本發(fā)明涉及用于銀層的蝕刻劑組合物，涉及使用該蝕刻劑組合物形成金屬圖案的方法，還涉及使用該蝕刻劑組合物制造顯示基板的方法。

背景技術(shù)：

液晶顯示器(LCD)是目前可用的各種平板顯示器之一，并被配置成包括兩個(gè)具有電極的基板和介于其間的液晶層。當(dāng)向電極施加電壓時(shí)，液晶層中的液晶分子重新排列，從而控制透過(guò)的光量。

當(dāng)加長(zhǎng)數(shù)據(jù)線時(shí)，也增加線路電阻。因此，傳統(tǒng)上將鉻(Cr)、鉬(Mo)、鋁(Al)及其合金用作薄膜晶體管(TFT)的柵極線和數(shù)據(jù)線難以實(shí)現(xiàn)具有大尺寸和高分辨率的平板顯示器。為了解決由于電阻增加造成的信號(hào)延遲問(wèn)題的目的，柵極線和數(shù)據(jù)線需要使用具有盡可能低的比電阻的材料來(lái)形成。

導(dǎo)電金屬諸如銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)具有相對(duì)高的透光率并具有導(dǎo)電性，因此廣泛地用作平板顯示器的濾色器的電極。然而，這些金屬還具有高電阻，并變成平板顯示裝置擴(kuò)大和高分辨率(其通過(guò)改善響應(yīng)速度來(lái)實(shí)現(xiàn))的障礙。

在反射板的情況下，鋁(Al)反射板已主要用于產(chǎn)品中，但已進(jìn)行很多用具有更高反射率的金屬代替Al的嘗試以便增加亮度，由此實(shí)現(xiàn)低功耗。為此，蝕刻劑的開(kāi)發(fā)需要應(yīng)用銀(Ag，具有大約1.59μΩcm的比電阻)層、銀合金層或包括銀層和銀合金層的多層，銀層、銀合金層或包括銀層和銀合金層的多層與在平板顯示器中使用的金屬、濾色器的電極、LCD線和反射板相比具有更低的比電阻和更高的亮度，從而實(shí)現(xiàn)具有大尺寸、高分辨率和低功耗的平板顯示器。

然而，銀(Ag)對(duì)下面的基板(諸如由玻璃制成的絕緣基板或由本征非晶硅或摻雜非晶硅制成的半導(dǎo)體基板)具有非常差的粘附性，使得難以進(jìn)行氣相沉積工藝并且容易引起線的翹起或剝落。而且，在銀(Ag)導(dǎo)電層沉積在基板上的情況下，使用蝕刻劑對(duì)銀(Ag)導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化。當(dāng)該蝕刻劑選自常規(guī)使用的那些時(shí)，銀(Ag)被過(guò)度地或不均勻地蝕刻，因此導(dǎo)致線的翹起或剝落并使線的側(cè)面輪廓劣化。

特別地，容易被還原的銀(Ag)僅當(dāng)被快速蝕刻時(shí)才可以無(wú)任何殘?jiān)乇晃g刻。在這里，在蝕刻工藝之后難以形成錐角，原因在于上下部之間的蝕刻速率由于快速蝕刻而沒(méi)有差別。因此，用于線的銀的使用受到很多限制。在金屬層直立而沒(méi)有任何錐角的情況下，當(dāng)在后續(xù)工藝中在金屬層上形成絕緣層或線時(shí)，可以在銀(Ag)與絕緣層或線之間產(chǎn)生空間。這樣的空間是電短路的主要原因。

因此正在進(jìn)行充分研究以改善蝕刻特性。就這一點(diǎn)而言，韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.10-2008-0110259公開(kāi)蝕刻劑組合物，其包括預(yù)定量的磷酸、硝酸、乙酸、磷酸二氫鈉(NaH₂PO₄)和去離子水。然而，本領(lǐng)域仍然需要用于銀層的具有改善的蝕刻特性的蝕刻劑組合物，因此對(duì)其進(jìn)行積極研究。然而，還沒(méi)有提出與上述常規(guī)技術(shù)相比具有明顯改善的蝕刻特性的蝕刻劑組合物。

