù)氣與碳?xì)浠衔餁怏w的流量比為10:1—1:1;所述保護(hù)氣流量為10—100sccm,碳?xì)浠衔餁怏w流量為10—50sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫壓電傳感器中石墨烯電極的制備方法,其特征在于:步驟(2)中,真空反應(yīng)爐加熱升溫程序?yàn)椋菏覝厣郎刂?00—700℃,恒溫15—20min;升溫速率為10-20℃/min,其中,250℃和/或550℃時(shí)分別恒溫20—30min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高溫壓電傳感器中石墨烯電極的制備方法,其特征在于:步驟(2)中,沉積溫度為400—700℃,沉積時(shí)間為30—150min。