本發(fā)明涉及光學(xué)晶片制作領(lǐng)域，具體為一種晶片研磨設(shè)備。

背景技術(shù)：

石英晶片是制造頻率發(fā)生和控制用的電子元器件，石英晶片的厚度同頻率成反比，石英晶體經(jīng)過切割后形成晶片，再經(jīng)過腐蝕達(dá)到固定頻率才能使用。因此，研磨是晶片加工中的關(guān)鍵過程。

在對(duì)晶片進(jìn)行研磨拋光處理時(shí)，通常需要用到研磨機(jī)。研磨盤是研磨機(jī)中最主要的工作部件，研磨晶片時(shí)，將待研磨的晶片放置到加工臺(tái)上，下降的研磨頭對(duì)晶片進(jìn)行打磨操作。待研磨操作完成后，需要將晶片從加工臺(tái)上取下來，并放上下一待加工的晶片進(jìn)行研磨，而在現(xiàn)有的研磨操作中，通常是工人直接拿取晶片，從而實(shí)現(xiàn)加工臺(tái)的上下料操作，這樣一來就增加了工人的勞動(dòng)量，而且，工人在拿取晶片的時(shí)候，若是出現(xiàn)拿取不穩(wěn)的情況，容易造成晶片的磕碰，從而影響晶片的加工質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明意在提供一種能實(shí)現(xiàn)晶片的自動(dòng)上下料的研磨設(shè)備。

本發(fā)明提供基礎(chǔ)方案是：晶片研磨設(shè)備，包括可轉(zhuǎn)動(dòng)的加工臺(tái)和位于加工臺(tái)上方用于對(duì)晶片進(jìn)行研磨的研磨機(jī)構(gòu)，其中，加工臺(tái)具有內(nèi)腔，加工臺(tái)上對(duì)稱設(shè)置有用于放置晶片的放置位，放置位內(nèi)設(shè)有連通加工臺(tái)內(nèi)腔的吸附孔，加工臺(tái)的側(cè)壁設(shè)置有可啟閉的氣孔，氣孔連接有與氣泵連接的氣管；研磨機(jī)構(gòu)包括研磨頭和驅(qū)動(dòng)研磨頭運(yùn)動(dòng)的步進(jìn)電機(jī)；放置位正下方設(shè)置有用于運(yùn)輸晶片的運(yùn)輸帶，運(yùn)輸帶上的晶片可吸附在放置位的底面。

基礎(chǔ)方案的工作原理：加工前，轉(zhuǎn)動(dòng)加工臺(tái)，使得加工臺(tái)上的放置位處于豎直方向上，即一個(gè)放置位在加工臺(tái)的上部，對(duì)稱設(shè)置的另一個(gè)放置位則處在加工臺(tái)的下方，同時(shí)也是運(yùn)輸帶的正上方；

將待研磨的晶片放置在運(yùn)輸帶上，同時(shí)也放置一塊待研磨的晶片在加工臺(tái)上部的放置位中，啟動(dòng)運(yùn)輸帶，運(yùn)輸帶上的晶片移動(dòng)到加工臺(tái)上的放置位下方時(shí)，停止運(yùn)輸帶，晶片處于放置位的正下方；啟動(dòng)氣泵，通過氣泵將加工臺(tái)內(nèi)腔的氣體抽出，在加工臺(tái)的內(nèi)腔形成真空環(huán)境后關(guān)閉氣孔，加工臺(tái)內(nèi)部的氣壓小于加工臺(tái)外部的氣壓，因此位于上部放置位內(nèi)的晶片被加工臺(tái)外部的氣壓壓在了放置位內(nèi)，吸附孔將晶片緊緊吸附在為了加工臺(tái)上；同理，下方傳輸帶上的晶片此刻也在外部大氣壓強(qiáng)的作用下被吸附貼到了加工臺(tái)上；旋轉(zhuǎn)加工臺(tái)，使吸附了該晶片的加工位朝上正對(duì)研磨頭，啟動(dòng)步進(jìn)電機(jī)，研磨頭下降，與晶片的上表面接觸后，研磨頭轉(zhuǎn)動(dòng)，對(duì)晶片進(jìn)行研磨；研磨完成后，步進(jìn)電機(jī)又驅(qū)動(dòng)研磨頭上升，脫離與晶片的接觸；然后轉(zhuǎn)動(dòng)加工臺(tái)，使得加工臺(tái)上部的放置位轉(zhuǎn)動(dòng)到下部來原來下部的未研磨的晶片此時(shí)就轉(zhuǎn)到了研磨頭的下方；打開氣孔，加工臺(tái)內(nèi)腔中補(bǔ)充進(jìn)氣體，由于此時(shí)加工臺(tái)內(nèi)腔中氣體增多，內(nèi)腔的氣壓增大，不再吸附晶片，位于下部的放置位內(nèi)研磨好的晶片則在自身的重力作用下掉到運(yùn)輸帶上，運(yùn)輸帶運(yùn)動(dòng)，將研磨好的晶片傳輸走，后面待研磨的晶片又被運(yùn)輸?shù)搅朔胖梦坏南路?；再次將加工臺(tái)內(nèi)腔中的空氣抽出，位于放置位下方的待加工的晶片被吸附，研磨機(jī)構(gòu)再次對(duì)晶片進(jìn)行研磨加工。