[引用列表]

[專(zhuān)利文獻(xiàn)]

(專(zhuān)利文件0001)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.10-2008-0110259

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，銘記相關(guān)技術(shù)中遇到的上述問(wèn)題而作出了本發(fā)明，并且本發(fā)明意在提供蝕刻劑組合物，其與用于銀層的常規(guī)蝕刻劑組合物相比可以表現(xiàn)出更多改善的蝕刻特性，并可以防止銀或銀合金的過(guò)蝕刻，因此形成具有低S/E的線，由此其適用于精細(xì)圖案，并且其中對(duì)于銀合金形成錐角，因此增加顯示基板的電性能。

此外，本發(fā)明意在提供使用該蝕刻劑組合物形成金屬圖案的方法。

此外，本發(fā)明意在提供使用該蝕刻劑組合物制造顯示基板的方法。

本發(fā)明提供用于銀層的蝕刻劑組合物，基于該組合物的總重量，包括：30至70wt％的磷酸；0.5至10wt％的硝酸；5至20wt％的丙酸；0.01至10wt％的唑系化合物；和余量的水。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，蝕刻劑組合物可以同時(shí)蝕刻由銀(Ag))或銀合金形成的單層和由所述單層和銦氧化物層形成的多層。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，銦氧化物可以是銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)或銦錫鎵鋅氧化物(IGZO)。

此外，本發(fā)明提供形成金屬圖案的方法，包括：在基板上形成選自銀(Ag)或銀合金的單層和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層；和用上述蝕刻劑組合物蝕刻以上形成的一層或多層。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，該方法還可以包括：在形成一層或多層后，在一層或多層上形成光致抗蝕劑圖案。

此外，本發(fā)明提供制造顯示基板的方法，包括：在基板上形成柵電極；在包括該柵電極的基板上形成柵絕緣層；在柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層；在該半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極；和形成連接至該漏電極的像素電極，其中在基板上形成柵電極、在半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極和形成連接至該漏電極的像素電極的任一個(gè)或多個(gè)包括：形成選自由銀或銀合金形成的單層和由該單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層的工序；和通過(guò)用上述蝕刻劑組合物蝕刻以上形成的一層或多層來(lái)形成各個(gè)電極的工序。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，顯示基板可以是薄膜晶體管(TFT)陣列基板。

根據(jù)本發(fā)明，蝕刻劑組合物能夠防止銀或銀合金的過(guò)蝕刻，從而形成具有低S/E的線，由此能夠用于精細(xì)圖案。特別地，本發(fā)明的蝕刻劑組合物包括丙酸，以代替在用于銀層的常規(guī)蝕刻劑組合物中使用的乙酸，從而增加潤(rùn)濕性，由此顯著改善蝕刻特性。

附圖說(shuō)明

圖1示出基于測(cè)試?yán)脑u(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)沒(méi)有產(chǎn)生殘?jiān)?/p>

圖2示出基于測(cè)試?yán)脑u(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)生殘?jiān)?/p>

圖3示出基于測(cè)試?yán)脑u(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)沒(méi)有發(fā)生再吸附；和

圖4示出基于測(cè)試?yán)脑u(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)生再吸附。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提出用于銀層的蝕刻劑組合物、使用該蝕刻劑組合物形成金屬圖案的方法和使用該蝕刻劑組合物制造顯示基板的方法。

在本發(fā)明中，包含在用于銀層的常規(guī)蝕刻劑組合物中的乙酸被丙酸代替，因此進(jìn)一步改善蝕刻特性。

在下文中，將給出本發(fā)明的詳細(xì)描述。

本發(fā)明提出用于銀層的蝕刻劑組合物，基于所述組合物的總重量，包括：30至70wt％的磷酸；0.5至10wt％的硝酸；5至20wt％的丙酸；0.01至10wt％的唑系化合物；和余量的水。

