本發(fā)明屬于太陽能電池制備技術領域，特別是涉及一種太陽能電池硅片的等離子增強化學氣相沉積法。
背景技術：
太陽能電池片的生產工藝比較復雜，簡單說來，目前的太陽能電池片的生產過程主要包括：制絨、擴散、刻蝕、鍍膜、印刷和燒結等。而鍍膜就是采用化學氣相沉積法來實現(xiàn)的，目前均是采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)--等離子體增強化學氣相沉積法來鍍膜的，是制作太陽能電池片的一個重要環(huán)節(jié)。
現(xiàn)有技術的太陽能電池硅片的等離子增強化學氣相沉積法(PECVD)是在聚酰亞胺上沉積SiN薄膜通常在低溫200～300℃下沉積，使用的反應氣體為NH3和SiH4在保護氣氛下，高頻放電使得NH3和SiH4反應產生SiN薄膜沉積在硅片上形成減反射膜。但現(xiàn)有技術的PECVD中兩次沉積的NH3:SiH4是不變的，使得制備的SiN薄膜均勻性較差，進而導致產品的使用穩(wěn)定性較差。
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明針對以上問題提供一種制備的SiN薄膜均勻性較好及可使得產品的性能穩(wěn)定性較好的太陽能電池硅片的等離子增強化學氣相沉積法。
本發(fā)明解決以上問題所用的技術方案是：提供一種太陽能電池硅片的等離子增強化學氣相沉積法，它包括以下步驟：
a、將硅片放置在PECVD真空爐中，通入氮氣推掃后抽真空到0個大氣壓；
b、第一次沉積：通入NH3和SiH4，NH3的流量為350～550SCCM，NH3:SiH4＝1:2.5～5.5，反應時間為1.5～4分鐘，反應時的壓力為1200～1800Pa，脈沖的頻率為400～800Hz/s，功率為6000～8000W；
c、第二沉積：將NH3的流量增大到650～850SCCM，NH3:SiH4＝1:8.2～10.8，反應時間為8～12分鐘，反應時的壓力為1500～2000Pa，脈沖的頻率為400～800Hz/s，功率為7000～9000W；
d、停止脈沖，后冷卻到室溫即可。
作為優(yōu)選，所述步驟b中NH3的流量為400～500SCCM，NH3:SiH4＝1:3～4，反應時間為2～3分鐘，反應時的壓力為1500～1700Pa，脈沖的頻率為500～700Hz/s，功率為7000～7800W。
作為更優(yōu)選，所述NH3的流量為450SCCM，NH3:SiH4＝1:3.5，反應時間為2.5分鐘，反應時的壓力為1600Pa，脈沖的頻率為600Hz/s，功率為7400W。
作為優(yōu)選，所述步驟c中NH3的流量為700～800SCCM，NH3:SiH4＝1:8.4～9.8，反應時間為9～11分鐘，反應時的壓力為1600～1900Pa，脈沖的頻率為500～800Hz/s，功率為7000～9000W。
作為更優(yōu)選，所述NH3的流量為750SCCM，NH3:SiH4＝1:9.1，反應時間為10分鐘，反應時的壓力為1700Pa，脈沖的頻率為700Hz/s，功率為8000W。
作為優(yōu)選，所述步驟d中停止脈沖后先保溫5～10分鐘再冷卻。
采用以上方法后，與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下有益效果：
由于經過兩次沉積，且第一次沉積的參數(shù)不同于第二次沉積的參數(shù)，第一次沉積后產生的SiN薄膜相對較薄，而在第二次沉積的時候起到了增加了相容性，使得第二次沉積后的SiN薄膜均勻性大幅提高，且整個SiN薄膜的厚度控制在0.8～1.2μm，光線折射率較好，提高了對光的利用率，并且這樣沉積后SiN薄膜的穩(wěn)定性較好，還可減少后續(xù)工序對SiN薄膜影響，從而保證產品的使用穩(wěn)定性。
