技術(shù)總結(jié)
一種雙區(qū)加熱的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積腔體晶圓基座（Dual?Zone?Heater），包括基座主體，所述基座主體上設(shè)置晶圓凹槽，晶圓凹槽分為中心區(qū)域和邊緣區(qū)域兩部分，中心區(qū)域和邊緣區(qū)域采用兩套內(nèi)嵌加熱元件及溫度傳感器來獨(dú)立加熱。它是在傳統(tǒng)的腔體晶圓基座（Heater）技術(shù)的基礎(chǔ)上引入了雙區(qū)加熱溫控技術(shù)，可以獨(dú)立調(diào)控腔體晶圓基座中心區(qū)域和邊緣區(qū)域的溫度，來改善300mm尺寸晶圓在等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝中薄膜沉積的均勻性，從而提高產(chǎn)品的良率。

技術(shù)研發(fā)人員：徐光
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海陛通半導(dǎo)體能源科技股份有限公司
文檔號碼：201620884628
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.16
技術(shù)公布日：2017.01.11