在本發(fā)明中，磷酸用作主要蝕刻劑，并起到引起與銀(Ag)或銀合金的氧化還原反應(yīng)和解離銦氧化物層從而進(jìn)行濕蝕刻的作用。磷酸的量是基于該組合物的總重量的30至70wt％，優(yōu)選40至60wt％。如果磷酸的量小于30wt％，則蝕刻能力變差，難以進(jìn)行充分的蝕刻。而且，當(dāng)在加工期間預(yù)定量或更多的銀溶解在蝕刻劑組合物中時(shí)，銀(Ag)可以被再吸附或可以沉淀，從而導(dǎo)致可能在后續(xù)工序中引起電短路的缺陷。另一方面，如果其量超過(guò)70wt％，則銦氧化物層的蝕刻速率可能下降，并且銀(或銀合金)的蝕刻速率可能過(guò)度增加，因此蝕刻可能在線由于過(guò)蝕刻不能執(zhí)行其功能的程度上發(fā)生。在銦氧化物層被堆疊的情況下，可能由于銀(或銀合金)和銦氧化物層之間蝕刻速率的差異而形成尖端，因此可能在后續(xù)工藝中出現(xiàn)問(wèn)題。

硝酸用作輔助蝕刻劑，并起到氧化銀(Ag)或銀合金和銦氧化物層從而進(jìn)行濕蝕刻的作用。硝酸的量是基于蝕刻劑組合物的總重量的0.5至10wt％。如果硝酸的量小于0.5wt％，則銀(或銀合金)和銦氧化物層的蝕刻速率可能下降，并且電短路和暗點(diǎn)(殘?jiān)粝碌膮^(qū)域變暗)可能由于銀殘?jiān)诤罄m(xù)加工期間出現(xiàn)。另一方面，如果其量超過(guò)10wt％，則由于蝕刻速率過(guò)快而難以控制加工，并且線由于過(guò)蝕刻而不能執(zhí)行其功能。

丙酸用作緩沖劑以控制反應(yīng)速率等，并且在對(duì)銀或銀合金形成錐角中起重要作用。丙酸的量是基于該組合物的總重量的5至20wt％，并優(yōu)選10至15wt％。如果丙酸的量小于5wt％，則對(duì)線的蝕刻表面不能形成錐角。另一方面，如果其量超過(guò)20wt％，則生成的組合物具有非常高的揮發(fā)性，因此由于加工期間組合物的揮發(fā)，可能在3小時(shí)內(nèi)發(fā)生組合物的量的改變，由此蝕刻速率可能隨時(shí)間變化。

唑系化合物起到降低銀(Ag)或銀合金的蝕刻速率的作用，并且銦氧化物層的蝕刻速率未相對(duì)地下降，由此控制銦氧化物層中尖端的形成，并且在加工期間調(diào)整蝕刻時(shí)間。唑系化合物可以防止銀(Ag)的過(guò)蝕刻從而形成具有低S/E的線，能夠形成用于精細(xì)圖案的線。當(dāng)使用銀或銀合金的單層(包括未提供阻隔層例如銦氧化物層的情況)時(shí)，可能增加加工成本，原因在于為了防止過(guò)蝕刻而使用上下阻隔層。然而，當(dāng)使用唑系化合物時(shí)，即使不存在阻隔層也可以不發(fā)生過(guò)蝕刻，由此可以減少加工時(shí)間和原材料的使用，因此降低生產(chǎn)成本。唑系化合物的量是基于組合物的總重量的0.01至10wt％。如果唑系化合物的量小于0.01wt％，則不能執(zhí)行降低蝕刻速率的功能，因此當(dāng)形成用于精細(xì)圖案的線時(shí)線損失的缺陷可能由于過(guò)蝕刻而發(fā)生。另一方面，如果其量超過(guò)10wt％，則電流短路可能發(fā)生，因?yàn)殂y或銀合金的蝕刻速率顯著降低，并且不必要的部分未被完全蝕刻，這引起缺陷的發(fā)生。此外，殘?jiān)捎谖g刻速率下降而留下，因此，當(dāng)在進(jìn)行后續(xù)工序之后生產(chǎn)產(chǎn)品時(shí)，可能產(chǎn)生稱(chēng)作暗點(diǎn)的缺陷(一些區(qū)域看起來(lái)黑的現(xiàn)象)。