轉(zhuǎn)動(dòng)的工作臺(tái)可以實(shí)現(xiàn)上、下放置位的轉(zhuǎn)換，只需要在初次啟動(dòng)時(shí)手動(dòng)放上一塊晶片后，配合加工臺(tái)內(nèi)腔氣壓的改變進(jìn)行實(shí)現(xiàn)晶片的上料-研磨-下料的流水操作，即不再需要手動(dòng)上料，取代了傳統(tǒng)的人工卸載晶片的操作，提高了晶片的研磨效率，同時(shí)也避免了工人拿取晶片不穩(wěn)而出現(xiàn)晶片的報(bào)廢磕碰現(xiàn)象，提高了晶片的加工生產(chǎn)效率質(zhì)量。

基礎(chǔ)方案的有益效果是：1.完成晶片加工的自動(dòng)上下料操作，無(wú)需工人手動(dòng)拿取晶片，保證了晶片卸料的安全操作；

2.利用大氣壓的改變實(shí)現(xiàn)晶片的上下料，操作簡(jiǎn)單；

3.實(shí)現(xiàn)了晶片加工的流水化操作，提高了加工的效率。

優(yōu)選方案一：作為基礎(chǔ)方案的優(yōu)選，加工臺(tái)橫向穿設(shè)有與電機(jī)相連的轉(zhuǎn)動(dòng)軸。有益效果：穿設(shè)有轉(zhuǎn)動(dòng)軸后，轉(zhuǎn)動(dòng)軸轉(zhuǎn)動(dòng)，帶動(dòng)加工臺(tái)轉(zhuǎn)動(dòng)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。

優(yōu)選方案二：作為優(yōu)選方案一的優(yōu)選，氣孔處通過拉簧連接有蓋板。有益效果：對(duì)加工臺(tái)內(nèi)腔進(jìn)行抽氣時(shí)，氣流推動(dòng)蓋板，將內(nèi)腔中的氣體排出后，直接松開蓋板，拉簧恢復(fù)形變，拉動(dòng)蓋板實(shí)現(xiàn)氣孔的自動(dòng)封閉，操作簡(jiǎn)單。

優(yōu)選方案三：作為基礎(chǔ)方案的優(yōu)選，工作臺(tái)的表面設(shè)有放置位的導(dǎo)向通道。有益效果：設(shè)置導(dǎo)向通道對(duì)運(yùn)輸帶上放置的晶片進(jìn)行導(dǎo)向，確保晶片能準(zhǔn)確停留在放置位的下方，從而確保了晶片可以順利地被吸附在放置位內(nèi)。

優(yōu)選方案四：作為優(yōu)選方案三的優(yōu)選，導(dǎo)向通道包括對(duì)稱設(shè)置的兩塊傾斜的導(dǎo)向板。有益效果：由兩塊傾斜的導(dǎo)向板組成導(dǎo)向通道，利用傾斜的導(dǎo)向板對(duì)運(yùn)輸帶上的晶片進(jìn)行導(dǎo)向，保證了晶片能順利的被傳輸?shù)椒胖梦坏南路健?/p>

優(yōu)選方案五：作為基礎(chǔ)方案的優(yōu)選，放置位內(nèi)設(shè)置有橡膠墊。有益效果：設(shè)置橡膠墊后，利用橡膠墊的彈性，可以減少放置位對(duì)晶片的擠壓，從而減少了晶片在放置位內(nèi)的磨損。

附圖說明

圖1為本發(fā)明晶片研磨設(shè)備實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1的俯視圖；

圖3為圖1中加工臺(tái)的俯視圖；

圖4為圖1中加工臺(tái)的縱剖圖。

具體實(shí)施方式

下面通過具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明：

說明書附圖中的附圖標(biāo)記包括：加工臺(tái)10、轉(zhuǎn)動(dòng)軸11、放置位13、運(yùn)輸帶30、導(dǎo)向板101、晶片1、研磨頭23、步進(jìn)電機(jī)21、吸附孔131。

