技術(shù)總結(jié)
一種太陽(yáng)能電池硅片的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，它包括以下步驟：a、將硅片放置在PECVD真空爐中，通入氮?dú)馔茠吆蟪檎婵盏?個(gè)大氣壓；b、第一次沉積：通入NH3和SiH4，NH3的流量為350～550SCCM，NH3:SiH4＝1:2.5～5.5，反應(yīng)時(shí)間為1.5～4分鐘，反應(yīng)時(shí)的壓力為1200～1800Pa，脈沖的頻率為400～800Hz/s，功率為6000～8000W；c、第二沉積：將NH3的流量增大到650～850SCCM，NH3:SiH4＝1:8.2～10.8，反應(yīng)時(shí)間為8～12分鐘，反應(yīng)時(shí)的壓力為1500～2000Pa，脈沖的頻率為400～800Hz/s，功率為7000～9000W；d、停止脈沖，后冷卻到室溫即可；與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有制備的SiN薄膜均勻性較好及可使得產(chǎn)品的性能穩(wěn)定性較好的特點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：葛豎堅(jiān);翟貝貝;魏曉波;何長(zhǎng)春;張文鋒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東方日升新能源股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610783481
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.31
技術(shù)公布日：2017.01.04