1.一種微納米馬達的制備方法，其特征在于，包括如下具體步驟：
A、準備襯底：將基片切割成所需尺寸，清洗備用；
B、制備單層二氧化硅小球：向培養(yǎng)皿中注水，將二氧化硅小球溶液逐滴滴入水表面；待水面上形成薄膜后，用水替換懸浮的二氧化硅小球溶液；待替換完成后，將基片放入水底，抽干培養(yǎng)皿中的水，得到帶有單層二氧化硅小球的基片，并晾干備用；
C、制備納米棒：采用傾斜角沉積技術(shù)，使用電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，在氣壓小于1×10-6托的真空沉積室中，在單層二氧化硅小球基片上沉積二氧化鈦或鎳，且材料蒸汽入射方向與樣品臺法線夾角大于70°，形成長度約為3.5μm、直徑約為500nm的二氧化鈦或鎳納米棒；
D、沉積金屬膜層：采用傾斜角沉積技術(shù)，使用電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，在氣壓小于1×10-6托的真空沉積室中，在二氧化鈦或鎳納米棒一側(cè)蒸鍍金屬鉑，且材料蒸汽入射方向與樣品臺法線夾角為0°，形成厚度約為150nm的鉑膜層，最終制得微納米馬達。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微納米馬達的制備方法，其特征在于，步驟A中，所述的基片采用玻璃片或硅片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種微納米馬達的制備方法，其特征在于，步驟A中，所述的清洗基片包括如下步驟：先超聲清洗5 min，然后用去離子水、雙氧水、氫氧化銨按體積比5:1:1配置的溶液進行清洗，再用去離子水清洗5-10次，最后用氮氣吹干。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微納米馬達的制備方法，其特征在于，步驟B中，所述的培養(yǎng)皿在使用前先超聲清洗5分鐘，然后依次用丙酮、酒精、去離子水進行超聲清洗，再用去離子水沖洗，最后用氮氣吹干。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種微納米馬達的制備方法，其特征在于，步驟B中，所述的二氧化硅小球溶液的制備包括如下步驟：先將直徑為150-2000nm的二氧化硅小球超聲清洗5 min，置于離心管中，加去離子水稀釋成溶液，利用渦旋振蕩器將溶液搖勻；然后向離心管中加入不小于溶液水量的高純水，繼續(xù)離心清洗，并通過不斷地添加和移除高純水，反復(fù)離心3次；最后加入酒精，制成質(zhì)量百分比濃度為0.08%-2.24%的二氧化硅小球溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種微納米馬達的制備方法，其特征在于，步驟B中，使用注射器將二氧化硅小球溶液逐滴滴入水表面，注射速率為0.009-0.011 mL/min，且使彎成90°的注射器針頭靠近培養(yǎng)皿邊緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種微納米馬達的制備方法，其特征在于，步驟B中，所述的替換包括如下步驟：將特氟龍環(huán)置于薄膜之上，利用注射泵進行注水，使水位升高，再用蠕動泵同時進行注水和排水操作，將薄膜以下懸浮在溶液中的二氧化硅小球溶液用超純水替換。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微納米馬達的制備方法，其特征在于，步驟C中，沉積速度為0.5 nm/s。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微納米馬達的制備方法，其特征在于，步驟D中，沉積速度為0.5 nm/s。
10.一種利用權(quán)利要求1-8任一項所述方法制備的微納米馬達。