如圖1、圖2和圖3所示的晶片1研磨設(shè)備，包括可轉(zhuǎn)動(dòng)的加工臺(tái)10和上方用于對(duì)晶片1進(jìn)行研磨的研磨機(jī)構(gòu)，如圖4所示，中空的加工臺(tái)10上對(duì)稱設(shè)置有用于放置晶片1的放置位13，放置位13內(nèi)設(shè)有連通加工臺(tái)10內(nèi)腔的吸附孔131，放置位13內(nèi)還設(shè)置有橡膠墊；加工臺(tái)10的側(cè)壁設(shè)置有可啟閉的氣孔，氣孔連接有與氣泵連接的氣管，氣孔處連接有蓋板，蓋板的一端轉(zhuǎn)動(dòng)連接在加工臺(tái)10的內(nèi)壁上，蓋板的另一端與加工臺(tái)10的內(nèi)壁之間連接有拉簧；加工臺(tái)10橫向穿設(shè)有轉(zhuǎn)動(dòng)軸11，轉(zhuǎn)動(dòng)軸11連接有電機(jī)的輸出軸；工作臺(tái)的表面沿放置位13的中心堆成設(shè)置有兩塊導(dǎo)向板101，導(dǎo)向板101在工作臺(tái)的表面傾斜設(shè)置，兩塊導(dǎo)向板101之間構(gòu)成晶片1的導(dǎo)向通道；

研磨機(jī)構(gòu)包括研磨頭23和驅(qū)動(dòng)研磨頭23運(yùn)動(dòng)的步進(jìn)電機(jī)21；放置位13正下方設(shè)置有用于運(yùn)輸晶片1的運(yùn)輸帶30，運(yùn)輸帶30上的晶片1可與放置位13的底面接觸。

加工前，啟動(dòng)電機(jī)，電機(jī)帶動(dòng)加工臺(tái)10轉(zhuǎn)動(dòng)，當(dāng)轉(zhuǎn)動(dòng)到加工臺(tái)10上的放置位13處于豎直方向上，即一個(gè)放置位13在加工臺(tái)10的上部，對(duì)稱設(shè)置的另一個(gè)放置位13則處在加工臺(tái)10的下方，同時(shí)也是運(yùn)輸帶30的正上方的時(shí)候，停止電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)；

將待研磨的晶片1放置在運(yùn)輸帶30上，同時(shí)也放置一塊待研磨的晶片1在加工臺(tái)10上部的放置位13中，啟動(dòng)運(yùn)輸帶30，運(yùn)輸帶30上的晶片1移動(dòng)到加工臺(tái)10上的放置位13下方時(shí)，停止運(yùn)輸帶30，晶片1處于放置位13的正下方；啟動(dòng)氣泵，通過氣泵將加工臺(tái)10內(nèi)的氣體抽出，在加工臺(tái)10的內(nèi)腔形成真空環(huán)境后關(guān)閉氣孔，加工臺(tái)10內(nèi)部的氣壓小于加工臺(tái)10外部的氣壓，因此位于上部放置位13內(nèi)的晶片1被加工臺(tái)10外部的氣壓壓在了放置位13內(nèi)，吸附孔131將晶片1緊緊吸附在為了加工臺(tái)10上；同理，下方傳輸帶上的晶片1此刻也在外部大氣壓強(qiáng)的作用下被吸附貼到了加工臺(tái)10上；啟動(dòng)步進(jìn)電機(jī)21，研磨頭23下降，與晶片1的上表面接觸后，研磨頭23轉(zhuǎn)動(dòng)，對(duì)晶片1進(jìn)行研磨；研磨完成后，步進(jìn)電機(jī)21又驅(qū)動(dòng)研磨頭23上升，脫離與晶片1的接觸；然后轉(zhuǎn)動(dòng)加工臺(tái)10，使得加工臺(tái)10上部的放置位13轉(zhuǎn)動(dòng)到下部來，原來下部的未研磨的晶片1此時(shí)就轉(zhuǎn)到了研磨頭23的下方；打開氣孔，由于此時(shí)加工臺(tái)10中氣體增多，內(nèi)腔的氣壓增大，下部放置位13內(nèi)研磨好的晶片1則在自身的重力作用下掉到運(yùn)輸帶30上，運(yùn)輸帶30運(yùn)動(dòng)，將研磨好的晶片1傳輸走，后面待研磨的晶片1又被運(yùn)輸?shù)搅朔胖梦?3的下方；再次將加工臺(tái)10中的空氣抽出，放置位13內(nèi)待加工的晶片1被吸附，研磨機(jī)構(gòu)再次對(duì)晶片1進(jìn)行研磨加工。

以上所述的僅是本發(fā)明的實(shí)施例，方案中公知的具體結(jié)構(gòu)及特性等常識(shí)在此未作過多描述。應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明結(jié)構(gòu)的前提下，還可以作出若干變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)該視為本發(fā)明的保護(hù)范圍，這些都不會(huì)影響本發(fā)明實(shí)施的效果和專利的實(shí)用性。本申請(qǐng)要求的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以其權(quán)利要求的內(nèi)容為準(zhǔn)，說明書中的具體實(shí)施方式等記載可以用于解釋權(quán)利要求的內(nèi)容。