唑系化合物的例子可以包括吡咯系，吡唑系，咪唑系，三唑系，四唑系，五唑系，噁唑系，異噁唑系，噻唑系和異噻唑系化合物，其可以單獨(dú)使用或以?xún)煞N或更多種的混合物使用。

在蝕刻劑組合物中，水優(yōu)選包括去離子(DI)水，其適用于半導(dǎo)體加工并具有18MΩ/cm或更大的電阻率。

在顯示設(shè)備的制造中，當(dāng)本發(fā)明的蝕刻劑組合物用于銀(Ag)或銀合金的單層和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層形成的多層、優(yōu)選地包括銦氧化物層/銀或銦氧化物層/銀/銦氧化物層的多層(適于在線和反射層中使用)時(shí)，可以表現(xiàn)出蝕刻均勻性而沒(méi)有損傷下層。因此，該蝕刻劑組合物在濕蝕刻中有用。

此外，本發(fā)明提出形成金屬圖案的方法，包括：在基板上形成選自銀(Ag)或銀合金的單層、和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層；和用根據(jù)本發(fā)明的蝕刻劑組合物蝕刻以上形成的一層或多層。

在根據(jù)本發(fā)明的形成金屬圖案的方法中，形成一層或多層的步驟可以具體地包括提供基板和在基板上形成選自銀(Ag)或銀合金的單層、和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層。

基板可以包括可以經(jīng)受典型的清洗工藝的那些，例如晶片、玻璃基板、不銹鋼基板、塑料基板或石英基板。在基板上形成選自銀(Ag)或銀合金的單層、和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層的工序可以包括對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)已知的任何方法，并優(yōu)選包括真空沉積或?yàn)R射。

在蝕刻步驟中，將光致抗蝕劑形成在一層或多層(在形成一層或多層的步驟中形成)上，然后使用掩模選擇性地曝光，之后后烘焙并顯影曝光的光致抗蝕劑，從而形成光致抗蝕劑圖案。

使用本發(fā)明的蝕刻劑組合物蝕刻具有光致抗蝕劑圖案的一層或多層，由此完成金屬圖案。

此外，本發(fā)明提出制造顯示基板的方法，包括：在基板上形成柵電極；在包括該柵電極的基板上形成柵絕緣層；在該柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層；在該半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極；和形成連接至該漏電極的像素電極，其中在基板上形成柵電極、在半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極和形成連接至漏電極的像素電極中的任一個(gè)或多個(gè)包括：形成選自由銀或銀合金形成的單層和由單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層的工序；和通過(guò)用上述蝕刻劑組合物蝕刻以上形成的一層或多層來(lái)形成各個(gè)電極的工序。

在基板上形成柵電極的步驟可以包括使用氣相沉積或?yàn)R射在基板上沉積形成選自由銀或銀合金的單層、和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層；和通過(guò)使用本公開(kāi)的蝕刻劑組合物圖案化以上形成的一層或多層來(lái)形成柵電極。在這里，在基板上形成一層或多層的方法并非僅限于以上示例性工序。

在包括柵電極的基板上形成柵絕緣層的步驟中，將氮化硅(SiN_x)沉積在形成在基板上的柵電極的頂部以形成柵絕緣層。本文中，用于形成柵絕緣層的材料并非僅限于氮化硅(SiN_x)，并且還可以使用選自包括氧化硅(SiO₂)的各種無(wú)機(jī)絕緣材料中的任何材料來(lái)形成柵絕緣層。

在柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層的步驟中，使用化學(xué)氣相沉積(CVD)在柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層。具體地，按次序形成活性層和歐姆接觸層，然后通過(guò)干蝕刻圖案化。在這里，活性層由純的非晶硅(a-Si:H)形成，并且歐姆接觸層由含有雜質(zhì)的非晶硅(n+a-Si:H)形成。雖然當(dāng)形成活性層和歐姆接觸層時(shí)可以進(jìn)行化學(xué)氣相沉積(CVD)，但本發(fā)明不限于此。

在半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極的步驟可以包括在半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極并且在該源電極和該漏電極上形成絕緣層。當(dāng)在半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極時(shí)，使用濺射在歐姆接觸層上沉積選自銀或銀合金的單層、和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層形成的多層當(dāng)中的任一層或多層，然后使用本發(fā)明的蝕刻劑組合物蝕刻其以形成源電極和漏電極。同樣地，在基板上形成一層或多層并非僅限于以上示例性工序。在源電極和漏電極上形成絕緣層的步驟中，絕緣層從包括氮化硅(SiN_x)和氧化硅(SiO₂)的無(wú)機(jī)絕緣組或包括苯并環(huán)丁烯(BCB)-和丙烯酸系樹(shù)脂的有機(jī)絕緣組中選擇，并形成在源電極和漏電極上作為單層或雙層。絕緣層的材料不限于以上說(shuō)明的那些。在形成連接至漏電極的像素電極的步驟中，形成連接至漏電極的像素電極。例如，通過(guò)濺射沉積選自銀或銀合金的單層和由銀或銀合金的單層和銦氧化物層形成的多層中的任一層或多層，然后使用本發(fā)明的蝕刻劑組合物蝕刻其以形成像素電極。銦氧化物層的沉積并非僅限于濺射工藝。

通過(guò)以下實(shí)施例、比較例和測(cè)試?yán)齺?lái)詳述本發(fā)明，這些實(shí)施例、比較例和測(cè)試?yán)奶岢鰞H用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明不限于這些實(shí)施例、比較例和測(cè)試?yán)?，并可以進(jìn)行各種變形和改變。

實(shí)施例1至6和比較例1至6：蝕刻劑組合物的制備

使用下表1中示出的量(單位：wt％)的組分制備150kg的各個(gè)蝕刻劑組合物。

[表1]

*MTZ：5-甲基四唑

將各個(gè)蝕刻劑組合物放在作為蝕刻設(shè)備的ETCHER(TFT)(由K.C.Tech制造)中，然后被加熱至40℃的溫度。當(dāng)溫度達(dá)到40±0.1℃時(shí)，進(jìn)行蝕刻工藝。以過(guò)蝕刻的方式進(jìn)行蝕刻使得總蝕刻時(shí)間與端點(diǎn)檢測(cè)(EPD)相比增加了50％。

將基板放在蝕刻設(shè)備中、以噴霧方式蝕刻、從蝕刻設(shè)備中取出、用DI水清洗并使用熱風(fēng)干燥器干燥，然后使用PR剝離劑去除光致抗蝕劑(PR)。清洗和干燥之后，使用掃描電子顯微鏡(SEM，型號(hào)名稱(chēng)：S-4700，由HITACHI制造)評(píng)價(jià)側(cè)蝕刻距離、殘?jiān)?、蝕刻速率、時(shí)間穩(wěn)定性、再吸附和錐角。

1.側(cè)蝕刻距離

將實(shí)施例1至6和比較例1至6的各個(gè)蝕刻劑組合物放在噴霧型蝕刻設(shè)備(ETCHER(TFT)，由K.C.Tech制造)中，然后被加熱至40℃的溫度。當(dāng)溫度達(dá)到40±0.1℃時(shí)，進(jìn)行蝕刻樣品的工藝?？偽g刻時(shí)間被設(shè)成60s(秒)。