具體實施方式
以下結合具體實施例，對本發(fā)明做進一步描述。
實施例一
一種太陽能電池硅片的等離子增強化學氣相沉積法，它包括以下步驟：
a、將硅片放置在PECVD真空爐中，通入氮氣推掃后抽真空到0個大氣壓；
b、第一次沉積：通入NH3和SiH4，NH3的流量為350SCCM，NH3:SiH4＝1:5.5，反應時間為4分鐘，反應時的壓力為1800Pa，脈沖的頻率為800Hz/s，功率為8000W；
c、第二沉積：將NH3的流量增大到650SCCM，NH3:SiH4＝1:10.8，反應時間為12分鐘，反應時的壓力為2000Pa，脈沖的頻率為800Hz/s，功率為9000W；
d、停止脈沖，后冷卻到室溫即可。
實施例二
一種太陽能電池硅片的等離子增強化學氣相沉積法，它包括以下步驟：
a、將硅片放置在PECVD真空爐中，通入氮氣推掃后抽真空到0個大氣壓；
b、第一次沉積：通入NH3和SiH4，NH3的流量為550SCCM，NH3:SiH4＝1:2.5，反應時間為1.5分鐘，反應時的壓力為1200Pa，脈沖的頻率為400Hz/s，功率為6000W；
c、第二沉積：將NH3的流量增大到850SCCM，NH3:SiH4＝1:8.2，反應時間為8分鐘，反應時的壓力為1500Pa，脈沖的頻率為400Hz/s，功率為7000W；
d、停止脈沖，后冷卻到室溫即可。
實施例三
一種太陽能電池硅片的等離子增強化學氣相沉積法，它包括以下步驟：
a、將硅片放置在PECVD真空爐中，通入氮氣推掃后抽真空到0個大氣壓；
b、第一次沉積：通入NH3和SiH4，NH3的流量為450SCCM，NH3:SiH4＝1:3.5，反應時間為2.5分鐘，反應時的壓力為1600Pa，脈沖的頻率為600Hz/s，功率為7400W；
c、第二沉積：將NH3的流量增大到750SCCM，NH3:SiH4＝1:9.1，反應時間為10分鐘，反應時的壓力為1700Pa，脈沖的頻率為700Hz/s，功率為8000W；
d、停止脈沖，后冷卻到室溫即可。
實施例四
一種太陽能電池硅片的等離子增強化學氣相沉積法，它包括以下步驟：
a、將硅片放置在PECVD真空爐中，通入氮氣推掃后抽真空到0個大氣壓；
b、第一次沉積：通入NH3和SiH4，NH3的流量為400SCCM，NH3:SiH4＝1:4，反應時間為3分鐘，反應時的壓力為1700Pa，脈沖的頻率為700Hz/s，功率為7800W；
c、第二沉積：將NH3的流量增大到700SCCM，NH3:SiH4＝1:9.8，反應時間為11分鐘，反應時的壓力為1900Pa，脈沖的頻率為800Hz/s，功率為9000W；
d、停止脈沖，后冷卻到室溫即可。
所述步驟d中停止脈沖后先保溫5分鐘再冷卻。
實施例五
一種太陽能電池硅片的等離子增強化學氣相沉積法，它包括以下步驟：
a、將硅片放置在PECVD真空爐中，通入氮氣推掃后抽真空到0個大氣壓；
b、第一次沉積：通入NH3和SiH4，NH3的流量為500SCCM，NH3:SiH4＝1:3，反應時間為2分鐘，反應時的壓力為1500Pa，脈沖的頻率為500Hz/s，功率為7000W；
c、第二沉積：將NH3的流量增大到800SCCM，NH3:SiH4＝1:8.4，反應時間為9分鐘，反應時的壓力為1600Pa，脈沖的頻率為500Hz/s，功率為7000W；
d、停止脈沖，后冷卻到室溫即可。
所述步驟d中停止脈沖后先保溫10分鐘再冷卻。
以上實施例僅為本發(fā)明的較佳實施例，本發(fā)明不僅限于以上實施例還允許有其它結構變化，凡在本發(fā)明獨立權要求范圍內變化的，均屬本發(fā)明保護范圍。