將基板放在蝕刻設(shè)備中、以噴霧方式蝕刻60s、從蝕刻設(shè)備中取出、用DI水清洗并使用熱風(fēng)干燥器干燥。清洗和干燥之后，切割基板并使用SEM(型號(hào)名稱(chēng)：SU-8010，由HITACHI制造)測(cè)定其橫截面。作為測(cè)定側(cè)蝕刻距離的標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)定從光致抗蝕劑的末端到內(nèi)部通過(guò)金屬的蝕刻塌陷的寬度，將以下標(biāo)準(zhǔn)用于評(píng)價(jià)。結(jié)果如下表2所示。

<側(cè)蝕刻距離的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)>

優(yōu)異：0.5μm或更小

良好：大于0.5μm至1.0μm或更小

差：大于1.0μm

2.殘?jiān)?/p>

將實(shí)施例1至6和比較例1至6的各個(gè)蝕刻劑組合物放在噴霧型蝕刻設(shè)備(ETCHER(TFT)，由K.C.Tech制造)中，然后被加熱至40℃的溫度。當(dāng)溫度達(dá)到40±0.1℃時(shí)，進(jìn)行對(duì)樣品進(jìn)行蝕刻的工藝。將總蝕刻時(shí)間被設(shè)成60秒。

將基板放在蝕刻設(shè)備中、以噴霧方式蝕刻60秒、從蝕刻設(shè)備中取出、用DI水清洗并使用熱風(fēng)干燥器干燥，然后使用PR剝離劑去除PR。清洗和干燥之后，使用掃描電子顯微鏡(SEM；型號(hào)名稱(chēng)：SU-8010，由HITACHI，Ltd.制造)測(cè)定殘?jiān)豌y(Ag)未被蝕刻而留在未被光致抗蝕劑覆蓋的部分上的現(xiàn)象，并且將以下標(biāo)準(zhǔn)用于評(píng)價(jià)。結(jié)果如下表2所示。

<殘?jiān)鼫y(cè)定的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)>

優(yōu)異:無(wú)殘?jiān)?圖1)

差:產(chǎn)生殘?jiān)?殘?jiān)刹煌耆g刻產(chǎn)生，并以非晶形的形式在基板的整個(gè)表面上存在，圖2)

3.蝕刻速率

將實(shí)施例1至6和比較例1至6的各個(gè)蝕刻劑組合物被放在噴霧型蝕刻設(shè)備(ETCHER(TFT)，由K.C.Tech制造)中，然后被加熱至40℃的溫度。當(dāng)溫度達(dá)到40±0.1℃時(shí)，進(jìn)行蝕刻樣品的工藝。將總蝕刻時(shí)間被設(shè)成60秒。

用肉眼觀察端點(diǎn)檢測(cè)(EPD)并隨時(shí)間觀察長(zhǎng)度方向上的蝕刻速率(E/R)。當(dāng)蝕刻的金屬層的厚度被EPD分開(kāi)后，確定對(duì)應(yīng)于(厚度)每秒(時(shí)間)的蝕刻速率并基于以下標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評(píng)價(jià)。結(jié)果如下表2中所示。

<蝕刻速率的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)>

優(yōu)異：或更小

良好：大于至或更小

差：大于

4.時(shí)間穩(wěn)定性

對(duì)實(shí)施例1至6和比較例1至6的各個(gè)蝕刻劑組合物中的一些進(jìn)行參照蝕刻測(cè)試，并且剩余的蝕刻劑組合物在25℃下儲(chǔ)存預(yù)定時(shí)間(1個(gè)月)。此后，使用儲(chǔ)存的蝕刻劑組合物在與以上蝕刻速率測(cè)試相同的條件下,再次進(jìn)行蝕刻工藝，并且將其結(jié)果與參照蝕刻測(cè)試對(duì)比。評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)如下，并且結(jié)果在下表2中示出。使用實(shí)施例1至6和比較例1至6的蝕刻溶液組合物進(jìn)行參照蝕刻測(cè)試，并且將剩余的蝕刻溶液組合物在25℃下儲(chǔ)存指定日期(以月為單位)。之后，使用儲(chǔ)存的蝕刻溶液組合物在與上述蝕刻速率測(cè)試相同的條件下,再次進(jìn)行蝕刻，并且將結(jié)果與參照蝕刻測(cè)試的結(jié)果對(duì)比。將以下標(biāo)準(zhǔn)用于評(píng)價(jià)，并且結(jié)果在下表2中示出。

<時(shí)間穩(wěn)定性的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)>

優(yōu)異：1個(gè)月后優(yōu)異的蝕刻輪廓

良好：1個(gè)月后良好的蝕刻輪廓

差：1個(gè)月后差的蝕刻輪廓

5.再吸附

將實(shí)施例1至6和比較例1至6的各個(gè)蝕刻劑組合物放在噴霧型蝕刻設(shè)備(ETCHER(TFT)，由K.C.Tech制造)中，然后被加熱至40℃的溫度。當(dāng)溫度達(dá)到40±0.1℃時(shí)，進(jìn)行蝕刻樣品的工藝。將總蝕刻時(shí)間設(shè)成60秒。將基板放在蝕刻設(shè)備中、以噴霧方式蝕刻60秒、從蝕刻設(shè)備中取出、用DI水清洗并使用熱風(fēng)干燥器干燥，然后使用PR剝離器去除PR。清洗和干燥之后，通過(guò)使用掃描電子顯微鏡(SEM，型號(hào)名稱(chēng)：SU-8010，由HITACHI，Ltd.制造)的全面觀察來(lái)進(jìn)行對(duì)現(xiàn)象的分析，在該現(xiàn)象中，在將銀蝕刻后，蝕刻的銀(Ag)主要被吸附在使異種金屬露出的位點(diǎn)例如數(shù)據(jù)線或可能由于繞組現(xiàn)象產(chǎn)生摩擦的特定的位點(diǎn)。將以下標(biāo)準(zhǔn)用于評(píng)價(jià)，并且結(jié)果如下表2中所示。

<再吸附測(cè)定的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)>

優(yōu)異：沒(méi)有再吸附(圖3)

差：出現(xiàn)再吸附(銀再吸附是由還原引起的吸附，并在上述特定位點(diǎn)以球形被觀察，圖4)

6.錐角

將實(shí)施例1至6和比較例1至6的各個(gè)蝕刻劑組合物被放在噴霧型蝕刻設(shè)備(ETCHER(TFT)，由K.C.Tech制造)中，然后被加熱至40℃的溫度。當(dāng)溫度達(dá)到40±0.1℃時(shí)，進(jìn)行蝕刻樣品的工藝。將總蝕刻時(shí)間設(shè)成60秒。

將基板放在蝕刻設(shè)備中、以噴霧方式蝕刻60秒、從蝕刻設(shè)備中取出、用DI水清洗并使用熱風(fēng)干燥器干燥，然后使用PR剝離劑去除PR。清洗和干燥之后，豎直切割待分析的蝕刻的基板的線，使用SEM(SU-8010，由HITACHI制造)測(cè)定線與下絕緣層之間的內(nèi)角并基于下述標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評(píng)價(jià)。結(jié)果如下表2中所示。

<錐角>

優(yōu)異：錐角為從20°或更大至60°或更小

良好：錐角為從大于60°至80°或更小

差：小于20°或大于80°的錐角[表2]

通過(guò)表2顯而易見(jiàn)的是，實(shí)施例1至6在側(cè)蝕刻距離、殘?jiān)?、蝕刻速率、時(shí)間穩(wěn)定性、再吸附和錐角方面與比較例1至6相比表現(xiàn)出優(yōu)異的蝕刻特性。特別地，使用丙酸代替乙酸的實(shí)施例1至6與使用乙酸的比較例6的錐角明顯不同，產(chǎn)生優(yōu)異的蝕刻特性。

雖然出于說(shuō)明目的已經(jīng)公開(kāi)了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，各種變形、添加和替代是可以的，而不背離如所附權(quán)利要求中公開(kāi)的本發(fā)明的范圍和精神。